公开(公告)号：DE102016106691B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102016106691

申请日：2016-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  GREINER ANDREAS ,  FRIEDRICH KARSTEN ,  GÖTSCHKES UDO ,  SCHNEIDER JENS ,  BRAUN FELIX ,  RUDOLF RALF ,  DOERING STEFAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren (300) aufweisend:• Bilden(310) eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht (302) derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich (304) ein elektrisches Feld (304f) mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht (302) erzeugt; und• Bilden (320) einer zweiten Schicht (306) über der ersten Schicht (302) unter Verwendung der Feldverteilung (304f) derart, dass eine Struktur (306s) der zweiten Schicht (306) mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) korreliert,• wobei die zweite Schicht (306) ein elektroaktives Material aufweist, das von dem elektrischen Feld des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) beeinflusst wird.

公开(公告)号：DE102015102225A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015102225

申请日：2015-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRAUN FELIX ,  HONG BEE KIM ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  SCHNEIDER JENS ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

Abstract: Ein Verfahren (S100a) zur Verarbeitung einer Schicht kann aufweisen: Bereitstellen einer strukturierten Kohlenstoffschicht über einer Schicht oder über einem Träger (S110a); und Durchführen einer Ionenimplantation durch die strukturierte Kohlenstoffschicht in die Schicht oder in den Träger (S120a).

公开(公告)号：DE102016106691A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102016106691

申请日：2016-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  GREINER ANDREAS ,  FRIEDRICH KARSTEN ,  GÖTSCHKES UDO ,  SCHNEIDER JENS ,  BRAUN FELIX ,  RUDOLF RALF ,  DOERING STEFAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/66

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: das Bilden eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich ein elektrisches Feld mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht erzeugt; und das Bilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht unter Verwendung der Feldverteilung derart, dass eine Struktur der zweiten Schicht mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs korreliert.

公开(公告)号：DE102014003068B4

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102014003068

申请日：2014-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

Abstract: Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend:- Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (304)- Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht (304), um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur (306A) und eine zweite Steuerelektrodenstruktur (306B) zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu erlangen;- Abscheiden einer zweiten Schicht (308) und wenigstens einer Spacerschicht (310; 402, 406) und Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, während die zweite Schicht (308) wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht (308) unterscheidet; und- nach dem Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu bilden, wobei die zweite Schicht (308) wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102014003068A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102014003068

申请日：2014-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

Abstract: Ein Herstellungsverfahren für einen Bildgeber umfasst Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht, um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur zu erlangen; – Abscheiden einer zweiten Schicht und wenigstens einer Spacerschicht und Entfernen der zweiten Schicht in der Transistorregion, während die zweite Schicht wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die zweite Schicht wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht unterscheidet; und – Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur zu bilden, wobei die zweite Schicht wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.