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公开(公告)号:DE102016106691B4
公开(公告)日:2021-09-02
申请号:DE102016106691
申请日:2016-04-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ASSMANN HEIKO , DANKELMANN MARCUS , GREINER ANDREAS , FRIEDRICH KARSTEN , GÖTSCHKES UDO , SCHNEIDER JENS , BRAUN FELIX , RUDOLF RALF , DOERING STEFAN
IPC: H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/26 , H01L21/66
Abstract: Verfahren (300) aufweisend:• Bilden(310) eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht (302) derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich (304) ein elektrisches Feld (304f) mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht (302) erzeugt; und• Bilden (320) einer zweiten Schicht (306) über der ersten Schicht (302) unter Verwendung der Feldverteilung (304f) derart, dass eine Struktur (306s) der zweiten Schicht (306) mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) korreliert,• wobei die zweite Schicht (306) ein elektroaktives Material aufweist, das von dem elektrischen Feld des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) beeinflusst wird.
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公开(公告)号:DE102016106691A1
公开(公告)日:2017-10-12
申请号:DE102016106691
申请日:2016-04-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ASSMANN HEIKO , DANKELMANN MARCUS , GREINER ANDREAS , FRIEDRICH KARSTEN , GÖTSCHKES UDO , SCHNEIDER JENS , BRAUN FELIX , RUDOLF RALF , DOERING STEFAN
IPC: H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/26 , H01L21/66
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: das Bilden eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich ein elektrisches Feld mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht erzeugt; und das Bilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht unter Verwendung der Feldverteilung derart, dass eine Struktur der zweiten Schicht mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs korreliert.
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