公开(公告)号：DE102013222224A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE102013222224

申请日：2013-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BETTINESCHI GABRIELE ,  PEICHL RAIMUND ,  DIETL JOSEF

IPC: H01L29/93 ,  H01L21/328 ,  H01L29/06

Abstract: Ein elektrisches Bauelement enthält ein Halbleitermaterial. Das Halbleitermaterial enthält ein erstes Gebiet des Halbleitermaterials, das einen ersten Leitungstyp aufweist, ein zweites Gebiet des Halbleitermaterials, das einen zweiten Leitungstyp aufweist, der komplementär zum ersten Leitungstyp ist, und ein Zwischengebiet des Halbleitermaterials zwischen dem ersten Gebiet und dem zweiten Gebiet. Das erste und das zweite Gebiet liegen über das Zwischengebiet einander benachbart, um so eine Diodenstruktur zu bilden. Eine Form des Zwischengebiets verjüngt sich vom ersten Gebiet zum zweiten Gebiet.

公开(公告)号：DE10101081B4

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：DE10101081

申请日：2001-01-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  DIETL JOSEF

IPC: H01L29/872 ,  H01L27/092 ,  H01L29/47

Abstract: A Schottky diode has a Schottky junction formed by a thin metal layer and/or metal silicide layer at the top side of a doped well in a semiconductor body or substrate. In contrast to the fabrication of low-impedance contacts on CMOS wells, a metal, to be precise titanium in the preferred embodiment, is applied not to a highly doped contact region but to the lightly doped semiconductor material of the doped well, for example an HV well for the fabrication of high-voltage transistors.

公开(公告)号：DE102015104372A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104372

申请日：2015-03-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIETL JOSEF ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/488 ,  H01L29/861

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Halbleitergehäuse, einen Chipträger und eine Schutzvorrichtung, die über dem Chipträger angeordnet ist. Die Schutzvorrichtung enthält eine erste Wärmeerzeugungszone, die in einem Substrat angeordnet ist. Die erste Wärmeerzeugungszone ist an einer ersten Seite angeordnet, die dem Chipträger zugewandt ist. Eine Lötmittelschicht an der ersten Wärmeerzeugungszone verbindet die Schutzvorrichtung mit dem Chipträger.

公开(公告)号：DE10101081A1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：DE10101081

申请日：2001-01-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  DIETL JOSEF

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L27/092

Abstract: The Schottky diode comprises a Schottky transition which is formed by a thin metal layer (7) and/or a metal silicide layer (10) on the upper side of a doped trough (2) in a semiconductor body or substrate (1). In opposition to the production of low-ohm contacts on CMOS troughs, a metal - titanium in a preferred embodiment is applied to a weakly doped semiconductor material such as an HV trough for the production of high-volt transistors rather than to a highly doped contact area.