公开(公告)号：DE102016120342A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120342

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  SOJKA DAMIAN ,  WERTHMANN HUBERT ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vorrichtung (100) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen eine erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und eine zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, die in einer ersten Halbleiterschicht (102) und in einer zweiten Halbleiterschicht (104) bereitgestellt sind und seitlich nebeneinander angeordnet sind, enthalten, wobei die erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und die zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen durch die erste Halbleiterschicht (102) in einer Reihenanordnung miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：DE102014112864A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112864

申请日：2014-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FISCHER THOMAS ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, einschließlich einer Vorrichtungsregion auf einer ersten Seite des Halbleiterwerkstücks, wobei eine mechanische Stabilität des Halbleiterwerkstücks nicht ausreichend ist, um wenigstens einem Backend-Prozess ohne Beschädigung zu widerstehen (102), und das Aufbringen von wenigstens einer leitfähigen Schicht über einer zweiten Seite des Halbleiterwerkstücks gegenüber der ersten Seite des Halbleiterwerkstücks umfassen, wobei die wenigstens eine leitfähige Schicht die mechanische Stabilität des Halbleiterwerkstücks erhöht, um ausreichend zu sein, dem wenigstens einen Backend-Prozess ohne Beschädigung zu widerstehen (104).

公开(公告)号：DE102016119813A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：DE102016119813

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VENDT VADIM VALENTINOVIC ,  POMPL STEFAN ,  WILLEMEN JOOST ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/332 ,  H01L27/04 ,  H01L29/74

公开(公告)号：DE102007024355B4

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：DE102007024355

申请日：2007-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/74 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102013214483B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102013214483

申请日：2013-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/60 ,  H01J1/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L23/28 ,  H02H9/04

Abstract: Elektronische Vorrichtung, mit:einer ESD-Vorrichtung (10), mit einer Mehrzahl von Feldemissionsvorrichtungen (20), die in einem Substrat (50) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Feldemissionsvorrichtungen (20) parallel zueinander geschaltet sind, und wobei jede der Mehrzahl von Feldemissionsvorrichtungen (20) folgende Merkmale aufweist:ein erstes Emitter/Kollektor-Gebiet (21), welches in dem Substrat (50) angeordnet ist, wobei das erste Emitter/Kollektor-Gebiet (21) eine erste Kante/Spitze aufweist (25),ein zweites Emitter/Kollektor-Gebiet (22), welches in dem Substrat (50) angeordnet ist, wobei das zweite Emitter/Kollektor-Gebiet (22) eine zweite Kante/Spitze (25) aufweist, undeinen hermetisch abgedichteten Zwischenraum (30), welcher die erste Kante/Spitze von der zweiten Kante/Spitze trennt,einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (65), die auf einer ersten Hauptoberfläche des Substrats (50) angeordnet sind, wobei das erste Emitter/Kollektor-Gebiet (21) jeder der Mehrzahl von Feldemissionsvorrichtungen (20) mit einer der ersten Kontaktstellen (65) gekoppelt ist, undeiner gemeinsamen Kontaktstelle (70), die auf einer zweiten, der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden Hauptoberfläche des Substrats (50) angeordnet ist, wobei die zweiten Emitter/Kollektor-Gebiete (22) der Mehrzahl von Feldemissionsvorrichtungen (20) mit der gemeinsamen Kontaktstelle gekoppelt sind.

公开(公告)号：DE102015120417A1

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102015120417

申请日：2015-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

Abstract: Eine vertikal integrierte Halbleitervorrichtung (300) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes umfassen: eine erste halbleitende Schicht; eine zweite halbleitende Schicht, die über der ersten halbleitenden Schicht angeordnet ist; eine dritte halbleitende Schicht, die über der zweiten halbleitenden Schicht angeordnet ist; und eine elektrische Überbrückung (333), die zwischen der ersten hableitenden Schicht und der zweiten halbleitenden Schicht gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102014114294A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014114294

申请日：2014-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FISCHER THOMAS ,  FUERGUT EDWARD ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Eine Anordnung (100) wird bereitgestellt. Die Anordnung (100) kann aufweisen: einen Nacktchip (102), der zumindest ein elektronisches Bauteil (104) und einen ersten Anschluss (106) auf einer ersten Seite (108) des Nacktchips (102) und einen zweiten Anschluss (110) auf einer zweiten Seite (112) des Nacktchips (102) entgegengesetzt zu der ersten Seite (108) aufweist, wobei die erste Seite (108) die Hauptbearbeitungsseite des Nacktchips (102) ist und der Nacktchip (102) ferner zumindest einen dritten Anschluss (114) auf der zweiten Seite (112) aufweist; eine erste elektrisch leitende Struktur (116), die Stromfluss vom dritten Anschluss (114) auf der zweiten Seite (112) des Nacktchips (102) zur ersten Seite (108) durch den Nacktchip (102) bereitstellt; eine zweite elektrisch leitende Struktur (118) auf der ersten Seite (108) des Nacktchips (102), die den zweiten Anschluss (110) seitlich mit der ersten elektrisch leitenden Struktur (116) koppelt; und ein Verkapselungsmaterial (120), das zumindest über der ersten Seite (108) des Nacktchips (102) angeordnet ist, um den ersten Anschluss (106) und die zweite elektrisch leitende Struktur (118) zu bedecken.

公开(公告)号：DE102007024355A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：DE102007024355

申请日：2007-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102017109670B4

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE102017109670

申请日：2017-05-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMENN ANDRE ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50

Abstract: Ein Herstellungsverfahren, das Folgendes aufweist:• Bilden eines Trägerwafers (100) mit einer Mehrzahl an Gräben (102), wobei jeder Graben (102) zumindest teilweise mit einer elektrisch leitfähigen Seitenwandbeschichtung (104) bedeckt ist;• Binden eines Halbleiterwafers (106) auf einer Vorderseite (108) des Trägerwafers (100), so dass jeder von einer Mehrzahl an elektronischen Chips (110) des Halbleiterwafers (106) in Bezug auf einen jeweiligen der Gräben (102) ausgerichtet ist;• Bilden einer elektrisch leitfähigen Verbindungsstruktur (112), die zumindest teilweise eine Lücke zwischen der elektrisch leitfähigen Seitenwandbeschichtung (104) und einem integrierten Schaltkreiselement (114) eines jeweiligen der elektronischen Chips (110) überbrückt;• Vereinzeln der gebundenen Wafer (100, 106) an den Gräben (102) in eine Mehrzahl an Halbleitergeräten (118) mittels Entfernens von Material auf einer, der Vorderseite (108) gegenüberliegenden Rückseite (116) des Trägerwafers (100).

公开(公告)号：DE102016118709B3

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102016118709

申请日：2016-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMENN ANDRE ,  POMPL STEFAN ,  UMMINGER KATHARINA ,  SOJKA DAMIAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schutzvorrichtung vor elektrostatischer Entladung Folgendes aufweisen: eine erste vertikal integrierte Schutzstruktur vor elektrostatischer Entladung, die einen ersten Halbleiterabschnitt, ein erstes Kontaktgebiet, das auf einer ersten Seite des ersten Halbleiterabschnitts angeordnet ist, einen ersten Anschluss, der auf einer zweiten Seite des ersten Halbleiterabschnitts, die der ersten Seite des ersten Halbleiterabschnitts gegenüberliegt, freiliegt, und wenigstens zwei Schutzstrukturelemente vor elektrostatischer Entladung in einer antiparallelen Anordnung aufweist, eine zweite vertikal integrierte Schutzstruktur vor elektrostatischer Entladung, die einen zweiten Halbleiterabschnitt, ein zweites Kontaktgebiet, das auf einer ersten Seite des zweiten Halbleiterabschnitts angeordnet ist, einen zweiten Anschluss, der auf einer zweiten Seite des zweiten Halbleiterabschnitts, die der ersten Seite des zweiten Halbleiterabschnitts gegenüberliegt, freiliegt, und wenigstens zwei Schutzstrukturelemente vor elektrostatischer Entladung in einer antiparallelen Anordnung aufweist, eine Schicht für elektrische Verbindung, wobei die erste vertikal integrierte Schutzstruktur vor elektrostatischer Entladung und die zweite vertikal integrierte Schutzstruktur vor elektrostatischer Entladung auf der Schicht für elektrische Verbindung seitlich voneinander getrennt angeordnet sind und über die Schicht für elektrische Verbindung antiseriell elektrisch miteinander verbunden sind, wobei die Schicht für elektrische Verbindung über wenigstens eine Haftschicht an einen Stützträger montiert ist.