公开(公告)号：DE102010027832B3

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：DE102010027832

申请日：2010-04-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL DR ,  JANSEN UWE

IPC: H03K17/687

Abstract: Beschrieben wird eine Halbleiterschaltanordnung, die aufweist: ein selbstleitendes Halbleiterbauelement (1) eines ersten Leitungstyps; ein selbstsperrendes Halbleiterbauelement (2) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps, dessen Laststrecke in Reihe zu der Laststrecke des ersten Halbleiterbauelements geschaltet ist; eine erste Ansteuerschaltung (3), die zwischen den Steueranschluss (11) des ersten Halbleiterbauelements (1) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbauelement (1, 2) angeordneten Laststreckenanschluss (12) des ersten Halbleiterbauelements (1) geschaltet ist; eine zweite Ansteuerschaltung (4), die zwischen den Steueranschluss (21) des zweiten Halbleiterbauelements (2) und einen zwischen dem ersten und den zweiten Halbleiterbauelement (1, 2) angeordneten Laststreckenanschluss (22) des zweiten Halbleiterbauelements (2) geschaltet ist.

公开(公告)号：DE102011086129A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011086129

申请日：2011-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL DR

IPC: H03K17/567 ,  H01L29/739

Abstract: Es wird eine Schaltungsanordnung offenbart, die folgendes aufweist: einen rückwärtsleitfähigen IGBT (RC-IGBT), der dazu ausgebildet ist, einen Stromfluss eines Laststroms sowohl in eine Vorwärtsrichtung als auch in eine Rückwärtsrichtung zu ermöglichen, wobei der IGBT einen Laststrompfad und eine Gate-Elektrode aufweist; eine Gate-Steuereinheit, die mit der Gate-Elektrode gekoppelt und dazu ausgebildet ist, den IGBT durch Laden bzw. Entladen der Gate-Elektrode zu aktivieren und zu deaktivieren nach Maßgabe eines Gate-Steuersignals; Eine Monitoring-Einheit, die dazu ausgebildet ist zu detektieren, ob der IGBT Strom in Rückwärtsrichtung leitet durch Messen eines Gatestroms, der durch eine Änderung des Spannungsabfalls über den Laststrompfad aufgrund eines Wechsels des IGBT in den rückwärtsleitenden Zustand verursacht wird, wobei die Gate-Steuereinheit weiter dazu ausgebildet ist, den IGBT zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Monitoring-Einheit detektiert, dass der IGBT sich in einem rückwärtsleitenden Zustand befindet.

公开(公告)号：DE102010002627A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：DE102010002627

申请日：2010-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  DOMES DANIEL DR

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine niederinduktive Leistungshalbleiterbaugruppe. Hierbei sind die eingesetzten Halbleiterschalter in einer Hauptstromrichtung hintereinander angeordnet.