公开(公告)号：DE102020114551A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114551

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H10N50/10 ,  G01R33/09 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80

Abstract: Ausführungsbeispiele befassen sich mit magnetoresistiven Sensoren sowie mit entsprechenden Fertigungsverfahren für magnetoresistive Sensoren. Ein Beispiel eines magnetoresistiven Sensors umfasst einen Schichtstapel (100a), wobei der Schichtstapel eine Referenzschicht (10) mit einer festen Referenzmagnetisierung umfasst, wobei die Referenzmagnetisierung eine erste magnetische Orientierung aufweist. Der Schichtstapel umfasst ferner ein magnetisch freies System (30) von mehreren Schichten, wobei das magnetisch freie System eine magnetisch freie Magnetisierung aufweist, wobei die magnetisch freie Magnetisierung in Gegenwart eines externen magnetischen Felds veränderbar ist, und wobei die magnetisch freie Magnetisierung in einem Grundzustand eine zweite magnetische Orientierung aufweist. Das magnetisch freie System weist zwei ferromagnetische Schichten (32; 38) und eine Zwischenschicht (34; 36) auf, wobei die Zwischenschicht zwischen den zwei ferromagnetischen Schichten angeordnet ist und Magnesiumoxid umfasst. Der Schichtstapel umfasst ferner eine Barrierenschicht (20), die zwischen der Referenzschicht und dem magnetisch freien System angeordnet ist und Magnesiumoxid umfasst.

公开(公告)号：DE102023126599A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102023126599

申请日：2023-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EMMERT MICHAEL ,  ZIMMER JÜRGEN ,  ENDRES BERNHARD

IPC: G01R33/09 ,  G01R17/00

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Sensorschaltung (300; 600; 800) umfassend einen ersten Anschluss (110), einen zweiten Anschluss (120) und eine zwischen den ersten Anschluss (110) und den zweiten Anschluss (120) geschaltete Brückenschaltung (130) mit einer Mehrzahl von Brückenwiderständen mit einem jeweiligen Temperaturkoeffizienten. Die Brückenschaltung weist eine Messempfindlichkeit und einen Temperaturkoeffizienten der Messempfindlichkeit und einen Brückenoffset mit einem Temperaturkoeffizienten des Brückenoffsets auf. Die Sensorschaltung umfasst ferner wenigstens einen zwischen den ersten Anschluss (110) und den zweiten Anschluss (120) geschalteten Kompensationswiderstand (140) mit einem Temperaturkoeffizienten, der sich von dem Temperaturkoeffizienten der Brückenwiderstände unterscheidet.

公开(公告)号：DE102024106275A1

公开(公告)日：2024-09-12

申请号：DE102024106275

申请日：2024-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD

IPC: H10N50/85 ,  G01R33/09 ,  H10N50/10

Abstract: Ein Tunnel-Magnetowiderstand-(TMR)-Erfassungselement enthält einen Schichtstapel mit einer Tantal-Nitrid-(TaN)-Schicht; ein Referenzschichtsystem; eine magnetische freie Schicht mit einer magnetisch freien Magnetisierung; und eine Tunnelbarriereschicht, die zwischen dem Referenzschichtsystem und der magnetischen freien Schicht angeordnet ist. Das Referenzschichtsystem enthält eine gepinnte Schicht mit einer festen gepinnten Magnetisierung; eine Referenzschicht mit einer festen Referenzmagnetisierung; eine Kopplungszwischenschicht, die zwischen der gepinnten Schicht und der Referenzschicht angeordnet ist; und eine natürliche antiferromagnetische (NAF) Schicht, die Iridium-Mangan (IrMn) umfasst, wobei die NAF-Schicht in direktem Kontakt mit der TaN-Schicht ausgebildet ist, wobei die NAF-Schicht dazu ausgelegt ist, die feste gepinnte Magnetisierung in einer ersten magnetischen Orientierung zu halten und die feste Referenzmagnetisierung in einer zweiten magnetischen Orientierung zu halten, und wobei der direkte Kontakt der NAF-Schicht mit der TaN-Schicht eine Sperrtemperatur der NAF-Schicht erhöht.

公开(公告)号：DE102023130715A1

公开(公告)日：2025-05-08

申请号：DE102023130715

申请日：2023-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD ,  STRASSER ANDREAS

IPC: H10N50/10 ,  G01R33/09 ,  H10B61/00 ,  H10N50/01

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft einen magnetoresistiven Sensor (300). Der magnetoresistive Sensor (300) umfasst wenigstens ein Sensorelement (100) mit einem Schichtstapel. Der Schichtstapel umfasst eine magnetisch freie Schicht (116) mit einer magnetisch freien Magnetisierung. Eine Messempfindlichkeit des Sensorelements (100) ist temperaturabhängig ist. Der magnetoresistive Sensor (300) umfasst ferner eine Einrichtung (302), die ausgebildet ist, um eine temperaturabhängige mechanische Spannung in der magnetisch freien Schicht (116) zu bewirken. Durch die temperaturabhängige mechanische Spannung kann die Temperaturabhängigkeit der Messempfindlichkeit zumindest teilweise kompensiert werden.

公开(公告)号：DE102024116594A1

公开(公告)日：2024-12-19

申请号：DE102024116594

申请日：2024-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD

IPC: G01R33/09

Abstract: Ein Magnetsensorsystem umfasst einen magnetoresistiven Sensor, der eine magnetische freie Schicht mit einer Erfassungsebene und einer magnetisch-freien Magnetisierung, die innerhalb der Erfassungsebene angeordnet ist, umfasst, wobei die magnetisch-freie Magnetisierung bei Vorhandensein eines Magnetfeldes in der Ebene, das mit der Erfassungsebene ausgerichtet ist, variabel ist; und eine ferromagnetische Scheibe mit einem magnetischen Vortex in einem Grundzustand, wobei der magnetische Vortex ausgebildet ist, auf ein Magnetfeld außerhalb der Ebene zu reagieren und ansprechend darauf, dass das Magnetfeld außerhalb der Ebene an die ferromagnetische Scheibe angelegt wird, ein Streufeld zu erzeugen. Das Streufeld weist eine in der Ebene liegende Magnetfeldkomponente auf, die proportional zu dem Magnetfeld außerhalb der Ebene ist. Die magnetische freie Schicht ist ausgebildet, die in der Ebene liegende Magnetfeldkomponente des Streufeldes zu empfangen. Die magnetisch-freie Magnetisierung ist ausgebildet, sich basierend auf der in der Ebene liegenden Magnetfeldkomponente des Streufeldes zu ändern.

公开(公告)号：DE102023202258A1

公开(公告)日：2024-09-19

申请号：DE102023202258

申请日：2023-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD ,  STRASSER ANDREAS ,  ZIMMER JÜRGEN

IPC: G01R33/09

Abstract: Es wird ein magnetoresistiver Sensor (100) vorgeschlagen, der mindestens ein magnetoresistives Element (110) mit einem Schichtstapel (120) aufweist. Der Schichtstapel (120) weist mindestens einen Free Layer (114) auf, der eine in der Schichtebene veränderliche Magnetisierung aufweist, die in Abhängigkeit der Feldstärke eines parallel zur Schichtebene wirkenden externen Magnetfelds (130) variiert. Der magnetoresistive Sensors (100) weist ferner ein Abschirmelement (140) auf, das eine Vortex-Magnetisierung (141) mit geschlossenem Fluss in der Schichtebene aufweist, wobei das Abschirmelement (140) ausgestaltet ist, um bei Vorhandensein des externen Magnetfelds (130) ein lineares magnetisches Streufeld (150) zu erzeugen, das entgegengesetzt zu dem externen Magnetfeld (130) gerichtet ist.