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1.发明专利
公开(公告)号：DE102016206596A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：DE102016206596
申请日：2016-04-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PRUEGL KLEMENS , RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS , WENDT HERMANN
IPC: H01L43/12 , G01R33/09 , H01L21/321 , H01L43/08
Abstract: Eine magnetoresistive Vorrichtung kann einen magnetoresistiven Stapel und eine Ätzstoppschicht ESL umfassen, die auf dem magnetoresistiven Stapel angeordnet ist. Ein Verfahren zur Herstellung der magnetoresistiven Vorrichtung kann Folgendes umfassen: Abscheiden des magnetoresistiven Stapels, der ESL und einer Maskenschicht auf einem Substrat; Vornehmen eines ersten Ätzprozesses, um einen Abschnitt der Maskenschicht zu ätzen, um einen Abschnitt der ESL freizulegen; und Vornehmen eines zweiten Ätzprozesses, um den freiliegenden Abschnitt der ESL und einen Abschnitt des magnetoresistiven Stapels zu ätzen. Das Verfahren kann ferner umfassen: Abscheiden einer Photoresistschicht auf der Hartmaske vor dem ersten Ätzprozess und Entfernen der Photoresistschicht von der Hartmaske nach dem ersten Ätzprozess. Der erste und zweite Ätzprozess können verschieden sein. Beispielsweise kann der erste Ätzprozess ein reaktiver Ätzprozess sein, und der zweite Ätzprozess kann ein nicht-reaktiver Ätzprozess sein.
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公开(公告)号：DE102015117547A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：DE102015117547
申请日：2015-10-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS
Abstract: Eine magnetoresistive Vorrichtung umfasst eine Vielzahl von magnetoresistiven Sensorelementen. Jedes aus der Vielzahl von magnetoresistiven Sensorelementen umfasst eine freie Schicht und eine Referenzschicht. Die freie Schicht weist einen gerundeten konvexen Umriss mit einem Aspektverhältnis von 2 oder mehr auf.
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公开(公告)号：DE102015108412A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：DE102015108412
申请日：2015-05-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KIEP ANDREAS , STRASSER ANDREAS , WILLKOFER STEFAN
Abstract: Ein integrierter Temperatursensor umfasst eine Sperrschicht, die mindestens zwei leitende Elemente verbindet, wobei die Sperrschicht einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.
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公开(公告)号：DE102012216069A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：DE102012216069
申请日：2012-09-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , PRUEGL KLEMENS , RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf magnetoresistive(MR-)Sensoren, Sensorelemente und Strukturen sowie Verfahren. Insbesondere beziehen sich Ausführungsbeispiele auf MR-, beispielsweise Giant-MR-(GMR-) oder Tunnel-MR-(TMR-)Spinventil-Schichtsysteme und verwandte Sensoren, die eine verbesserte Stabilität aufweisen. Ausführungsbeispiele umfassen zumindest entweder eine mehrschichtige Pinned-Schicht und/oder eine mehrschichtige Referenzschicht, wodurch der Stapel stabiler wird und sich dadurch für eine Verwendung bei höheren Temperaturen und Magnetfeldern eignet als herkömmliche Systeme und Sensoren.
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5.发明专利
公开(公告)号：DE102016204886A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：DE102016204886
申请日：2016-03-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PRÜGL KLEMENS , RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Eine magnetoresistive Einrichtung kann eine erste magnetische Schichtstruktur mit einer ersten Länge, eine Barrierenschicht, die auf der ersten magnetischen Schichtstruktur angeordnet ist, eine zweite magnetische Schichtstruktur, die auf der Barrierenschicht angeordnet ist und eine zweite Länge besitzt, die kleiner ist als die erste Länge, enthalten.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015117547B4
公开(公告)日：2024-11-28
申请号：DE102015117547
申请日：2015-10-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS
Abstract: Magnetbasierte Geschwindigkeitssensorvorrichtung, die Folgendes umfasst:eine Vielzahl von magnetoresistiven Sensorelementen (202) vom Spinventil-Typ,wobei die magnetoresistiven Sensorelemente (202) elektrisch verbunden sind, um eine Geschwindigkeitssensoranordnung zu bilden, indem eine Vielzahl von Gruppen, wobei jede Gruppe mindestens zwei der Sensorelemente (202) enthält, der Sensorelemente (202) in Reihe geschaltet ist, wobei die Sensorelemente (202) innerhalb jeder der Gruppen parallel zueinander geschaltet sind,wobei jedes aus der Vielzahl von magnetoresistiven Sensorelementen (202) eine freie Schicht und eine Referenzschicht umfasst,wobei die freie Schicht jedes magnetoresistiven Sensorelements (202) ein Aspektverhältnis zweier zueinander senkrechter Abmessungen in der Ebene der freien Schicht umfasst, das größer oder gleich 2 ist undwobei die freie Schicht jedes magnetoresistiven Sensorelements (202) einen gerundeten konvexen Umriss umfasst.
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公开(公告)号：DE102020115325A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：DE102020115325
申请日：2020-06-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STELZER PHILIPP , DRUML NORBERT , STEGER CHRISTIAN , STRASSER ANDREAS
Abstract: Ein System zum Treiben einer MEMS (mikroelektromechanisches System)-Oszillationsstruktur umfasst einen Phasenfehlerdetektor, der so konfiguriert ist, dass er ein Phasenfehlersignal basierend auf gemessenen Ereigniszeiten und erwarteten Ereigniszeiten der um eine Drehachse oszillierenden MEMS-Oszillationsstruktur erzeugt; einen Störungsereignisdetektor, der so konfiguriert ist, dass er ein Störungsereignis basierend auf dem Phasenfehlersignal und einem Störungsschwellenwert detektiert; und eine Phasenfrequenzdetektor (PFD)- und Korrekturschaltung, die so konfiguriert ist, dass sie in Antwort auf das detektierte Störungsereignis eine Vielzahl von gemessenen Durchgangsereignissen der um die Drehachse oszillierenden MEMS-Oszillationsstruktur überwacht, ein erstes Kompensationssignal basierend auf mindestens einem ersten gemessenen Durchgangsereignis und einem zweiten gemessenen Durchgangsereignis erzeugt, um eine Frequenz der MEMS-Oszillationsstruktur zu korrigieren, und ein zweites Kompensationssignal basierend auf einem dritten gemessenen Durchgangsereignis erzeugt, um eine Phase der MEMS-Oszillationsstruktur zu korrigieren.
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公开(公告)号：DE102012100027A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：DE102012100027
申请日：2012-01-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAMMER MARKUS , KNOTT BERNHARD , STRASSER ANDREAS , WAHL UWE , WILLKOFER STEFAN
IPC: H01L25/065
Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein Verfahren zur Übertragung eines Signals offenbart. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Halbleiterbauelement einen ersten Halbleiterchip (100), der eine erste Spule (130) aufweist, einen zweiten Halbleiterchip (200), der eine zweite Spule (240), die induktiv mit der ersten Spule (130) gekoppelt ist, aufweist, und eine isolierende Zwischenschicht (270) zwischen dem ersten Halbleiterchip (100) und dem zweiten Halbleiterchip (200) auf.
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公开(公告)号：DE102023130715A1
公开(公告)日：2025-05-08
申请号：DE102023130715
申请日：2023-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ENDRES BERNHARD , STRASSER ANDREAS
Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft einen magnetoresistiven Sensor (300). Der magnetoresistive Sensor (300) umfasst wenigstens ein Sensorelement (100) mit einem Schichtstapel. Der Schichtstapel umfasst eine magnetisch freie Schicht (116) mit einer magnetisch freien Magnetisierung. Eine Messempfindlichkeit des Sensorelements (100) ist temperaturabhängig ist. Der magnetoresistive Sensor (300) umfasst ferner eine Einrichtung (302), die ausgebildet ist, um eine temperaturabhängige mechanische Spannung in der magnetisch freien Schicht (116) zu bewirken. Durch die temperaturabhängige mechanische Spannung kann die Temperaturabhängigkeit der Messempfindlichkeit zumindest teilweise kompensiert werden.
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公开(公告)号：DE102023202258A1
公开(公告)日：2024-09-19
申请号：DE102023202258
申请日：2023-03-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ENDRES BERNHARD , STRASSER ANDREAS , ZIMMER JÜRGEN
IPC: G01R33/09
Abstract: Es wird ein magnetoresistiver Sensor (100) vorgeschlagen, der mindestens ein magnetoresistives Element (110) mit einem Schichtstapel (120) aufweist. Der Schichtstapel (120) weist mindestens einen Free Layer (114) auf, der eine in der Schichtebene veränderliche Magnetisierung aufweist, die in Abhängigkeit der Feldstärke eines parallel zur Schichtebene wirkenden externen Magnetfelds (130) variiert. Der magnetoresistive Sensors (100) weist ferner ein Abschirmelement (140) auf, das eine Vortex-Magnetisierung (141) mit geschlossenem Fluss in der Schichtebene aufweist, wobei das Abschirmelement (140) ausgestaltet ist, um bei Vorhandensein des externen Magnetfelds (130) ein lineares magnetisches Streufeld (150) zu erzeugen, das entgegengesetzt zu dem externen Magnetfeld (130) gerichtet ist.
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