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公开(公告)号:JP2006202469A
公开(公告)日:2006-08-03
申请号:JP2006010481
申请日:2006-01-18
Applicant: Infineon Technologies Ag , Nanya Technology Corp , インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト , ナンヤ テクノロジー コーポレーション
Inventor: FEKIH-ROMDHANE KHALED , LIU SKIP SHIZHEN
IPC: G11C11/409 , G11C11/407
CPC classification number: G11C7/1078 , G11C7/1018 , G11C7/1087 , G11C7/1096
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technology and circuit constitution by which switching operation required for giving and taking of data between a memory array and an external data pad is supported. SOLUTION: In the writing path, switching operation includes a process in which many bits continuously received in a single data pad are latched and assembled. a process in which the bits are re-arranged based on an access mode (e.g. interleave or continuation), and a process in which scramble operation is performed based on chip constitution (e.g. 4 times, 8 times, or 16 times) and an accessed bank position. The same operation (in inverse order) is performed in the reading path. and data read out from a device can be assembled. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
Abstract translation: 要解决的问题:提供支持在存储器阵列和外部数据焊盘之间提供和取出数据所需的切换操作的技术和电路结构。 解决方案:在写入路径中,切换操作包括其中在单个数据焊盘中连续接收的许多位被锁存和组合的处理。 基于访问模式(例如交织或继续)重新排列比特的过程,以及基于芯片构成(例如,4次,8次或16次)进行加扰操作的处理和被访问的 银行头寸。 在读取路径中执行相同的操作(以相反的顺序)。 并且可以组装从设备读出的数据。 版权所有(C)2006,JPO&NCIPI
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公开(公告)号:DE102005054898A1
公开(公告)日:2006-06-01
申请号:DE102005054898
申请日:2005-11-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FEKIH-ROMDHANE KHALED , HOKENMAIER WOLFGANG , HUMMLER KLAUS
Abstract: A method of controlling an internal address counter which provides a count used in accessing a storage cell array to provide increased flexibility in the performance of a test on the array, comprising, rendering a normal overflow condition of the counter modified, thereby enabling alteration of the count provided by the counter in accordance with the requirements of the test being performed on the array.
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公开(公告)号:DE112006000217B4
公开(公告)日:2015-08-06
申请号:DE112006000217
申请日:2006-01-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , NANYA TECHNOLOGY CORP
Inventor: FEKIH-ROMDHANE KHALED , LIU SKIP SHIZHEN
IPC: G11C7/10 , G11C11/407 , G11C11/4093
Abstract: Eine Speichervorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Speicherarray oder mehrere Speicherarrays; eine Mehrzahl von Datenanschlussflächen; und einen Pipeline-Datenweg zum Übertragen von Daten zwischen dem einen oder den mehreren Speicherarrays und der Mehrzahl von Datenanschlussflächen, der eine Anschlussflächenlogik (150) zum Puffern von Datenbits, die sequentiell zwischen den Datenanschlussflächen und einer externen Vorrichtung ausgetauscht werden, eine Umordnungslogik (160) zum Umordnen von Datenbits, die durch die Anschlussflächenlogik empfangen werden oder durch dieselbe ausgegeben werden sollen, wobei die Datenbits zwischen der Anschlussflächenlogik und Umordnungslogik parallel ausgetauscht werden, und eine Verwürfelungslogik (170) zum Verwürfeln von umgeordneten Datenbits vor einem Schreiben derselben zu dem einen oder den mehreren Speicherarrays zumindest teilweise basierend auf physischen Positionen anvisierter Speicherzellen aufweist, was zu logisch benachbarten Speicherzelldatenpositionen führt, die physisch nicht benachbart sind; wobei die Umordnungslogik (160) mit der Anschlussflächenlogik (150) in einer Eingabe/Ausgabe-Pufferstruktur (I/O-Pufferstruktur) des Pipeline-Datenwegs integriert ist und die Verwürfelungslogik (170) in einem getrennten Logikblock integriert ist; und wobei die Anschlussflächenlogik (150) mit einer externen Taktfrequenz betrieben wird und die Umordnungslogik (160) und die Verwürfelungslogik (170) mit einer Kerntaktfrequenz betrieben werden, die niedriger als die externe Taktfrequenz ist.
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公开(公告)号:DE112005003228T5
公开(公告)日:2007-11-08
申请号:DE112005003228
申请日:2005-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FEKIH-ROMDHANE KHALED , PFEIFFER JOHANN
Abstract: A memory circuit comprises a memory and an internal column counter for a read sequence in a compression test mode of the memory. The memory comprises an array of memory cells. The internal column counter is configured to provide a first column address for generating a compression register of expected data to compare to data read from the array of memory cells in response to a first read command, latch a second column address in response to a second read command while the first read command is executing, and provide the second column address for generating the compression register of expected data to compare to data read from the array of memory cells in response to the second read command once execution of the first read command is completed.
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公开(公告)号:DE102006001857A1
公开(公告)日:2006-07-27
申请号:DE102006001857
申请日:2006-01-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , NANYA TECHNOLOGY COOPERATION K
Inventor: FEKIH-ROMDHANE KHALED , LIU SKIP SHIZHEN
IPC: G11C7/10
Abstract: The device has memory arrays, and a logic stage configured in order to arrange data bits on a set of data lines during a writing operation, and to arrange data bits on another set of data lines during a reading operation. An input/output buffer stage exhibits a terminal logic (150), which is configured in order to receive data bits sequentially on data terminals with the data frequency during the writing operation. An independent claim is also included for a method for exchanging a data with a memory device.
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