公开(公告)号：DE102017106202B4

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102017106202

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FRIEDLER SOPHIA

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Ausbilden einer Maske mit einem Muster inerter Strukturen auf einer Seite einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats. Über der ersten Hauptoberfläche wird eine Halbleiterschicht ausgebildet, und das Halbleitersubstrat wird von einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche aus abgedünnt. Danach wird ein lateral an die inerten Strukturen grenzender Halbleiterbereich anisotrop geätzt.

公开(公告)号：DE102017106202A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102017106202

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FRIEDLER SOPHIA

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Ausbilden einer Maske mit einem Muster inerter Strukturen auf einer Seite einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats. Über der ersten Hauptoberfläche wird eine Halbleiterschicht ausgebildet, und das Halbleitersubstrat wird von einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche aus abgedünnt. Danach wird ein lateral an die inerten Strukturen grenzender Halbleiterbereich anisotrop geätzt.