公开(公告)号：DE102019108754A8

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102018112979A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102018112979

申请日：2018-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  EICHINGER BARBARA ,  HELLMUND OLIVER ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MODER IRIS ,  SAENGER ANETTE ,  SOMMER DORIS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76

Abstract: Eine integrierte Schaltungsvorrichtung (101) umfassend einen Chip-Die (110) mit einem ersten Bereich mit einer ersten Dicke, die einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke umgibt, wobei die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist, wobei der Chip-Die (110) eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wenigstens eine passive elektrische Komponente (130), die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im ersten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist, und wenigstens eine aktive elektrische Komponente, die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im zweiten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102017105402A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102017105402

申请日：2017-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ORTNER JÖRG ,  MODER IRIS ,  MURI INGO

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31

Abstract: Ein Belichtungsverfahren beinhaltet ein Projizieren eines Retikelmusters in ein erstes Belichtungsfeld einer Fotoresistschicht, wobei das Retikelmuster erste und zweite Linienmuster an gegenüberliegenden Rändern des Retikelmusters umfasst und wobei zumindest das erste Linienmuster einen Endabschnitt enthält, durch den ein Lichtfluss nach außen abnimmt. Das Retikelmuster wird ferner in ein zweites Belichtungsfeld der Fotoresistschicht projiziert, wobei eine erste, sich verjüngende Projektionszone des Endabschnitts des ersten Linienmusters in dem zweiten Belichtungsfeld eine Projektionsfläche des zweiten Linienmusters in dem ersten Belichtungsfeld überlappt.

公开(公告)号：DE102016109165A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109165

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MURI INGO ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  MODER IRIS ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen umfasst das Bilden einer Mehrzahl von Gräben, die sich von einer ersten lateralen Oberfläche eines Halbleiterwafers in Richtung einer zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers erstrecken. Das Verfahren umfasst ferner das Füllen von zumindest einem Abschnitt der Mehrzahl von Gräben mit Füllmaterial. Das Verfahren umfasst ferner das Dünnen des Halbleiterwafers von der zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers, um einen gedünnten Halbleiterwafer zu bilden. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden einer Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur auf einer Mehrzahl von Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers nach dem Dünnen des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner das Individualisieren der Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers durch Entfernen von zumindest einem Teil des Füllmaterials aus der Mehrzahl von Gräben nach dem Bilden der Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur, um die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen zu erhalten.

公开(公告)号：DE112022005092T5

公开(公告)日：2024-08-08

申请号：DE112022005092

申请日：2022-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  BINTER ALEXANDER CHRISTIAN ,  HUBER MARTIN ,  HÖCHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  MODER IRIS ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers umfasst: Bilden einer oder mehrerer epitaktischer Schichten über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Bilden einer oder mehrerer poröser Schichten in dem Halbleiterwafer oder in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten, wobei der Halbleiterwafer, die eine oder die mehreren epitaktischen Schichten und die eine oder die mehreren porösen Schichten zusammen ein Substrat bilden; Bilden dotierter Bereiche einer Halbleitervorrichtung in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten; und nach dem Bilden der dotierten Bereiche der Halbleitervorrichtung, Trennen eines nicht porösen Teils des Halbleiterwafers von einem Rest des Substrats entlang der einen oder der mehreren porösen Schichten.

公开(公告)号：DE102016120080B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102016120080

申请日：2016-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Bilden (S100) einer Hilfsstruktur (102) an einer ersten Oberfläche (104) eines Halbleiterkörpers (100),Bilden (S110) einer Halbleiterschicht (106) auf dem Halbleiterkörper (100) an der ersten Oberfläche (104),Bilden (S120) von Halbleitervorrichtungselementen (108-110) an der ersten Oberfläche (104), undEntfernen (S130) des Halbleiterkörpers (100) von einer zweiten Oberfläche (105) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (104) wenigstens bis zu einem zu der zweiten Oberfläche (105) ausgerichteten Rand der Hilfsstruktur (102), wobeider Halbleiterkörper (100) von der zweiten Oberfläche (105) durch abrasives Bearbeiten entfernt wird, und das abrasive Bearbeiten unter einem vertikalen Abstand zu dem Rand der Hilfsstruktur (102), ausgerichtet zu der zweiten Oberfläche (105), gestoppt wird, und bei dem der Halbleiterkörper (100) weiter bis zu dem Rand der Hilfsstruktur (102), ausgerichtet zu der zweiten Oberfläche (105), durch einen Ätzprozess entfernt wird.

公开(公告)号：DE102017117469A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102017117469

申请日：2017-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  NEIDHARDT THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden von Gräben, die mit einem Opfermaterial gefüllt sind. Die Gräben erstrecken sich von einer ersten Seite aus in ein Halbleitersubstrat. Eine epitaktische Schicht wird über der ersten Seite des Halbleitersubstrats und den Gräben gebildet. Von einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Halbleitersubstrats aus wird das Opfermaterial in den Gräben entfernt. Die Gräben werden mit einem leitfähigen Material gefüllt.

公开(公告)号：DE102020115687A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE102020115687

申请日：2020-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ERNST FELIX JOHANNES HEINRICH ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird beschrieben. Ein Halbleitersubstrat wird bereitgestellt. Das Halbleitersubstrat umfasst eine Halbleitersubstratschicht und eine Halbleitervorrichtungsschicht. Das Verfahren umfasst das Umwandeln von Bereichen der Halbleitervorrichtungsschicht in Dicing-Bereiche, die durch Ätzen entfernt werden können, und das Entfernen der Halbleitersubstratschicht und der Dicing-Bereiche unter Verwendung von Ätzen.

公开(公告)号：DE102016122217B4

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Substrats (102), das eine erste Seite (102a) und eine zweite Seite (102b) gegenüber der ersten Seite (102a) aufweist,Ausbilden einer vergrabenen Schicht (104) in dem Substrat (102) durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats (102a), undDünnen des Substrats (102) von der zweiten Seite des Substrats (102b) her, wobei die vergrabene Schicht (104) eine feste Verbindung umfasst, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat (102), und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht (104) stoppt,wobei das Ausbilden der vergrabenen Schicht (504) in dem Substrat (102) Folgendes umfasst:Ausbilden mehrerer Gräben (704) in dem Substrat (102);Einarbeiten eines chemischen Elements, das eine höhere Elektronegativität aufweist als das Substrat (102), durch die mehreren Gräben (704) hindurch in das Substrat (102); undAusfüllen der mehreren Gräben (704),wobei das Ausfüllen der mehreren Gräben (704) das partielle Schmelzen des Substrats (102) durch Erwärmen mindestens der ersten Seite des Substrats (102a) umfasst.

公开(公告)号：DE102017120535B4

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：DE102017120535

申请日：2017-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden einer Hilfsmaske (410) mit einer Vielzahl von Maskenöffnungen (415) auf einer Hauptoberfläche (701) eines kristallinen Halbleitersubstrats (700);Ausbilden einer porösen Struktur (780) im Halbleitersubstrat (700), wobei die poröse Struktur (780) eine poröse Schicht (788) in einer Distanz zur Hauptoberfläche (701) und poröse Säulen (789) unterhalb der Maskenöffnungen (415) umfasst, wobei die porösen Säulen (789) von der porösen Schicht (788) in Richtung der Hauptoberfläche (701) vorragen und durch einen nicht porösen Bereich (790) lateral voneinander getrennt sind; undAusbilden einer nicht porösen Vorrichtungsschicht (770) auf dem nicht porösen Bereich (790) und auf den porösen Säulen (789) .