公开(公告)号：DE102015109661A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109661

申请日：2015-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  GANAGONA NAVEEN GOUD

IPC: H01L21/425

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelementes umfasst das Implantieren einer vordefinierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat. Ferner umfasst das Verfahren das Steuern einer Temperatur des Halbleitersubstrats während der Implantation der vordefinierten Dosis von Protonen, sodass die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines Zieltemperaturbereichs für mehr als 70 % einer Implantationsprozesszeit ist, die zum Implantieren der vordefinierten Dosis von Protonen verwendet wird. Der Zieltemperaturbereich reicht von einer unteren Zieltemperaturgrenze zu einer oberen Zieltemperaturgrenze. Ferner ist die untere Zieltemperaturgrenze gleich einer Zieltemperatur minus 30 °C und die obere Zieltemperaturgrenze ist gleich der Zieltemperatur plus 30 °C und die Zieltemperatur ist höher als 80 °C.