公开(公告)号：DE102004028695B3

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004028695

申请日：2004-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KARTAL VELI ,  HERTRICH HELMUT ,  SCHWARZER CHRISTOPH

IPC: G01N27/02 ,  G01N27/22 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/62

Abstract: The semiconductor substrate (100) has a central portion (103) carrying a body zone (41), a source zone (42), a gate electrode (43), an isolation layer (44) and a source electrode (45). There is a rim portion (102) between the central portion and the edge of the substrate (101). A chipping stopper (20) is formed on the surface of the rim portion and there is a break sensor (30) immediately inside it. The break sensor has an isolation layer (31) on the substrate surface, with three electrode layers (32-34) on top. The outer electrode layers have terminals (301,302) connected to a sensor circuit.

公开(公告)号：DE10245046B3

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：DE10245046

申请日：2002-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KAHLMANN FRANK ,  KARTAL VELI ,  KALZ DETLEF ,  HERTRICH HELMUT

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/16 ,  H03K17/695 ,  H03K17/08

公开(公告)号：DE10103919B4

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE10103919

申请日：2001-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELDTKELLER MARTIN ,  HERTRICH HELMUT ,  KEARNEY NOBERT

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02

Abstract: Schaltungsanordnung, die folgende Merkmale aufweist: – einen Leistungstransistor (M), der einen ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) und einen Steueranschluss (G) aufweist, – einen an den Steueranschluss (G) des Leistungstransistors (M) gekoppelten Eingangsanschluss (IN), – eine Schutzschaltung (10), die einen zwischen den Steueranschluss (G) und den zweiten Laststreckenanschluss (S) des Leistungstransistors (M1) geschalteten steuerbaren Widerstand (M1) aufweist, wobei der steuerbare Widerstand (M1) abhängig von einer Temperatur an dem Leistungstransistor (M), einem Strom (Id) durch den Leistungstransistor (M) und einer Spannung (Uds) zwischen dem ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) des Leistungstransistors (M) derart angesteuert ist, dass sich der Widerstandswert des steuerbaren Widerstands (M1) bei steigender Temperatur verringert, bei sinkendem Strom (Id) durch den Leistungstransistor (M) erhöht und bei steigender Spannung (Uds) zwischen dem ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) erhöht.

公开(公告)号：DE10103919A1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：DE10103919

申请日：2001-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELDTKELLER MARTIN ,  HERTRICH HELMUT ,  KEARNEY NOBERT

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/62

Abstract: The circuit device has at least one power transistor (M) coupled at its control terminal (G) to a circuit input (IN) and a protection circuit with a controlled resistance (M1), e.g. a further transistor, coupled between the control terminal and one of the load terminals (D,S) of the power transistor. The controlled resistance is switched in dependence on the temperature of the power transistor, the current through the power transistor and the voltage across the power transistor load terminals. An independent claim for a protection method for a power transistor is also included.