公开(公告)号：DE102011053149B4

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102011053149

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK ,  MEYER-BERG GEORG ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Die-Struktur, aufweisend: einen Die (101); und eine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil das Kupfer aufweist und einen Drahtbondbereich (104) aufweist, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll.

公开(公告)号：DE102013212787B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102013212787

申请日：2013-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAHLMANN FRANK ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist:i. Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (110);ii. Herstellen einer Epitaxieschicht (120) auf dem Halbleitersubstrat (110);iii. Einbringen von Dotierstoffatomen eines ersten Dotierungstyps und von Dotierstoffatomen eines zweiten Dotierungstyps in die Epitaxieschicht (120);iv. Herstellen wenigstens eines Grabens (121) in der Epitaxieschicht;v. Auffüllen des wenigstens einen Grabens (121) mit einem monokristallinen Halbleitermaterial; undvi. Diffundieren von Dotierstoffatomen aus dem umliegenden Halbleitermaterial in das Material, das den wenigstens einen Graben (121) auffüllt.

公开(公告)号：DE102012110188B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102012110188

申请日：2012-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Elektronische Vorrichtung (50), die Folgendes umfasst:einen Halbleiterchip (1) mit einer ersten Hauptfläche (1A), einer zweiten Hauptfläche (1B) und Seitenflächen (1C), die jeweils die erste Hauptfläche (1A) mit der zweiten Hauptfläche (1B) verbinden;eine Zwischendiffusionsverhinderungsschicht (6), die auf der zweiten Hauptfläche (1B) und den Seitenflächen (1C) angeordnet ist und eine oder mehrere Schichten mit Ti oder einer Ti-Legierung umfasst; undeine Metallschicht (2), die auf der Zwischendiffusionsverhinderungsschicht (6) angeordnet ist und einen oberen horizontalen Abschnitt (2A), der über der zweiten Hauptfläche (1B) angeordnet ist, einen vertikalen Abschnitt (2B), der über den Seitenflächen (1C) angeordnet ist, und einen unteren horizontalen Abschnitt (2C), der sich in der Ebene der ersten Hauptfläche (1A) erstreckt, umfasst, wobei der untere horizontale Abschnitt (2C) in einer Form eines Rings geformt ist, der den Halbleiterchip (1) umgibt; und wobeidie Metallschicht (2) eine poröse Struktur aufweist.

公开(公告)号：DE102011053149C5

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102011053149

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK ,  MEYER-BERG GEORG ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Die-Anordnung, aufweisend:einen Die (101); undeine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) aus einem Kupfermaterial besteht, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein mittels Ätzens aufgerautes raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil aus Kupfermaterial besteht und einen Drahtbondbereich (104) aufweist; undeine Drahtbondstruktur (301), die an den Drahtbondbereich (104) der Metallisierungsschicht (102) gebondet ist, wobei die Drahtbondstruktur (301) aus einem anderen Kupfermaterial besteht mit einer geringeren Reinheit als das Kupfermaterial der Metallisierungsschicht (102) und eine Härte besitzt, die größer als die Härte der Metallisierungsschicht (102) ist.

公开(公告)号：DE102011053149A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102011053149

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK ,  MEYER-BERG GEORG ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Die-Struktur weist einen Die und eine Metallisierungsschicht, die auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnet ist, auf. Die Metallisierungsschicht weist Kupfer auf. Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht weist ein raues Oberflächenprofil auf. Der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil weist einen Drahtbondbereich auf, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll.

公开(公告)号：DE102013212787A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102013212787

申请日：2013-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAHLMANN FRANK ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Beschrieben ist ein Halbleiterbauelement mit einem Bauelementgebiet (11), wobei das Bauelementgebiet (11) wenigstens einen Bauelementgebietabschnitt (69–69) aufweist, der Dotierstoffatome eines ersten Dotierungstyps und mit einer ersten Dotierungskonzentration von wenigstens 1E16 cm–3 und Dotierstoffatome eines zweiten Dotierungstyps und mit einer zweiten Dotierungskonzentration von wenigstens 1E16 cm–3 aufweist.

公开(公告)号：DE10232642B4

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：DE10232642

申请日：2002-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD ,  KAHLMANN FRANK ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L27/08 ,  H01F17/00 ,  H01F19/04

Abstract: An integrated transformer for signal transmission comprises a long coil of rectangular cross-section which is electrically isolated from, but adjacent to, a second coil. The ratio between the height and width of the rectangular coil is greater than unity and preferably. more than three.

公开(公告)号：DE102012110188A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：DE102012110188

申请日：2012-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung einer Ausführungsform umfasst einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptfläche, einer zweiten Hauptfläche und Seitenflächen, die jeweils die erste Hauptfläche mit der zweiten Hauptfläche verbinden. Eine Metallschicht ist über der zweiten Hauptfläche und den Seitenflächen angeordnet, wobei die Metallschicht eine poröse Struktur umfasst.

公开(公告)号：DE10232642A1

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE10232642

申请日：2002-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD ,  KAHLMANN FRANK ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01F17/00 ,  H01L27/08

Abstract: An integrated transformer for signal transmission comprises a long coil of rectangular cross-section which is electrically isolated from, but adjacent to, a second coil. The ratio between the height and width of the rectangular coil is greater than unity and preferably. more than three.

公开(公告)号：DE10245046B3

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：DE10245046

申请日：2002-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  KAHLMANN FRANK ,  KARTAL VELI ,  KALZ DETLEF ,  HERTRICH HELMUT

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/16 ,  H03K17/695 ,  H03K17/08