公开(公告)号：DE102017109189A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102017109189

申请日：2017-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WIRTITSCH SANDRA ,  BARUSIC MARIO ,  HARTL ROBERT ,  HINZ ALEKSANDER ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  SCHINNER GEORG

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/441

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (300) zum Bearbeiten eines Halbleiterbereichs, wobei der Halbleiterbereich mindestens ein Präzipitat umfasst, enthalten: Bilden einer Präzipitat-Entfernungsschicht über dem Halbleiterbereich, wobei die Präzipitat-Entfernungsschicht eine Absorptionstemperatur definieren kann, bei der eine chemische Löslichkeit eines Bestandteils des mindestens einen Präzipitats in der Präzipitat-Entfernungsschicht größer ist als in dem Halbleiterbereich (301); und Erhitzen des mindestens einen Präzipitats über die Absorptionstemperatur (303).