公开(公告)号：DE102017113515A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102017109189A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102017109189

申请日：2017-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WIRTITSCH SANDRA ,  BARUSIC MARIO ,  HARTL ROBERT ,  HINZ ALEKSANDER ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  SCHINNER GEORG

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/441

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (300) zum Bearbeiten eines Halbleiterbereichs, wobei der Halbleiterbereich mindestens ein Präzipitat umfasst, enthalten: Bilden einer Präzipitat-Entfernungsschicht über dem Halbleiterbereich, wobei die Präzipitat-Entfernungsschicht eine Absorptionstemperatur definieren kann, bei der eine chemische Löslichkeit eines Bestandteils des mindestens einen Präzipitats in der Präzipitat-Entfernungsschicht größer ist als in dem Halbleiterbereich (301); und Erhitzen des mindestens einen Präzipitats über die Absorptionstemperatur (303).

公开(公告)号：DE102011050934B4

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102011050934

申请日：2011-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Bereitstellen eines Werkstücks (200) mit einer ersten unteren Oberfläche (203) gegenüber einer oberen Oberfläche (202) mit einer an der oberen Oberfläche (202) angeordneten Schaltungsanordnung; und • Aussetzen der ersten unteren Oberfläche (203) des Werkstücks (200) einem Wasserstoffplasma, wobei das Wasserstoffplasma ein natives Oxid von der ersten unteren Oberfläche (203) entfernt, um eine zweite untere Oberfläche des Werkstücks (200) zu exponieren, und wobei ein quadratischer Mittelwert der Oberflächenrauheit der zweiten unteren Oberfläche unter 1 nm liegt, Abscheiden einer ersten Metallschicht (400) über der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200), wodurch auf der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200) eine Metallsilizidschicht (405) ausgebildet wird, wobei die Metallsilizidschicht (405) zwischen der ersten Metallschicht (400) und dem Werkstück (200) ausgebildet wird, • wobei die Metallsilizidschicht (405) eine Dicke von unter fünf Atomlagen aufweist.

公开(公告)号：DE102021118992A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021118992

申请日：2021-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NAPETSCHNIG EVELYN ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  RUPP THOMAS ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  ZISCHANG JULIA ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine direkt auf der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) angeordnete Dielektrikumsschichtstruktur (104). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies eine zumindest teilweise direkt auf der Dielektrikumsschichtstruktur (104) angeordnete Bondingpad-Metallschichtstruktur (106). Eine Schichtdicke (td) der Dielektrikumsschichtstruktur (104) reicht von 1% bis 30% einer Schichtdicke (tw) der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) und die Bondingpad-Metallschichtstruktur (106) sind durch Öffnungen (108) in der Dielektrikumsschichtstruktur (104) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102020114527A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114527

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SAX HARRY ,  GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Chipgehäuse ist bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann Folgendes beinhalten: wenigstens einen Chip, ein freigelegtes Metallgebiet, eine Metallschutzschichtstruktur über dem freigelegten Metallgebiet und zum Schützen des Metallgebiets vor Oxidation eingerichtet, wobei die Schutzschichtstruktur ein niedertemperaturabgeschiedenes Oxid beinhaltet, und eine hydrothermal umgewandelte Metalloxidschicht über der Schutzschichtstruktur.

公开(公告)号：DE102018118544A1

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102018118544

申请日：2018-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEE WEI CHEAT ,  LIM WEI LEE ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  RENNER FRANK ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: Ein Package (100) weist einen elektronischen Chip (102) mit einem Pad (104) auf, wobei das Pad (104) zumindest teilweise mit haftungsverbessernden Strukturen (106) abgedeckt ist und wobei das Pad (104) und die haftungsverbessernden Strukturen (106) mindestens ein chemisches Element, insbesondere Aluminium, gemeinsam haben.

公开(公告)号：DE102017113153B4

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE102017113153

申请日：2017-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MENGEL MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  TEICHMANN KATHARINA ,  WILLE CATHARINA

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Ein elektronisches Gerät (130), das Folgendes aufweist:• ein nackter elektronischer Chip (102) mit einem ersten gesinterten Material (112) auf oder über zumindest einem Teil einer Hauptoberfläche (106) des elektronischen Chips (102), mit einem zweiten gesinterten Material (104') auf oder über zumindest einem Teil des ersten gesinterten Materials (112) und mit einem elektrisch isolierenden Material (110), das einen Teil einer äußeren Oberfläche einer elektronischen Komponente (100), die den elektronischen Chip (102) aufweist, vor dem Sintern bildet und lateral zwischen zwei Abschnitten des ersten gesinterten Materials (112) und des zweiten gesinterten Materials (104') angeordnet ist;• ein Träger (132), auf dem der elektronische Chip (102) durch das zweite gesinterte Material (104') gesintert ist.

公开(公告)号：DE102017113515B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102016109166A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102016109166

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARLOVSKY KAMIL ,  EHMANN MICHAEL ,  HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallschicht, die über einer Halbleiteroberfläche eines Substrats angeordnet ist, eine über der Kontaktmetallschicht angeordnete Diffusionssperrschicht, eine über der Diffusionssperrschicht angeordnete, inerte Schicht und eine über der inerten Schicht angeordnete Lötschicht.

公开(公告)号：DE102011053302A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053302

申请日：2011-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L23/488

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Schichtstapel bereitgestellt. Der Schichtstapel kann aufweisen: einen Träger; ein erstes Metall, das auf oder über dem Träger angeordnet ist; ein zweites Metall, das auf oder über dem ersten Metall angeordnet ist; und ein Lötmaterial, das auf oder über dem zweiten Metall angeordnet ist, oder ein Material, das einen Kontakt bereitstellt zu einem Lötmaterial, das von einer externen Quelle zugeführt wird. Das zweite Metall kann eine Schmelztemperatur von mindestens 1800°C haben und ist während eines Lötprozesses und/oder nach dem Lötprozess nicht oder im Wesentlichen nicht in dem Lötmaterial gelöst.