公开(公告)号：DE102017109189A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102017109189

申请日：2017-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WIRTITSCH SANDRA ,  BARUSIC MARIO ,  HARTL ROBERT ,  HINZ ALEKSANDER ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  SCHINNER GEORG

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/441

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (300) zum Bearbeiten eines Halbleiterbereichs, wobei der Halbleiterbereich mindestens ein Präzipitat umfasst, enthalten: Bilden einer Präzipitat-Entfernungsschicht über dem Halbleiterbereich, wobei die Präzipitat-Entfernungsschicht eine Absorptionstemperatur definieren kann, bei der eine chemische Löslichkeit eines Bestandteils des mindestens einen Präzipitats in der Präzipitat-Entfernungsschicht größer ist als in dem Halbleiterbereich (301); und Erhitzen des mindestens einen Präzipitats über die Absorptionstemperatur (303).

公开(公告)号：DE102017130355A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017130355

申请日：2017-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  BARUSIC MARIO ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von Rekombinationszentrumsatomen in ein Halbleitersubstrat. Das Verfahren umfasst ferner ein Implantieren von Edelgasatomen in eine Dotierungsregion von zumindest einer von einer Diodenstruktur und einer Transistorstruktur nach dem Einbringen der Rekombinationszentrumsatome. Die Dotierungsregion ist an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet.

公开(公告)号：DE102015112265A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015112265

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  MILLONIG HANS ,  HUMBEL OLIVER ,  BARUSIC MARIO ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  BAUER JOSEF-GEORG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren und ein Halbleiterbauelement. Das Verfahren umfasst das Implantieren von Rekombinationszentrumatomen über eine erste Oberfläche in einem Halbleiterkörper; und das Bewirken, dass die implantierten Rekombinationszentrumatome in einem ersten Diffusionsprozess in dem Halbleiterkörper diffundieren.