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公开(公告)号：DE102010064258B4
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：DE102010064258
申请日：2010-12-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZANARDI ALBERTO , SCHEIKL ERICH , ILLING ROBERT , HOPFGARTNER HERBERT
IPC: H01L23/62 , H02H3/08 , H03K17/082
Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterchip umfassend einen Laststrompfad (D-S), welcher einen Laststrom (i) als Reaktion auf ein den Laststromfluss aktivierendes Eingangssignal (S) führt;eine Stromsensoranordnung (10), welche ein Messsignal (S) bereitstellt, das den Laststrom (i) repräsentiert;eine Steuerschaltung (30), die dazu ausgebildet ist, den Laststromfluss nach Maßgabe des Eingangssignals (S) zu aktivieren und zu deaktivieren und den Laststrom (i) auf einen maximalen Stromwert (i) zu begrenzen, undeine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, das Messsignal (S) mit einem ersten Schwellenwert (i), der kleiner als der maximale Stromwert (i) ist, zu vergleichen und eine Überstromabschaltung des Laststromflusses auszulösen, sobald das Messsignal (S) den ersten Schwellenwert (i) nach Ablauf einer Verzögerungszeitspanne (T) überschreitet.
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公开(公告)号：DE102010064258A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：DE102010064258
申请日：2010-12-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZANARDI ALBERTO , SCHEIKL ERICH , ILLING ROBERT , HOPFGARTNER HERBERT
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Funktion zur Überstrom-Detektion offenbart. Gemäß einem Beispiel der Erfindung weist das Bauelement auf: Einen Halbleiterchip umfassend einen Laststrompfad, der einen Laststrom als Reaktion auf ein den Laststromfluss aktivierendes Eingangssignal führt. Eine Stromsensoranordnung stellt ein Messsignal bereit, welches den Laststrom repräsentiert. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, das Messsignal mit einem ersten Schwellwert zu vergleichen und einen Überstrom zu signalisieren wenn das Messsignal den ersten Schwellwert überschreitet nachdem eine Verzögerungszeitspanne beginnend mit der Aktivierung des Laststromflusses abgelaufen ist.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE102010042905B4
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：DE102010042905
申请日：2010-10-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOPFGARTNER HERBERT , ILLING ROBERT , SCHEIKL ERICH , ZANARDI ALBERTO
Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterchip umfassend einen aktiven Bereich; eine Temperatursensoranordnung (10), die ein Messsignal (SdT) bereitstellt, welches von einer Temperatur (T1) in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt, wobei das Messsignal (SdT) einen zeitlichen Anstieg von zeitabhängiger Steilheit aufweist; und eine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, ein Signal (SERR1) bereitzustellen, welches die Steilheit des Anstiegs des Messsignals (SdT) repräsentiert, und die weiter dazu ausgebildet ist, einen fehlerhaften Betriebszustand des Halbleiterbauelements zu signalisieren, wenn die Steilheit des Anstiegs des Messsignals (SdT) größer als ein vordefinierter Schwellenwert ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102010064253A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：DE102010064253
申请日：2010-12-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZANARDI ALBERTO , SCHEIKL ERICH , ILLING ROBERT , HOPFGARTNER HERBERT
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement offenbart. Das Bauelement umfasst einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich. Eine Temperatursensoranordnung stellt ein Messsignal bereit, welches von der Temperatur in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, das Messsignal mit einem ersten Schwellenwert zu vergleichen und eine Übertemperatur zu signalisieren, wenn das Messsignal den ersten Schwellenwert überschreitet. Die Auswerteschaltung ist weiter dazu ausgebildet, die Anzahl der Überschreitungen des ersten Schwellenwerts zu zählen und zu signalisieren, wenn eine maximale Anzahl von Überschreitungen erreicht ist.
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公开(公告)号：DE102010042905A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：DE102010042905
申请日：2010-10-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOPFGARTNER HERBERT , ILLING ROBERT , SCHEIKL ERICH , ZANARDI ALBERTO
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit der Möglichkeit zur Detektion thermisch bedingter Fehler offenbart. Gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein solches Halbleiterbauelement einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich. Es umfasst weiter eine Temperatursensoranordnung, die ein Temperaturmesssignal bereitstellt, das von der Temperatur in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt, wobei das Messsignal einen Anstieg (d.h. einen Gradienten) von zeitabhängiger Steilheit aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst weiter eine Auswerteschaltung, die dazu ausgebildet ist, ein Ausgangssignal zur Verfügung zu stellen, welches die Steilheit des Anstiegs des Messsignals repräsentiert, und die weiter dazu ausgebildet ist, eine Steilheit, die höher als ein vordefinierter Schwellwert ist, zu signalisieren.
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公开(公告)号：DE102015116943B4
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：DE102015116943
申请日：2015-10-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOPFGARTNER HERBERT
IPC: H05B45/3725 , H05B45/54
Abstract: Vorrichtung, die Folgendes umfasst:eine Halbleiterlichtquellen-Treiberschaltung (100, 300; 500;600; 700), die Folgendes umfasst:eine Treiberstromquelle (130; 330; 530) fürHalbleiterlichtquellen, die angeordnet ist, einer Serienhalbleiterlichtquellenkette (110; 310; 510) an einem Serienhalbleiterlichtquellenknoten (N1) einen Halbleiterlichtquellenstrom (ISLS) bereitzustellen, wobei die Serienhalbleiterlichtquellenkette (110; 310; 510) eine Vielzahl von in Serie geschalteten Halbleiterlichtquellen (LD1, LD2, LD3) umfasst;eine Diagnosestromquelle (140; 340; 540), die angeordnet ist,einem Diagnosewiderstand (120; 320; 520) an einem Diagnosewiderstandsknoten (N2) einen Diagnosestrom (IDiag) bereitzustellen; undeine Vergleichsschaltung (150; 350; 550), die eingerichtet ist, einen Vergleich durchzuführen, um eineSerienhalbleiterlichtquellen-Spannung (VSLS) an dem Serienhalbleiterlichtquellenknoten (N1) mit einer Diagnosespannung (VDiag) an dem Diagnosewiderstandsknoten (N2) zu vergleichen und ein Statussignal (Status) basierend auf einem Ergebnis zumindest des Vergleichs auszugeben,sodass das Statussignal (Status) zumindest teilweise darauf basiert, ob ein Fehlerzustand in derSerienhalbleiterlichtquellenkette (110; 310; 510) vorliegt.
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公开(公告)号：DE102010064253B4
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：DE102010064253
申请日：2010-12-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZANARDI ALBERTO , SCHEIKL ERICH , ILLING ROBERT , HOPFGARTNER HERBERT
Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterchip umfassend einen aktiven Bereich, der durch einen Laststrompfad eines im Halbleiterchip integrierten Halbleiterschalters (T) gebildet wird;eine Temperatursensoranordnung (10), die ein Messsignal (S) abhängig von einer Temperatur (T) in oder nahe dem aktiven Bereich bereitstellt;eine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, das Messsignal (S) mit einem ersten Schwellenwert zu vergleichen und eine Übertemperatur zu signalisieren, wenn das Messsignal (S) den ersten Schwellenwert überschreitet, und die weiter dazu ausgebildet ist, die Anzahl der Überschreitungen des ersten Schwellenwerts zu zählen und zu signalisieren, wenn eine maximale Anzahl von Überschreitungen erreicht ist; undeine Steuerschaltung (30), die dazu ausgebildet ist:ein Treibersignal (VG) zu generieren, um den Schaltzustand des Halbleiterschalters (Ts) nach Maßgabe eines Eingangssignals (IN) einzustellen,den Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, solange die Auswerteschaltung (20) eine Übertemperatur signalisiert, undden Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Auswerteschaltung (20) signalisiert, dass die maximale Anzahl von Überschreitungen des ersten Schwellenwerts erreicht ist.
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公开(公告)号：DE102015116943A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：DE102015116943
申请日：2015-10-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOPFGARTNER HERBERT
IPC: H05B37/03
Abstract: Beschrieben sind Verfahren und Schaltungen, wobei eine SLS-Treiberschaltung eine SLS-Treiberstromquelle umfasst, die angeordnet sein kann, einer Serien-SLS-Kette an einem Serien-SLS-Knoten einen SLS-Strom bereitzustellen. Die Serien-SLS-Kette kann eine Vielzahl von in Serie geschalteten SLS umfassen. Die SLS-Treiberschaltung umfasst auch eine Diagnosestromquelle, die angeordnet ist, einem Diagnosewiderstand an einem Diagnosewiderstandsknoten einen Diagnosestrom bereitzustellen. Die Serien-SLS-Kette umfasst auch eine Vergleichsschaltung, die angeordnet sein kann, eine Serien-SLS-Spannung an dem Serien-SLS-Knoten mit einer Diagnosespannung an dem Diagnosewiderstandsknoten zu vergleichen und ein Statussignal basierend auf einem Ergebnis des Vergleichs auszugeben, sodass das Statussignal zumindest teilweise darauf basiert, ob in der Serien-SLS-Kette ein Fehlerzustand vorliegt.
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