公开(公告)号：DE10217611B4

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：DE10217611

申请日：2002-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHEIKL ERICH

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/695

公开(公告)号：DE102010064258B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102010064258

申请日：2010-12-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZANARDI ALBERTO ,  SCHEIKL ERICH ,  ILLING ROBERT ,  HOPFGARTNER HERBERT

IPC: H01L23/62 ,  H02H3/08 ,  H03K17/082

Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterchip umfassend einen Laststrompfad (D-S), welcher einen Laststrom (i) als Reaktion auf ein den Laststromfluss aktivierendes Eingangssignal (S) führt;eine Stromsensoranordnung (10), welche ein Messsignal (S) bereitstellt, das den Laststrom (i) repräsentiert;eine Steuerschaltung (30), die dazu ausgebildet ist, den Laststromfluss nach Maßgabe des Eingangssignals (S) zu aktivieren und zu deaktivieren und den Laststrom (i) auf einen maximalen Stromwert (i) zu begrenzen, undeine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, das Messsignal (S) mit einem ersten Schwellenwert (i), der kleiner als der maximale Stromwert (i) ist, zu vergleichen und eine Überstromabschaltung des Laststromflusses auszulösen, sobald das Messsignal (S) den ersten Schwellenwert (i) nach Ablauf einer Verzögerungszeitspanne (T) überschreitet.

公开(公告)号：DE102010064258A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102010064258

申请日：2010-12-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZANARDI ALBERTO ,  SCHEIKL ERICH ,  ILLING ROBERT ,  HOPFGARTNER HERBERT

IPC: H01L23/62 ,  H02H3/08

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Funktion zur Überstrom-Detektion offenbart. Gemäß einem Beispiel der Erfindung weist das Bauelement auf: Einen Halbleiterchip umfassend einen Laststrompfad, der einen Laststrom als Reaktion auf ein den Laststromfluss aktivierendes Eingangssignal führt. Eine Stromsensoranordnung stellt ein Messsignal bereit, welches den Laststrom repräsentiert. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, das Messsignal mit einem ersten Schwellwert zu vergleichen und einen Überstrom zu signalisieren wenn das Messsignal den ersten Schwellwert überschreitet nachdem eine Verzögerungszeitspanne beginnend mit der Aktivierung des Laststromflusses abgelaufen ist.

公开(公告)号：DE102010064253B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102010064253

申请日：2010-12-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZANARDI ALBERTO ,  SCHEIKL ERICH ,  ILLING ROBERT ,  HOPFGARTNER HERBERT

IPC: H01L23/62 ,  H02H5/04

Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterchip umfassend einen aktiven Bereich, der durch einen Laststrompfad eines im Halbleiterchip integrierten Halbleiterschalters (T) gebildet wird;eine Temperatursensoranordnung (10), die ein Messsignal (S) abhängig von einer Temperatur (T) in oder nahe dem aktiven Bereich bereitstellt;eine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, das Messsignal (S) mit einem ersten Schwellenwert zu vergleichen und eine Übertemperatur zu signalisieren, wenn das Messsignal (S) den ersten Schwellenwert überschreitet, und die weiter dazu ausgebildet ist, die Anzahl der Überschreitungen des ersten Schwellenwerts zu zählen und zu signalisieren, wenn eine maximale Anzahl von Überschreitungen erreicht ist; undeine Steuerschaltung (30), die dazu ausgebildet ist:ein Treibersignal (VG) zu generieren, um den Schaltzustand des Halbleiterschalters (Ts) nach Maßgabe eines Eingangssignals (IN) einzustellen,den Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, solange die Auswerteschaltung (20) eine Übertemperatur signalisiert, undden Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Auswerteschaltung (20) signalisiert, dass die maximale Anzahl von Überschreitungen des ersten Schwellenwerts erreicht ist.

公开(公告)号：DE102008036114A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：DE102008036114

申请日：2008-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHEIKL ERICH ,  ZITTA HEINZ

IPC: H03K17/695

Abstract: An apparatus, comprising a transistor having a source/drain node and a gate, and a circuit coupled between the source/drain node and the gate and configured to limit a voltage between the source/drain node and the gate to a clamping voltage such that the clamping voltage is reduced in response to a rising temperature of the transistor. Also, a method, comprising measuring a first temperature, measuring a second temperature, and reducing a clamped voltage between a source/drain node of a transistor and a gate of the transistor responsive to a difference between the first and second temperatures increasing.

公开(公告)号：DE102010042905B4

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102010042905

申请日：2010-10-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOPFGARTNER HERBERT ,  ILLING ROBERT ,  SCHEIKL ERICH ,  ZANARDI ALBERTO

IPC: H01L23/62 ,  G01K3/10 ,  G01K7/01 ,  G01K7/42 ,  H01L23/34 ,  H01L27/06 ,  H02H5/04 ,  H03K17/08

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterchip umfassend einen aktiven Bereich; eine Temperatursensoranordnung (10), die ein Messsignal (SdT) bereitstellt, welches von einer Temperatur (T1) in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt, wobei das Messsignal (SdT) einen zeitlichen Anstieg von zeitabhängiger Steilheit aufweist; und eine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, ein Signal (SERR1) bereitzustellen, welches die Steilheit des Anstiegs des Messsignals (SdT) repräsentiert, und die weiter dazu ausgebildet ist, einen fehlerhaften Betriebszustand des Halbleiterbauelements zu signalisieren, wenn die Steilheit des Anstiegs des Messsignals (SdT) größer als ein vordefinierter Schwellenwert ist.

公开(公告)号：DE102008051074B4

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102008051074

申请日：2008-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHEIKL ERICH ,  ZANARDI ALBERTO

IPC: G01R31/00 ,  H02H3/08 ,  H03K17/08

Abstract: Verfahren zum Überwachen einer durch einen Leistungshalbleiterschalter (M1) angesteuerten Last (L), das aufweist: Ansteuern einer Steuerelektrode (G) des Leistungshalbleiterschalters (M1), derart dass nach einer Verzögerungszeit (tD) ein Anstieg des Laststromes (IOUT) durch den Leistungshalbleiterschalter (M1) erfolgt; Erzeugen eines durch die Last (L) fließenden Diagnosestroms (IDIAG), der einen Spannungsabfall (VOUT) über der Last (L) bewirkt bevor die Verzögerungszeit (tD) abgelaufen ist nach dem Ansteuern der Steuerelektrode (G); Auswerten des Spannungsabfalls (VOUT) über der Last (L) nach dem Ansteuern der Steuerelektrode (G) jedoch bevor die Verzögerungszeit (tD) abgelaufen ist.

公开(公告)号：DE102010064253A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102010064253

申请日：2010-12-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZANARDI ALBERTO ,  SCHEIKL ERICH ,  ILLING ROBERT ,  HOPFGARTNER HERBERT

IPC: H01L23/62 ,  H02H5/04

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement offenbart. Das Bauelement umfasst einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich. Eine Temperatursensoranordnung stellt ein Messsignal bereit, welches von der Temperatur in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, das Messsignal mit einem ersten Schwellenwert zu vergleichen und eine Übertemperatur zu signalisieren, wenn das Messsignal den ersten Schwellenwert überschreitet. Die Auswerteschaltung ist weiter dazu ausgebildet, die Anzahl der Überschreitungen des ersten Schwellenwerts zu zählen und zu signalisieren, wenn eine maximale Anzahl von Überschreitungen erreicht ist.

公开(公告)号：DE102010042905A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：DE102010042905

申请日：2010-10-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOPFGARTNER HERBERT ,  ILLING ROBERT ,  SCHEIKL ERICH ,  ZANARDI ALBERTO

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/01 ,  G01K7/42 ,  H01L27/06 ,  H02H5/04 ,  H03K17/08

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit der Möglichkeit zur Detektion thermisch bedingter Fehler offenbart. Gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein solches Halbleiterbauelement einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich. Es umfasst weiter eine Temperatursensoranordnung, die ein Temperaturmesssignal bereitstellt, das von der Temperatur in oder nahe dem aktiven Bereich abhängt, wobei das Messsignal einen Anstieg (d.h. einen Gradienten) von zeitabhängiger Steilheit aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst weiter eine Auswerteschaltung, die dazu ausgebildet ist, ein Ausgangssignal zur Verfügung zu stellen, welches die Steilheit des Anstiegs des Messsignals repräsentiert, und die weiter dazu ausgebildet ist, eine Steilheit, die höher als ein vordefinierter Schwellwert ist, zu signalisieren.

公开(公告)号：DE102008051074A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：DE102008051074

申请日：2008-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHEIKL ERICH ,  ZANARDI ALBERTO

IPC: G01R31/00 ,  H02H3/08

Abstract: A method and an apparatus for monitoring a load driven by a power semiconductor switch. The method may comprise, for example: driving a control electrode of the power semiconductor switch, in such a way that a rise in the load current through the power semiconductor switch is effected after a delay time; generating a diagnostic current flowing through the load, wherein the diagnostic current brings about a voltage drop across the load before the delay time has elapsed; and evaluating the voltage drop across the load before the delay time has elapsed.