Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switch with a good balance between intermodulation characteristics and current consumption.SOLUTION: A high-frequency switching circuit comprises a first high-frequency switching transistor 710a, and a second high-frequency switching transistor 710b. A second channel terminal 716a of the first high-frequency switching transistor 710a is coupled to a potential node 730 via a channel resistor 720. A second channel terminal 716b of the second high-frequency switching transistor 710b is coupled to the potential node 730. The high-frequency switching circuit is configured to selectively keep the potential node 730 either at a predetermined potential or in a floating state.
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cellular phone having a high-frequency switching circuit having good balance between intermodulation characteristics and current consumption. SOLUTION: The high-frequency switching circuit 100 includes a high-frequency switching transistor 110. In the high-frequency switching circuit, a high-frequency signal-path extends via a channel-path of the high-frequency switching transistor. The high-frequency switching circuit includes a control circuit 120. The control circuit 120 applies at least two different bias potentials to a substrate 130 of the high-frequency switching transistor, depending on a control signal 140 received by the control circuit. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single pole multi throw switch configured to improve a drawback of high insertion loss and a drawback of a large number of discrete components and external constituent components. SOLUTION: The single pole multi throw switch includes a first switching unit, a second switching unit coupled to a common port, having a parasitic off-state electrostatic capacitance, and a matching unit. The matching unit may be coupled between the first switching unit and the common port, in which the matching unit is configured to contribute, in conjunction with the parasitic off-state electrostatic capacitance of the second switching unit, to impedance matching in the case the first switching unit is active and the second switching unit is inactive. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switching circuit for obtaining highly accurate impedance matching over a wide range frequency band. SOLUTION: The high-frequency switching element 110 has a first channel terminal 120 and a second channel terminal 130, wherein a high-frequency signal 140 is switchably routed via a channel path 150 between the first channel terminal and the second channel terminal. The high-frequency switching circuit 100 further includes a power detection circuit 160. The power detection circuit is configured to obtain a first measurement signal 170 from the first channel terminal and a second measurement signal 180 from the second channel terminal, and to combine the first measurement signal and the second measurement signal to derive, on the basis of both the first measurement signal and the second measurement signal, a power signal 190 describing a power value of the high-frequency signal routed via the channel path of the high-frequency switching element. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a switching time by switching for a parallel connection to a switching resistor until a voltage in a control terminal of a switching transistor reaches a predetermined value, and by reducing a resistance connected to the control terminal of the switching transistor without reducing a gate capacitance of the switching transistor. SOLUTION: A switch 10 includes a switching transistor 12, a switching resistor R, connected between a control terminal 14 of the switching transistor and a switching control terminal 16, and an accelerating element 18. The accelerating element includes a resistance smaller than a resistance of the switching resistor, the accelerating element being adapted to be connected in parallel to the switching resistor upon switching of the switching transistor until a voltage at the control terminal of the switching transistor has reached a predetermined value. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
Abstract:
Antennenschalter aufweisend: ein erstes Schaltnetz (232) eingerichtet zum Betrieb in einem ersten Frequenzbereich, wobei der erste Frequenzbereich eine erste Frequenz enthält, wobei das erste Schaltnetz (232) eine Mehrzahl von ersten Anschlüssen für Frequenzbänder in dem ersten Frequenzbereich und einen zweiten Anschluss aufweist, wobei ein jeweiliger erster Schalter (208, 210, 212) zwischen jeden ersten Anschluss und den zweiten Anschluss geschaltet ist; ein zweites Schaltnetz (230) eingerichtet zum Betrieb in einem zweiten Frequenzbereich, wobei der zweite Frequenzbereich frequenzmäßig höher als der erste Frequenzbereich ist, wobei das zweite Schaltnetz (230) eine Mehrzahl von ersten Anschlüssen für Frequenzbänder in dem zweiten Frequenzbereich und einen zweiten Anschluss aufweist, wobei ein jeweiliger zweiter Schalter (202, 204, 206) zwischen jeden ersten Anschluss und den zweiten Anschluss geschaltet ist; einen Ausgangsanschluss eingerichtet zur Ankopplung an eine Antenne; ein erstes, zwischen den zweiten Anschluss des ersten Schaltnetzes (232) und den Ausgangsanschluss gekoppeltes Filter (216; 318), wobei das erste Filter (216; 318) ein Durchlassband aufweisend den ersten Frequenzbereich und ein Sperrband aufweisend eine zweite Frequenz aufweist, die eine Oberwelle der ersten Frequenz ist; und ein zweites, zwischen den zweiten Anschluss des zweiten Schaltnetzes (230) und den Ausgangsanschluss gekoppeltes Filter (214; 316), wobei das zweite Filter (214; 316) ein Durchlassband aufweisend den zweiten Frequenzbereich und ein Sperrband aufweisend die erste Frequenz aufweist.
Abstract:
Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Betreiben eines Richtkopplers ein Bestimmen einer gekoppelten Leistungsvariation durch ein Anwenden eines Eingangssignals an einem Eingangsanschluss des Richtkopplers, ein Anwenden einer ersten Impedanz an einem Sendeanschluss des Richtkopplers, ein Messen einer ersten gekoppelten Leistung an einem gekoppelten Anschluss des Richtkopplers nach dem Anwenden der ersten Impedanz, ein Anwenden einer zweiten Impedanz an dem Sendeanschluss des Richtkopplers, ein Messen einer zweiten gekoppelten Leistung nach dem Anwenden der zweiten Impedanz und ein Bestimmen einer Differenz zwischen der ersten gekoppelten Leistung und der zweiten gekoppelten Leistung, um die gekoppelte Leistungsvariation zu bilden.
Abstract:
Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Schaltung eine Stromerfassungsschaltung, umfassend einen Stromeingangsanschluss, der mit einem Eingangsport verbunden ist, einen Stromausgangsanschluss, der mit einem Übertragungsport verbunden ist, und einen Stromerfassungsausgangsanschluss, der eingerichtet ist, ein Stromerfassungssignal proportional zu einem Strom bereitzustellen, der zwischen dem Stromeingangsanschluss und dem Stromausgangsanschluss fließt. Die Schaltung umfasst ferner eine Spannungserfassungsschaltung, die einen Spannungseingangsanschluss, der mit dem Übertragungsport verbunden ist, und einen Spannungserfassungsausgangsanschluss umfasst, der eingerichtet ist, ein Spannungserfassungssignal bereitzustellen, das proportional zu einer Spannung im Übertragungsport ist. Eine Kombinationsschaltung umfasst einen ersten Eingang, der mit dem Stromerfassungsausgangsanschluss verbunden ist, einen zweiten Eingang, der mit dem Spannungserfassungsausgangsanschluss verbunden ist, und einen kombinierten Ausgangsknoten, der mit einem Ausgangsport verbunden ist.
Abstract:
Schaltung (130; 200, 230, 240, 250; 300, 320), umfassend:einen rauscharmen Verstärkertransistor (124), der in einer ersten integrierten Schaltung (142; 204, 234, 244, 254; 304) angeordnet ist;einen einpoligen Wechselschalter (108), der auf einer zweiten integrierten Schaltung (102; 232; 242; 302, 322) angeordnet ist, wobei der einpolige Wechselschalter (108) mehrere Moduleingangsanschlüsse (RFIN1...RFINn) an einen Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) koppelt; undeinen Umgehungsschalter (112; 214), der zwischen den Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) und einen Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) gekoppelt ist, wobei der Umgehungsschalter (112; 214) einen ersten Schalter (208), der zwischen den Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) und einen Zwischenknoten gekoppelt ist, einen zweiten Schalter (206), der zwischen den Zwischenknoten und den Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) gekoppelt ist, und einen dritten Schalter (210), der zwischen den Zwischenknoten und einen ersten Referenzknoten gekoppelt ist, umfasst, wobei die erste integrierte Schaltung (142; 204, 234, 244, 254; 304) und die zweite integrierte Schaltung (102; 232; 242; 302, 322) auf einem Substrat angeordnet sind.
Abstract:
Gemäß einer Ausführungsform weist ein System einen Audioverstärker auf, der so konfiguriert ist, dass er über einen parallelen Schwingkreis mit einem Anschluss einer Lautsprecherspule verbunden ist, sowie einen Hochfrequenzverstärker (HF-Verstärker), der konfiguriert ist, ein HF-Signal auf einer ersten HF-Sendefrequenz zu senden. Der Anschluss der Lautsprecherspule ist so konfiguriert, dass er mit einer Lautsprecherspule verbunden ist, und der parallele Schwingkreis hat eine Resonanzfrequenz, die ungefähr der ersten HF-Sendefrequenz entspricht.