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公开(公告)号：DE102015100385A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：DE102015100385
申请日：2015-01-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAKALSKI WINFRIED , ILKOV NIKOLAY , KEHRER DANIEL , SIMBÜRGER WERNER , SOLOMKO VALENTYN
IPC: H03H11/02
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Schaltung eine Stromerfassungsschaltung, umfassend einen Stromeingangsanschluss, der mit einem Eingangsport verbunden ist, einen Stromausgangsanschluss, der mit einem Übertragungsport verbunden ist, und einen Stromerfassungsausgangsanschluss, der eingerichtet ist, ein Stromerfassungssignal proportional zu einem Strom bereitzustellen, der zwischen dem Stromeingangsanschluss und dem Stromausgangsanschluss fließt. Die Schaltung umfasst ferner eine Spannungserfassungsschaltung, die einen Spannungseingangsanschluss, der mit dem Übertragungsport verbunden ist, und einen Spannungserfassungsausgangsanschluss umfasst, der eingerichtet ist, ein Spannungserfassungssignal bereitzustellen, das proportional zu einer Spannung im Übertragungsport ist. Eine Kombinationsschaltung umfasst einen ersten Eingang, der mit dem Stromerfassungsausgangsanschluss verbunden ist, einen zweiten Eingang, der mit dem Spannungserfassungsausgangsanschluss verbunden ist, und einen kombinierten Ausgangsknoten, der mit einem Ausgangsport verbunden ist.
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公开(公告)号：DE102014106485A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：DE102014106485
申请日：2014-05-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEER GOTTFRIED , KEHRER DANIEL , MAIER DOMINIC , WACHTER ULRICH
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen kann eine Gehäuseanordnung vorgesehen sein. Die Gehäuseanordnung kann wenigstens einen Chip (202) aufweisen. Die Gehäuseanordnung kann weiterhin Einkapselungsmaterial (204) aufweisen, das den Chip (202) wenigstens teilweise einkapselt. Die Gehäuseanordnung kann auch eine Umverdrahtungsstruktur (206) über einer ersten Seite (208a) des Chips (202) aufweisen. Die Gehäuseanordnung kann weiterhin eine Metallstruktur (210) über einer zweiten Seite (208b) des Chips (202) aufweisen. Die zweite Seite (208b) kann der ersten Seite (208a) gegenüberliegen. Die Gehäuseanordnung kann zusätzlich eine Halbleiterstruktur und/oder eine elektrisch leitende Kunststoffmaterialstruktur (212) mit elektrischer Kopplung zur Umverdrahtungsstruktur (206) und Metallstruktur (210) zur Bildung eines Strompfads zwischen der Umverdrahtungsstruktur (206) und der Metallstruktur (210) aufweisen.
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公开(公告)号：DE10239824A1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：DE10239824
申请日：2002-08-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KEHRER DANIEL , WOHLMUTH HANS-DIETER , KIENMAYER CHRISTOPH
IPC: H03K17/691 , H03K17/693 , H03K5/135
Abstract: An integrated circuit (100) with a multiplexer comprises a data circuit with input (101,106) and an output (124) connections, a clock signal circuit with at least one input (136) and a transformer (111) configured to galvanically couple the data and clock circuits. The clock signal controls the data signal circuit.
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公开(公告)号：DE102015120961B4
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：DE102015120961
申请日：2015-12-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ILKOV NIKOLAY , KEHRER DANIEL , OLIVEIRA PAULO
Abstract: Schaltung (130; 200, 230, 240, 250; 300, 320), umfassend:einen rauscharmen Verstärkertransistor (124), der in einer ersten integrierten Schaltung (142; 204, 234, 244, 254; 304) angeordnet ist;einen einpoligen Wechselschalter (108), der auf einer zweiten integrierten Schaltung (102; 232; 242; 302, 322) angeordnet ist, wobei der einpolige Wechselschalter (108) mehrere Moduleingangsanschlüsse (RFIN1...RFINn) an einen Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) koppelt; undeinen Umgehungsschalter (112; 214), der zwischen den Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) und einen Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) gekoppelt ist, wobei der Umgehungsschalter (112; 214) einen ersten Schalter (208), der zwischen den Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) und einen Zwischenknoten gekoppelt ist, einen zweiten Schalter (206), der zwischen den Zwischenknoten und den Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors (124) gekoppelt ist, und einen dritten Schalter (210), der zwischen den Zwischenknoten und einen ersten Referenzknoten gekoppelt ist, umfasst, wobei die erste integrierte Schaltung (142; 204, 234, 244, 254; 304) und die zweite integrierte Schaltung (102; 232; 242; 302, 322) auf einem Substrat angeordnet sind.
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公开(公告)号：DE102015105705B4
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：DE102015105705
申请日：2015-04-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KEHRER DANIEL
IPC: H04B1/40
Abstract: Schaltungsgehäuse (106), das Folgendes umfasst: eine programmierbare Schaltkomponente (102), die Folgendes umfasst:eine Mehrzahl von Eingangsanschlüssen (IL1-ILm; IL0-IL11), die auf der programmierbaren Schaltkomponente (102) angeordnet ist,eine Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen (CL1-CLn), die auf der programmierbaren Schaltkomponente (102) angeordnet ist, und eingerichtet ist, mit einer Mehrzahl von Verstärkern (192, 194, 196) gekoppelt zu werden, undeine Mehrzahl von Schaltern (SW0-SW23), wobei jeder Schalter der Mehrzahl von Schaltern (SW0-SW23) zwischen einem Eingangsanschluss der Mehrzahl von Eingangsanschlüssen (IL1-ILm; IL0-IL11) und einem Ausgangsanschluss der Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen (CL1-CLn) gekoppelt ist,wobei jeder Schalter der Mehrzahl von Schaltern (SW0-SW23) einen Hochfrequenzschalter umfasst und eingerichtet ist, ein Hochfrequenzsignal beim geschlossenen Zustand durchzugeben, undwobei jeder Eingangsanschluss der Mehrzahl von Eingangsanschlüssen (IL1-ILm; IL0-IL11) mit zwei Schaltern der Mehrzahl von Schaltern (SW0-SW23) gekoppelt ist,wobei das Schaltungsgehäuse (106) ferner Folgendes umfasst:einen rauscharmen Verstärker (192) für ein unteres Frequenzband, der mit einer ersten Teilmenge der Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen (CL1-CLn) gekoppelt ist,einen rauscharmen Verstärker (194) für ein mittleres Frequenzband, der mit einer zweiten Teilmenge der Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen (CL1-CLn) gekoppelt ist, undeinen rauscharmen Verstärker (196) für ein oberes Frequenzband, der mit einer dritten Teilmenge der Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen (CL1-CLn) gekoppelt ist,wobei über die Schaltkomponente (102) jeder der rauscharmen Verstärker (192, 194, 196) nur mit einer echten Teilmenge der Eingangsanschlüsse koppelbar ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102013213463A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：DE102013213463
申请日：2013-07-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KEHRER DANIEL , OLIVEIRA PAULO
IPC: H03F1/26
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält ein rauscharmer Verstärker (LNA) einen Transistor und einen Transformator, der eine zwischen einer LNA-Eingangsklemme und einem Kontrollknoten des Transistors gekoppelte erste Wicklung und eine magnetisch an die erste Wicklung und zwischen einem Bezugsknoten des Transistors und einer LNA-Bezugsklemme gekoppelte zweite Wicklung umfasst. Ein Ausgang des LNAs ist an einen Ausgangsknoten des Transistors gekoppelt.
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公开(公告)号：DE102005042310A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：DE102005042310
申请日：2005-09-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KEHRER DANIEL , WOHLMUTH HANS-DIETER
IPC: H03K19/094 , H03K3/356 , H03K19/096 , H03K19/20
Abstract: CMOS circuit system has a logic gate circuit for supplying output signal of a specified logic function and logic gate circuit has several field effect transistors. The system has receiving circuit for reception of the output signal provided by the logic gate circuit of the logic function and a part of the receiving circuit is formed by field effect transistors of the logic gate circuit. The receiving circuit is electrically coupled with the retaining circuit to retain the logic gate circuit and receiving circuit receives output signal from the logic function.
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公开(公告)号：DE10231638A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：DE10231638
申请日：2002-07-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KEHRER DANIEL , KNAPP HERBERT
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公开(公告)号：DE102012223188B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE102012223188
申请日：2012-12-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JUNG KAI , KEHRER DANIEL
Abstract: Hochfrequenz(HF)-Vorstufe für ein Funkgerät, eingerichtet zum Empfangen eines HF-Signals mit einer ersten Frequenz, wobei die HF-Vorstufe Folgendes aufweist: einen Antennenanschluss, eingerichtet zur Ankopplung an eine Antenne; ein Kerbfilter (204, 206, 410) mit einem an den Antennenanschluss angekoppelten Eingang, wobei das Kerbfilter (204, 206, 410) eingerichtet ist zum Unterdrücken einer oder mehrerer Frequenzen, wobei die erste Frequenz eine Oberwelle oder ein Intermodulationsverzerrungsprodukt der einen oder mehreren Frequenzen ist; und ein piezoelektrisches Filter (208) mit einem an einen Ausgang des Kerbfilters (204, 206, 410) angekoppelten Eingang und einem Ausgang, eingerichtet zur Ankopplung an einen HF-Verstärker (214, 414), wobei das piezoelektrische Filter (208) ein Passband aufweist, das die erste Frequenz aufweist, wobei das Kerbfilter (204, 206, 410) ein Konzentriertes-Element-Kerbfilter (204, 206, 410) aufweist, wobei das Konzentriertes-Element-Kerbfilter (204, 206, 410) einen ersten, in Reihe zwischen den Antennenanschluss und den Eingang des piezoelektrischen Filters (208) gekoppelten LC-Parallelschwingkreis (204) aufweist, wobei das Konzentriertes-Element-Kerbfilter (204, 206, 410) weiterhin einen zwischen den Eingang des piezoelektrischen Filters (208) und eine Bezugsspannung gekoppelten LC-Reihenschwingkreis (206) aufweist, und wobei der erste LC-Parallelschwingkreis (204) ein erstes, an den Antennenanschluss angekoppeltes Ende und ein zweites, an den Eingang des piezoelektrischen Filters (208) angekoppeltes Ende aufweist, und der LC-Reihenschwingkreis (206) zwischen das zweite Ende des ersten LC-Parallelschwingkreises (204) und die Bezugsspannung gekoppelt ist.
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公开(公告)号：DE102015120961A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：DE102015120961
申请日：2015-12-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ILKOV NIKOLAY , KEHRER DANIEL , OLIVEIRA PAULO
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält eine Schaltung einen rauscharmen Verstärkertransistor, der auf einer ersten integrierten Schaltung angeordnet ist, einen einpoligen Wechselschalter (Single Pole Multi Throw, SPMT), der auf einer zweiten integrierten Schaltung angeordnet ist, und einen Umgehungsschalter, der zwischen einem Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und einem Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors gekoppelt ist. Der SPMT-Schalter koppelt mehrere Moduleingangsanschlüsse an einen Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und der Umgehungsschalter enthält einen ersten Schalter, der zwischen dem Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und einem Zwischenknoten gekoppelt ist, einen zweiten Schalter, der zwischen dem Zwischenknoten und dem Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors gekoppelt ist, und einen dritten Schalter, der zwischen dem Zwischenknoten und einem ersten Referenzknoten gekoppelt ist. Die erste integrierte Schaltung und die zweite integrierte Schaltung sind auf einem Substrat angeordnet.
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