公开(公告)号：DE102015103318A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102015103318

申请日：2015-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HECHT CHRISTIAN ,  KABAKOW ANDRE ,  RUPP ROLAND ,  KONRATH JENS PETER

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, eine Kontaktelektrode auf der ersten Oberfläche und eine Passivierungsschicht auf der ersten Oberfläche auf, welche benachbart zu der Kontaktelektrode angeordnet ist und mit der Kontaktelektrode überlappt. Die Passivierungsschicht weist einen Schichtstapel auf mit einer ersten Schicht, die ein Oxid auf der ersten Oberfläche aufweist, und mit einer zweiten Schicht, die ein Nitrid auf der ersten Schicht aufweist.