公开(公告)号：DE102018120734B4

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：DE102018120734

申请日：2018-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  LEENDERTZ CASPAR ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/60 ,  H10D62/832

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), die aufweist:einen SiC-Halbleiterkörper (102);ein Gatedielektrikum (104) und eine Gateelektrode (106);einen ersten Graben (108), der sich von einer ersten Oberfläche (110) des SiC-Halbleiterkörpers (102) in den SiC-Halbleiterkörper (102) erstreckt;ein Übergangsmaterial (112) im ersten Graben (108), wobei das Übergangsmaterial (112) und der Halbleiterkörper (102) eine Diode ausbilden; undein Driftgebiet (138) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein erstes Stromausbreitungsgebiet (140) des ersten Leitfähigkeitstyps, das zwischen einem Bodygebiet (122) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und dem Driftgebiet (138) angeordnet ist, wobei eine Dotierungskonzentration des ersten Stromausbreitungsgebiets (140) größer als eine Dotierungskonzentration des Driftgebiets (138) ist.

公开(公告)号：DE102018133433A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018133433

申请日：2018-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  HECHT CHRISTIAN ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/32 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Siliziumcarbid-Körper (100), der einen ersten Abschnitt (171) und einen zweiten Abschnitt (172) enthält. Der erste Abschnitt (171) ist dem zweiten Abschnitt (172) benachbart gelegen. Ein Driftgebiet (130) ist in den ersten und zweiten Abschnitten (171, 172) ausgebildet. Ein Gitterdefektgebiet (190) ist in einem Bereich des Driftgebiets (130) in dem zweiten Abschnitt (172) gelegen und ist in zumindest einem Bereich des ersten Abschnitts (171) nicht vorhanden. In dem Gitterdefektgebiet (190) ist eine Dichte von Gitterdefekten (199), welche Zwischengitteratome und Leerstellen umfassen, zumindest zweimal so hoch wie in einem Bereich des Driftgebiets (130) außerhalb des Gitterdefektgebiets (190).

公开(公告)号：DE102017100109A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017100109

申请日：2017-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  DRAGHICI MIHAI ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (40) mit einer Vorderseite (101) und umfassend, in einem vertikalen Querschnitt senkrecht zu der Vorderseite (101), ein erstes Siliciumcarbidgebiet (1, 1d), zwei zweite Siliciumcarbidgebiete (2), die durch das erste Siliciumcarbidgebiet (1, 1d) voneinander beabstandet sind, zwei Kontaktgebiete (12) und eine Barriereschicht (11). Eine erste Metallisierung (10) umfassend Kupfer ist auf der Vorderseite (101) angeordnet. Jedes der beiden zweiten Siliciumcarbidgebiete (2) bildet einen jeweiligen p-n-Übergang (14) mit dem ersten Siliciumcarbidgebiet (1, 1d) aus. Jedes der beiden Kontaktgebiete (12) bildet einen ohmschen Kontakt mit einem der beiden zweiten Siliciumcarbidgebiete (2) aus. Die Barriereschicht (11) stellt eine wirkungsvolle Diffusionsbarriere für Kupfer bereit, ist zwischen der ersten Metallisierung (10) und den beiden Kontaktgebieten (12), in ohmscher Verbindung mit der ersten Metallisierung (10) und den beiden Kontaktgebieten (12), angeordnet und bildet einen Schottky-Übergang (15) mit dem ersten Siliciumcarbidgebiet (1d) aus.

公开(公告)号：DE102016101670A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101670

申请日：2016-01-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden einer Oxidschicht auf einem Halbleitersubstrat. Ein erster Abschnitt der Oxidschicht bildet ein Gateoxid einer Transistorstruktur. Das Verfahren umfasst ferner einer Ersetzen oder Modifizieren eines zweiten Abschnitts der Oxidschicht, um eine Kontaminationsbarrierenschichtstruktur zu erhalten, die Phosphor umfasst. Die Kontaminationsbarrierenschichtstruktur befindet sich in einer Distanz von weniger als 10 μm von dem ersten Abschnitt der Oxidschicht.

公开(公告)号：DE102014118768A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102014118768

申请日：2014-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/40

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Bereitstellen eines Wafers (410), der eine erste Halbleiterschicht (1) aufweist, das Bilden einer Kontaktschicht (10’), die ein metallisches chemisches Element umfasst, an der ersten Halbleiterschicht (1) und das Implantieren von Ionen eines ersten chemischen Elements, das ein anderes ist als das metallische chemische Element, in die Kontaktschicht (10’).

公开(公告)号：DE102015102735B4

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102015102735

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KONRATH JENS PETER

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20

Abstract: Eine Halbleitersubstratanordnung (100) umfassend:einen Trägerwafer (110);eine Mehrzahl von Halbleitersubstratstücken (120), die an einer Vorderseite des Trägerwafers (110) fixiert sind, wobei der Trägerwafer (110) eine Mehrzahl von Gräben (1050) an der Vorderseite aufweist,wobei benachbarte Gräben (1050) aus der Mehrzahl von Gräben (1050) eine Distanz zueinander von weniger als einer maximalen lateralen Abmessung der Halbleitersubstratstücke (120) aus der Mehrzahl von Halbleitersubstratstücken (120) aufweisen.

公开(公告)号：DE102014116631B4

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102014116631

申请日：2014-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Junction-Feldeffekttransistorzelle (TC) mit einem Oberseiten-Gatebereich (150), einem lateralen Kanalbereich (115), einem teilweise vergrabenen Gatebereich (140) und einem Sourcebereich (110),wobei der Oberseiten-Gatebereich (150) direkt entlang einer ersten Oberfläche (101) eines Hableiterkörpers (100) ausgebildet ist,wobei der laterale Kanalbereich (115) zwischen dem Oberseiten-Gatebereich (150) und dem teilweise vergrabenen Gatebereich (140) längs einer vertikalen Richtung bezüglich einer der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist,wobei der laterale Kanalbereich (115) wenigstens zwei erste Zonen (115a) eines ersten Leitfähigkeitstyps und wenigstens eine zweite Zone (115b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst und die ersten und die wenigstens eine zweite Zone (115a, 115b) sich längs der vertikalen Richtung abwechseln,wobei der laterale Kanalbereich (115) eine erste Verbindungszone (115c) des ersten Leitfähigkeitstyps in der vertikalen Projektion des Sourcebereichs (110) aufweist, undwobei die erste Verbindungszone (115c) benachbart und im direkten Kontakt mit den ersten Zonen (115a) und mit dem Sourcebereich (110) ist.

公开(公告)号：DE102019121859B3

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE102019121859

申请日：2019-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ZIPPELIUS BERND ,  BASLER THOMAS ,  PETERS DETHARD ,  NIU SHIQIN ,  HELL MICHAEL ,  ELLINGHAUS PAUL ,  SCHRAML KONRAD ,  KONRATH JENS PETER ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält eine streifenförmige Graben-Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) erstreckt. Die Gatestruktur (150) weist eine Gatelänge (L0) entlang einer lateralen ersten Richtung (291) auf. Eine Bodenfläche (158) und eine aktive erste Gate-Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) sind über eine erste Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) verbunden. Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner zumindest ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Abschirmgebiet (160) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist über zumindest 20 % der Gatelänge mit der ersten Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102018120734A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018120734

申请日：2018-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  LEENDERTZ CASPAR ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen SiC-Halbleiterkörper (102), ein Gatedielektrikum (104) und eine Gateelektrode (106). Ein erster Graben (108) erstreckt sich von einer ersten Oberfläche (110) des SiC-Halbleiterkörpers (102) in den SiC-Halbleiterkörper (102). Ein Übergangsmaterial (112) ist im ersten Graben (108), wobei das Übergangsmaterial (112) und der Halbleiterkörper (102) eine Diode ausbilden.

公开(公告)号：DE102016106967A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102016106967

申请日：2016-04-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Gate-Graben von zumindest einer Transistorstruktur, der sich in ein Halbleitersubstrat erstreckt. Der Gate-Graben umfasst zumindest eine Seitenwand, die einen schrägen Abschnitt aufweist, der benachbart zu einem Boden des Gate-Grabens angeordnet ist. Ein Winkel zwischen dem schrägen Abschnitt und dem Boden des Grabens liegt zwischen 110° und 160°. Eine laterale Abmessung des schrägen Abschnitts ist größer als 50 nm.