公开(公告)号：DE102017103620B4

公开(公告)日：2022-01-05

申请号：DE102017103620

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  PIRK SOENKE ,  KAISER ANNA-KATHARINA ,  STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA

IPC: H01L23/485 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/283 ,  H04R19/04

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend:eine strukturierte Metallschicht (110), wobei die strukturierte Metallschicht (110) über einem Halbleitersubstrat (120) liegt, und wobei eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm beträgt;eine Abdeckschicht (130), wobei die Abdeckschicht (130) benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110) liegt, und wobei die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid umfasst; undeine Bond-Struktur in Kontakt mit der strukturierten Metallschicht (110).

公开(公告)号：DE102017103620A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102017103620

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  PIRK SOENKE ,  KAISER ANNA-KATHARINA ,  STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA

IPC: H01L23/485 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/283 ,  H04R19/04

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine strukturierte Metallschicht (110). Die strukturierte Metallschicht (110) liegt über einem Halbleitersubstrat (120). Zudem beträgt eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm. Ferner umfasst die Halbleitervorrichtung (100) eine Abdeckschicht (130). Die Abdeckschicht (130) liegt benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110). Zudem umfasst die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid.