-
公开(公告)号：DE102015108608A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：DE102015108608
申请日：2015-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JOSHI RAVI KESHAV , KAHN MARKUS , KÜNLE MATTHIAS , SCHMIDT GERHARD , SPORN MARTIN , STEINBRENNER JÜRGEN
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterwafer umfassen: einen Halbleiterkörper, der eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst; und zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht, die zumindest über oder in der integrierten Schaltungsstruktur ausgebildet ist, wobei die zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht einen Stoffmengenanteil von sp3-hybridisiertem Kohlenstoff von mehr als etwa 0,4 und einen Stoffmengenanteil von Wasserstoff von weniger als etwa 0,1 umfassen kann.
-
公开(公告)号：DE102016111909B4
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：DE102016111909
申请日：2016-06-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FRISCHMUTH TOBIAS , SCHMID ULRICH , SCHNEIDER MICHAEL , GRILLE THOMAS , MAURER DANIEL , HEDENIG URSULA , KAHN MARKUS , DENIFL GÜNTER
Abstract: Mikromechanische Struktur, die Folgendes umfasst:ein Substrat (102); undeine funktionale Struktur (104), die an dem Substrat (102) angeordnet ist;wobei die funktionale Struktur (104) einen funktionalen Bereich (104r) umfasst, der in Bezug auf das Substrat (102) in Reaktion auf eine Kraft, die auf den funktionalen Bereich (104r) wirkt, ablenkbar ist;wobei der funktionale Bereich (104r) ein Grundmaterial umfasst;wobei in wenigstens einem Abschnitt (106) des funktionalen Bereichs (104r) das Grundmaterial mit Fremdatomen dotiert ist, so dass ein Elastizitätsmodul und/oder eine mechanische Härte in dem wenigstens einen Abschnitt (106) niedriger ist im Vergleich zu einem Elastizitätsmodul und einer mechanischen Härte in einem weiteren Abschnitt (108) des funktionalen Bereichs (104r), der nicht mit den Fremdatomen oder weniger als der wenigstens eine Abschnitt (106) dotiert ist,wobei der funktionale Bereich (104r) einen seitlichen Gradienten in dem Elastizitätsmodul und/oder der mechanischen Härte zwischen dem wenigstens einen Abschnitt (106) und dem weiteren Abschnitt (108) aufweist, undwobei die Fremdatome wenigstens eines aus den folgenden Materialien umfassen: Phosphor, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff, Bor, Fluor, Gallium, Germanium, Arsen.
-
公开(公告)号：DE102016208356A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：DE102016208356
申请日：2016-05-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DENIFL GUENTER , FRISCHMUTH TOBIAS , GRILLE THOMAS , HEDENIG URSULA , IRSIGLER PETER , KAHN MARKUS , MAURER DANIEL , SCHMID ULRICH , SCHNEIDER MICHAEL
Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionale Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionale Struktur umfasst einen Funktionsbereich, der mit Bezug auf das Substrat als Reaktion auf eine Kraft, die auf den Funktionsbereich wirkt, verformbar ist. Die funktionale Struktur umfasst eine Kohlenstoffschichtanordnung, wobei ein Basismaterial der Kohlenstoffschichtanordnung ein Kohlenstoffmaterial ist.
-
公开(公告)号：DE102016109610A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：DE102016109610
申请日：2016-05-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAHN MARKUS , KOCH PHILIPP SEBASTIAN , MAIER CHRISTIAN , SCHMIDT GERHARD , STEINBRENNER JÜRGEN
IPC: C23C16/02 , C23C14/02 , C23C16/26 , H01L21/3065 , H01L21/314
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten einer Halbleiterschicht Folgendes enthalten: Erzeugen eines Ätzplasmas in einer Plasmakammer einer entfernten Plasmaquelle, wobei die Plasmakammer der entfernten Plasmaquelle mit einer Bearbeitungskammer zum Bearbeiten der Halbleiterschicht gekoppelt ist (110); Einführen des Ätzplasmas in die Bearbeitungskammer, um eine natürliche Oxidschicht von einer Oberfläche der Halbleiterschicht und höchstens eine vernachlässigbare Menge von Halbleitermaterial der Halbleiterschicht zu entfernen (120); und nachfolgend Aufbringen einer dielektrischen Schicht direkt auf die Oberfläche der Halbleiterschicht (130).
-
公开(公告)号：DE102015213756A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：DE102015213756
申请日：2015-07-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DENIFL GUENTER , FRISCHMUTH TOBIAS , GRILLE THOMAS , HEDENIG URSULA , IRSIGLER PETER , KAHN MARKUS , MAURER DANIEL , SCHMID ULRICH
Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionelle Struktur weist ein funktionelles Gebiet auf das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, ausgelenkt zu werden. Die funktionelle Struktur umfasst eine leitfähige Basisschicht und eine funktionelle Struktur, welche eine Versteifungsstruktur mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht in dem funktionellen Gebiet nur teilweise bedeckt. Das Versteifungsstrukturmaterial umfasst ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102013104048A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：DE102013104048
申请日：2013-04-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DENIFL GUENTER , KAHN MARKUS , STRANZL GUDRUN , ZGAGA MARTIN
IPC: H01L21/301 , H01L21/768 , H01L21/78
Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden von Öffnungen (60) in einem Substrat (10). Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden eines Dummyfüllmaterials (70) innerhalb der Öffnungen (60) und das Dünnen des Substrats (10), um das Dummyfüllmaterial (70) freizulegen. Das Dummyfüllmaterial (70) wird entfernt.
-
公开(公告)号：DE102017103620B4
公开(公告)日：2022-01-05
申请号：DE102017103620
申请日：2017-02-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAHN MARKUS , STEINBRENNER JÜRGEN , PIRK SOENKE , KAISER ANNA-KATHARINA , STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA
IPC: H01L23/485 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/283 , H04R19/04
Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend:eine strukturierte Metallschicht (110), wobei die strukturierte Metallschicht (110) über einem Halbleitersubstrat (120) liegt, und wobei eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm beträgt;eine Abdeckschicht (130), wobei die Abdeckschicht (130) benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110) liegt, und wobei die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid umfasst; undeine Bond-Struktur in Kontakt mit der strukturierten Metallschicht (110).
-
公开(公告)号：DE102015213757A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：DE102015213757
申请日：2015-07-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DENIFL GUENTER , FRISCHMUTH TOBIAS , GRILLE THOMAS , HEDENIG URSULA , IRSIGLER PETER , KAHN MARKUS , MAURER DANIEL , SCHMID ULRICH
Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionelle Struktur umfasst ein funktionelles Gebiet, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist. Die funktionelle Struktur umfasst ferner eine leitfähige Basisschicht, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist. Die leitfähige Basisschicht umfasst sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff Material, so dass eine Kohlenstoff Konzentration des Kohlenstoff Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion.
-
公开(公告)号：DE102015108216A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：DE102015108216
申请日：2015-05-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAHN MARKUS , SCHÖNHERR HELMUT , STEINBRENNER JÜRGEN
IPC: H01L21/302 , C23C16/42 , H01L21/31
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen ist ein Verfahren (400) zur Beschichtung eines Werkstücks vorgesehen. Das Verfahren (400) kann Trocknen eines Werkstücks (420) umfassen, wobei das Werkstück mit mindestens einer Oxidschicht als einer obersten Schicht beschichtet ist; wobei eine dielektrische Schicht über die oberste Schicht des getrockneten Werkstücks abgelagert wird (430); wobei das Werkstück während des Trocknungsprozesses und während des Ablagerungsprozesses fortwährend einem unter dem atmosphärischen Druck liegenden Druck ausgesetzt wird.
-
公开(公告)号：DE102014106339A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：DE102014106339
申请日：2014-05-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DENIFL GÜNTER , GRILLE THOMAS , HEDENIG URSULA , HIRSCHLER JOACHIM , KAHN MARKUS , KÜNLE MATTHIAS , MAURER DANIEL , MÖNNICH ROLAND , SCHÖNHERR HELMUT
Abstract: Kohlenstoffschichten mit reduziertem Wasserstoffgehalt können durch Auswahl entsprechender Verarbeitungsparameter mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung abgeschieden werden. Solche Kohlenstoffschichten können einer Hochtemperaturbearbeitung unterzogen werden, ohne eine übermäßige Schrumpfung zu zeigen.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.022 seconds)
