公开(公告)号：DE102014216777B4

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102014216777

申请日：2014-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  GLACER CHRISTOPH ,  PIRK SOENKE

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Vorrichtung (10), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Hohlraums (18; 18_1-18_4) innerhalb einer Schicht (12), die zu einer Opferschicht (14) benachbart ist, wobei der Hohlraum (18; 18_1-18_4) sich zu der Opferschicht (14) erstreckt und wobei ein Umfang des Hohlraums (18; 18_1-18_4) einen Kapillarschlitz (24) umfasst, der in die Schicht (12) hineinragt, wobei der Kapillarschlitz (24) dazu ausgelegt ist, um bei einer Befeuchtung des Hohlraums (18; 18_1-18_4) mit einem Ätzmittel (20) eine Kapillarkraft auf das Ätzmittel (20) an der Oberfläche zu erzeugen; undAbtragen der Opferschicht (14), indem die Opferschicht (14) einem Ätzmittel (20) ausgesetzt wird, das durch den Hohlraum (18; 18 1-18 4) eingeführt wird, wobei bei der Befeuchtung des Hohlraums (18; 18_1-18_4) mit dem Ätzmittel (20) die durch den Kapillarschlitz (24) auf das Ätzmittel (20) an der Oberfläche erzeugte Kapillarkraft zu einer Kraft führt, die das Ätzmittel (20) in den Hohlraum (18; 18_1-18_4) zieht.

公开(公告)号：DE102017103620B4

公开(公告)日：2022-01-05

申请号：DE102017103620

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  PIRK SOENKE ,  KAISER ANNA-KATHARINA ,  STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA

IPC: H01L23/485 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/283 ,  H04R19/04

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend:eine strukturierte Metallschicht (110), wobei die strukturierte Metallschicht (110) über einem Halbleitersubstrat (120) liegt, und wobei eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm beträgt;eine Abdeckschicht (130), wobei die Abdeckschicht (130) benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110) liegt, und wobei die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid umfasst; undeine Bond-Struktur in Kontakt mit der strukturierten Metallschicht (110).

公开(公告)号：DE102014216777A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102014216777

申请日：2014-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  GLACER CHRISTOPH ,  PIRK SOENKE

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Vorrichtung umfasst ein Bereitstellen eines Hohlraums innerhalb einer Schicht, die zu einer Opferschicht benachbart ist. Der Hohlraum erstreckt sich zu der Opferschicht und umfasst einen Kapillarschlitz, der in die Schicht ragt. Die Opferschicht wird abgetragen, indem die Opferschicht einem Ätzmittel ausgesetzt wird, das durch den Hohlraum eingeführt wird.

公开(公告)号：DE102015101894B4

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE102015101894

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen mehrerer Mikrofonstrukturen, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Bereitstellen (S2) eines Substrats (12), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich (18) und einen äußeren Bereich (20) aufweist, der den inneren Bereich (18) seitlich umgibt, wobei der innere Bereich (18) mehrere Mikrofonbereiche (16) aufweist, wobei jeder Mikrofonbereich (16) für eine Mikrofonstruktur von den mehreren Mikrofonstrukturen bereitgestellt wird,Bilden (S4) mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofonstrukturen in den Mikrofonbereichen (16) auf der Vorderseite des Substrats (12),Bilden (S8) einer Aussparung von der Rückseite des Substrats (12), wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich (18) seitlich überlappt,Bilden einer Maske (36) auf einem Boden der Aussparung,Bilden (S10) mehrerer Hohlräume (14) mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens in dem Boden der Aussparung mittels der Maske (36), wobei jeder Hohlraum (14) von den mehreren Hohlräumen (14) in einem der Mikrofonbereiche (16) gebildet wird (S10) und jeder Hohlraum (14) der mehreren Hohlräume (14) durch das gesamte Substrat (12) hindurch mittels der Maske (36) gebildet wird, so dass eine Ätzstoppschicht (17) freigelegt wird, welche den jeweiligen Hohlraum (14) bedeckt;Bearbeiten der mehreren Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum der mehreren Hohlräume (14) aufweist, undTrennen (S12) der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander.

公开(公告)号：DE102017103620A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102017103620

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  PIRK SOENKE ,  KAISER ANNA-KATHARINA ,  STRÄUSSNIGG JULIA-MAGDALENA

IPC: H01L23/485 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/283 ,  H04R19/04

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine strukturierte Metallschicht (110). Die strukturierte Metallschicht (110) liegt über einem Halbleitersubstrat (120). Zudem beträgt eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm. Ferner umfasst die Halbleitervorrichtung (100) eine Abdeckschicht (130). Die Abdeckschicht (130) liegt benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110). Zudem umfasst die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid.

公开(公告)号：DE102015101894A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101894

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Herstellung von Mikrofonstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren kann Folgendes aufweisen: Bereitstellen eines Substrats, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich und einen äußeren Bereich aufweist, der den inneren Bereich seitlich umgibt, wobei der innere Bereich mehrere Mikrofonbereiche aufweist, wobei jedes Mikrofon für ein Mikrofon von den mehreren Mikrofonen bereitgestellt wird (S2); Bilden mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofone in den Mikrofonbereichen auf der Vorderseite des Substrats (S4); Bilden einer Aussparung von der Rückseite des Substrats, wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich seitlich überlappt (S8); Bilden mehrerer Hohlräume in einem Boden der Aussparung, wobei jeder Hohlraum von den mehreren Hohlräumen in einem der Mikrofonbereiche gebildet wird (S10); Bearbeiten der Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum aufweist; und Trennen der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander (S12).