公开(公告)号：DE102018212436A8

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018212436

申请日：2018-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  HONG TAO ,  LASSMANN MATTHIAS ,  KARCZEWSKI TINO

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L25/07

公开(公告)号：DE102018212436A1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：DE102018212436

申请日：2018-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  HONG TAO ,  LASSMANN MATTHIAS ,  KARCZEWSKI TINO

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitergehäuse mit doppelseitiger Kühlstruktur umfasst ein oberes elektrisch leitfähiges Element, das eine nach außen freiliegende Metalloberfläche aufweist, ein unteres Trägersubstrat, das eine obere elektrisch leitfähige Schicht, eine untere elektrisch leitfähige Schicht mit einer nach außen freiliegenden Oberfläche und eine zwischen der oberen und unteren elektrisch leitfähigen Schicht angeordnete elektrische Isolierschicht aufweist, einen ersten elektrisch leitfähigen Abstandshalter, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und der oberen elektrisch leitfähigen Schicht angeordnet ist, mindestens einen Leistungshalbleiterchip, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und der oberen elektrisch leitfähigen Schicht angeordnet ist, einen zweiten elektrisch leitfähigen Abstandshalter, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und dem Leistungshalbleiterchip angeordnet ist und einen ersten, zweiten und dritten Leistungsanschluss, die entlang einer ersten Seite des Halbleitergehäuses angeordnet sind, wobei der zweite Leistungsanschluss zwischen dem ersten und dem dritten Leistungsanschluss angeordnet ist und wobei der erste und der dritte Leistungsanschluss zum Anlegen einer ersten Versorgungsspannung ausgebildet sind und wobei der zweite Leistungsanschluss zum Anlegen einer zweiten Versorgungsspannung ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102019104730A1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE102019104730

申请日：2019-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  KARCZEWSKI TINO ,  SCHEFFER MICHAEL ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/44 ,  H01L25/11

Abstract: Eine Leistungshalbleiteranordnung umfasst ein erstes und ein zweites Leistungshalbleitermodul, wobei jedes Leistungshalbleitermodul eine erste Hauptseite und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite umfasst und wobei die Leistungshalbleitermodule so angeordnet sind, dass eine Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls und eine Hauptseite des zweiten Leistungshalbleitermoduls einander zugewandt sind, und ein Kühlergehäuse zur direkten Flüssigkeitskühlung der Leistungshalbleitermodule, wobei das Kühlergehäuse einen Fluidkanal umfasst, wobei mindestens eine Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls eine Seitenwand des Fluidkanals bildet, und wobei eine Strömungsrichtung im Fluidkanal entlang der ersten Hauptseite und eine Strömungsrichtung entlang der zweiten Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls in entgegengesetzte Richtungen ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102019104730B4

公开(公告)日：2022-07-28

申请号：DE102019104730

申请日：2019-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  KARCZEWSKI TINO ,  SCHEFFER MICHAEL ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/44 ,  H01L25/11

Abstract: Leistungshalbleiteranordnung (100, 400), umfassend:ein erstes und ein zweites Leistungshalbleitermodul (101, 102), wobei jedes Leistungshalbleitermodul (101, 102) eine erste Hauptseite (101_1, 102_1) und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite (101_2, 102_2) umfasst und wobei die Leistungshalbleitermodule (101, 102) so angeordnet sind, dass eine Hauptseite (101_2) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) und eine Hauptseite (102_1) des zweiten Leistungshalbleitermoduls (102) einander zugewandt sind, undein Kühlergehäuse (103) zur direkten Flüssigkeitskühlung der Leistungshalbleitermodule (101, 102), wobei das Kühlergehäuse (103) einen Fluidkanal (104) umfasst,wobei mindestens eine Hauptseite (101_1) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) eine Seitenwand des Fluidkanals (104) bildet,wobei ein erster Einlass oder Auslass (105) des Fluidkanals (104) an der ersten Hauptseite (101_1) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) angeordnet ist,wobei ein zweiter Einlass oder Auslass (106) des Fluidkanals (104) an der zweiten Hauptseite (102_2) des zweiten Leistungshalbleitermoduls (102) angeordnet ist, undwobei ein dritter Einlass oder Auslass (401) des Fluidkanals (104) zwischen dem ersten und dem zweiten Leistungshalbleitermodul (101, 102) angeordnet ist, so dass der Fluidkanal (104) in der Leistungshalbleiteranordnung (100, 400) mäandert,wobei eine Strömungsrichtung in dem Fluidkanal (104) entlang der ersten Hauptseite (101_1, 102_1) und eine Strömungsrichtung entlang der zweiten Hauptseite (101_2, 102_2) jedes Leistungshalbleitermoduls (101, 102) in entgegengesetzte Richtungen ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102019108443A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102019108443

申请日：2019-04-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  KARCZEWSKI TINO

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul kann einen Träger, einen Leistungshalbleiterchip, der so über dem Träger angeordnet ist, dass eine erste Hauptseite des Leistungshalbleiterchips dem Träger zugewandt ist, einen Kontaktclip, der so über dem Leistungshalbleiterchip angeordnet ist, dass eine zweite, der ersten Hauptseite gegenüberliegende Hauptseite des Leistungshalbleiterchips; dem Kontaktclip zugewandt ist, und ein zwischen der zweiten Hauptseite und dem Kontaktclip angeordnetes Abstandshalterelement umfassen, wobei eine erste Lötverbindung die zweite Hauptseite und das Abstandshalterelement verbindet und wobei eine zweite Lötverbindung das Abstandshalterelement und den Kontaktclip verbindet.