公开(公告)号：DE102018212436A8

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018212436

申请日：2018-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  HONG TAO ,  LASSMANN MATTHIAS ,  KARCZEWSKI TINO

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L25/07

公开(公告)号：DE102018212436A1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：DE102018212436

申请日：2018-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  HONG TAO ,  LASSMANN MATTHIAS ,  KARCZEWSKI TINO

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitergehäuse mit doppelseitiger Kühlstruktur umfasst ein oberes elektrisch leitfähiges Element, das eine nach außen freiliegende Metalloberfläche aufweist, ein unteres Trägersubstrat, das eine obere elektrisch leitfähige Schicht, eine untere elektrisch leitfähige Schicht mit einer nach außen freiliegenden Oberfläche und eine zwischen der oberen und unteren elektrisch leitfähigen Schicht angeordnete elektrische Isolierschicht aufweist, einen ersten elektrisch leitfähigen Abstandshalter, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und der oberen elektrisch leitfähigen Schicht angeordnet ist, mindestens einen Leistungshalbleiterchip, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und der oberen elektrisch leitfähigen Schicht angeordnet ist, einen zweiten elektrisch leitfähigen Abstandshalter, der zwischen dem oberen elektrisch leitfähigen Element und dem Leistungshalbleiterchip angeordnet ist und einen ersten, zweiten und dritten Leistungsanschluss, die entlang einer ersten Seite des Halbleitergehäuses angeordnet sind, wobei der zweite Leistungsanschluss zwischen dem ersten und dem dritten Leistungsanschluss angeordnet ist und wobei der erste und der dritte Leistungsanschluss zum Anlegen einer ersten Versorgungsspannung ausgebildet sind und wobei der zweite Leistungsanschluss zum Anlegen einer zweiten Versorgungsspannung ausgebildet ist.