公开(公告)号：DE102014106763B4

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：DE102014106763

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L21/58 ,  B22F3/10

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls mit den Schritten:Bereitstellen einer Baugruppe (99), die aufweist:• einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311);• einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist; und• einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312);Durchführen einer Wärmebehandlung, bei der der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten wird, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C, wobei während der Wärmebehandlung kein metallischer Bestandteil der Baugruppe (99) aufgeschmolzen wird;Bereitstellen eines zweiten Fügepartners (2);Herstellen einer festen Verbindung zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99), indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem durch die Wärmebehandlung gereinigten zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird, wobei das Herstellen der festen Verbindung dadurch erfolgt, dass(a) der zweite Fügepartner (2) unmittelbar an den zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) gebondet wird; oder(b) der zweite Fügepartner (2) mittels einer zweiten Verbindungsschicht (42) derart fest mit der Baugruppe (99) verbunden wird, dass die zweite Verbindungsschicht (42) als elektrisch leitender Kleber ausgebildet ist und sich durchgehend zwischen dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) und dem zweiten Fügepartner (2) erstreckt.

公开(公告)号：DE102014106763A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102014106763

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L21/00 ,  B22F3/10

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls. Hierzu wird eine Baugruppe (99), die einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) aufweist, einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist, und einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312). Bei einer Wärmebehandlung wird der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C. Außerdem wird ein zweiter Fügepartner (2) bereitgestellt. Zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99) wird eine feste Verbindung hergestellt, indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird.