公开(公告)号：DE102016101694A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101694

申请日：2016-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLIG JOHANNES ,  HOHLFELD OLAF ,  BOLOWSKI DANIEL ,  HARTUNG HANS

IPC: H01L23/26 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Elektronikmodul mit einem Modulgehäuse (7) und einer in dem Modulgehäuse (7) befindlichen Schutzmasse (5). Die Schutzmasse (5) weist eine Matrix (50) auf, sowie einen in der Matrix (50) verteilten Reaktionspartner (51), der dazu ausgebildet ist, einen aus Schwefel bestehenden oder einen Schwefel aufweisenden chemischen Schadstoff, der in einen Innentraum des Modulgehäuses (7) eindringt, chemisch umzusetzen und dadurch zu verhindern, dass der Schwefel eine Korrosion von einem zu schützenden Bestandteil (1, 3, 12, 21) des Elektronikmoduls (100) bewirkt.

公开(公告)号：DE102011083223A8

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE102011083223

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZER ULRICH MICHAEL GEORG ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14

公开(公告)号：DE102014106763B4

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：DE102014106763

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L21/58 ,  B22F3/10

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls mit den Schritten:Bereitstellen einer Baugruppe (99), die aufweist:• einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311);• einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist; und• einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312);Durchführen einer Wärmebehandlung, bei der der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten wird, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C, wobei während der Wärmebehandlung kein metallischer Bestandteil der Baugruppe (99) aufgeschmolzen wird;Bereitstellen eines zweiten Fügepartners (2);Herstellen einer festen Verbindung zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99), indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem durch die Wärmebehandlung gereinigten zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird, wobei das Herstellen der festen Verbindung dadurch erfolgt, dass(a) der zweite Fügepartner (2) unmittelbar an den zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) gebondet wird; oder(b) der zweite Fügepartner (2) mittels einer zweiten Verbindungsschicht (42) derart fest mit der Baugruppe (99) verbunden wird, dass die zweite Verbindungsschicht (42) als elektrisch leitender Kleber ausgebildet ist und sich durchgehend zwischen dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) und dem zweiten Fügepartner (2) erstreckt.

公开(公告)号：DE102013207721A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102013207721

申请日：2013-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOLOWSKI DANIEL ,  MARCHITTO MARCO ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/607 ,  H01L23/14 ,  H01L23/49

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung beschrieben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Substrats mit einem Bond-Pad, das eine Kupferoberfläche aufweist, sowie das Bonden eines Kupferdrahtes auf das Bond-Pad, wobei die Kupferoberfläche eine gemittelte Rautiefe (Rz) maximal 5 Mikrometer oder einen arithmetischen Mittenrauwert (Ra) von maximal 0,8 Mikrometer aufweist.

公开(公告)号：DE102011083223A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102011083223

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZER ULRICH MICHAEL GEORG ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einer ersten Leiterplatte (1), einer in einer vertikalen Richtung (v) von der ersten Leiterplatte (1) beabstandete zweiten Leiterplatte (2), sowie mit einem Halbleiterchip (3, 4), der zwischen der ersten Leiterplatte (1) und der zweiten Leiterplatte (2) angeordnet und zumindest mit der zweiten oberen Metallisierung (21) elektrisch leitend verbunden ist. Die erste untere Metallisierung (12) und die zweite obere Metallisierung (21) die einander zugewandt sind. Die erste Leiterplatte (1) umfasst einen ersten Isolationsträger (10), sowie eine erste obere Metallisierung (11) und eine erste untere Metallisierung (12), die auf einander entgegengesetzten Seiten auf den ersten Isolationsträger (10) aufgebracht sind. Die zweite Leiterplatte (2) umfasst einen zweiten Isolationsträger (20) und eine auf diesen aufgebrachte zweite obere Metallisierung (21). Die erste Leiterplatte (1) umfasst des weiteren eine erste dicke Leiterschicht (13), die zumindest teilweise in den ersten Isolationsträger (10) eingebettet ist und die eine Dicke (d1) von wenigstens 100 µm oder von wenigstens 400 µm aufweist.

公开(公告)号：DE102019125447A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102019125447

申请日：2019-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFAHL GERT ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  BOLOWSKI DANIEL ,  SCHULZE HOLGER ,  KREUZ MICHAEL ,  WOEHLERT STEFAN ,  BROLL MARIAN SEBASTIAN

IPC: C22C21/00 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (100) weist ein Bondpad (110) auf. Das Bondpad (110) umfasst eine Schicht aus einer Aluminiumlegierung mit einer chemischen Zusammensetzung, die ein Hauptlegierungselement umfasst, das aus Zn, Mg, Cu, Si und Sc ausgewählt ist. Wenn das Hauptlegierungselement Cu ist, umfasst die chemische Zusammensetzung ferner mindestens ein Element, das aus Ti, Mg, Ag und Zr ausgewählt ist.

公开(公告)号：DE102011083223B4

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102011083223

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZER ULRICH MICHAEL GEORG ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14

Abstract: Leistungshalbleitermodul (100) umfassendeine erste Leiterplatte (1) mit einem ersten Isolationsträger (10), sowie mit einer ersten oberen Metallisierung (11) und einer ersten unteren Metallisierung (12), die auf einander entgegengesetzten Seiten auf den ersten Isolationsträger (10) aufgebracht sind;eine in einer vertikalen Richtung (v) von der ersten Leiterplatte (1) beabstandete zweite Leiterplatte (2) mit einem zweiten Isolationsträger (20) und einer auf diesen aufgebrachten zweiten oberen Metallisierung (21);einen Halbleiterchip (3, 4), der zwischen der ersten Leiterplatte (1) und der zweiten Leiterplatte (2) angeordnet und zumindest mit der zweiten oberen Metallisierung (21) elektrisch leitend verbunden ist;wobeidie erste untere Metallisierung (12) und die zweite obere Metallisierung (21) einander zugewandt sind;die erste Leiterplatte (1) eine erste dicke Leiterschicht (13, 13a) umfasst, die zumindest teilweise in den ersten Isolationsträger (10) eingebettet ist und die eine Dicke (d1) von wenigstens 100 µm aufweist;die erste Leiterplatte (1) eine elektrisch leitende erste Durchkontaktierung (15) aufweist, die sich in der vertikalen Richtung (v) vollständig durch den ersten Isolationsträger (10) hindurch erstreckt;die erste Durchkontaktierung (15) durch einen Abschnitt (131) der ersten dicken Leiterschicht (13, 13a) hindurchgeführt und mit diesem Abschnitt (131) elektrisch leitend verbunden ist; undein Teilabschnitt (131e) des Abschnitts (131) der ersten dicken Leiterschicht (13, 13a) in einer zur vertikalen Richtung (v) senkrechten lateralen Richtung (r) aus dem ersten Isolationsträger (10) herausgeführt ist.

公开(公告)号：DE102014106763A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102014106763

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAHLHUT CHRISTIAN ,  FRÖMELT ACHIM ,  KERSTING CHRISTIAN ,  BOLOWSKI DANIEL

IPC: H01L21/00 ,  B22F3/10

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls. Hierzu wird eine Baugruppe (99), die einen Schaltungsträger (3) mit einem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) aufweist, einen ersten Fügepartner (1), der mittels einer ersten Verbindungsschicht (41) mit dem ersten metallischen Oberflächenabschnitt (311) stoffschlüssig verbunden ist, und einen zweiten metallischen Oberflächenabschnitt (111; 312). Bei einer Wärmebehandlung wird der zweite metallische Oberflächenabschnitt (111; 312) ununterbrochen auf Temperaturen gehalten, die höher sind als eine Wärmebehandlungsmindesttemperatur von wenigstens 300°C. Außerdem wird ein zweiter Fügepartner (2) bereitgestellt. Zwischen dem zweiten Fügepartner (2) und der Baugruppe (99) wird eine feste Verbindung hergestellt, indem der zweite Fügepartner (2) nach Abschluss der Wärmebehandlung an dem zweiten Oberflächenabschnitt (111; 312) stoffschlüssig mit der Baugruppe (99) verbunden wird.