公开(公告)号：DE102023117657A1

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102023117657

申请日：2023-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOENIG AXEL ,  MLETSCHING KRISTIJAN LUKA ,  VOERCKEL ANDREAS ,  LEENDERTZ CASPAR ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/60

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines dotierten Gebiets (102) in einem Halbleiterkörper (104). Das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) umfasst das Einbringen erster Dotierstoffe (1081) durch eine erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei einem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Anwenden einer ersten Wärmebehandlung (T1) auf den Halbleiterkörper (104). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Einbringen zweiter Dotierstoffe (1082) durch die erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei dem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2). Eine Ordnungszahl der ersten Dotierstoffe (1081) ist gleich einer Ordnungszahl der zweiten Dotierstoffe (1082). Eine Ionenimplantationsenergie (E2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsenergie (E1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Eine Ionenimplantationsdosis (D2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsdosis (D1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1).