公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102007008530B4

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102007008530

申请日：2007-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOERCKEL ANDREAS

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung durch: Bereitstellen eines Substrats (1) mit Gräben (3) und Mesagebieten (4) und Hilfsstrukturen (5) auf den Mesagebieten (4); Aufbringen einer ersten Isolationsstruktur (13), welche Seitenwände und einen Bodenbereich der Gräben (3) und wenigstens teilweise Seitenwände der Hilfsstrukturen (5) bedeckt; Aufrechterhalten der ersten Isolationsstruktur (13) während nachfolgender Prozessschritte; Aufbringen eines Liners (15) auf der ersten Isolationsstruktur (13); Füllen der Gräben (3) und von Lücken zwischen den Hilfsstrukturen (5) mit einer zweiten Isolationsstruktur (20); und Rückbilden der zweiten Isolationsstruktur (20) auf eine Höhe unterhalb der Oberseite des Liners (15), wobei obere Abschnitte des Liners (15) freigelegt werden und der Teil der ersten Isolationsstruktur (13) im Seitenwandbereich der Hilfsstruktur (15) einen Spacer (21) ausbildet; und Ausbilden von Floating-Gates (19) mindestens teilweise anstelle der Hilfstrukturen (5, 51, 52, 53, 54).

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102023117657A1

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102023117657

申请日：2023-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOENIG AXEL ,  MLETSCHING KRISTIJAN LUKA ,  VOERCKEL ANDREAS ,  LEENDERTZ CASPAR ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/60

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines dotierten Gebiets (102) in einem Halbleiterkörper (104). Das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) umfasst das Einbringen erster Dotierstoffe (1081) durch eine erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei einem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Anwenden einer ersten Wärmebehandlung (T1) auf den Halbleiterkörper (104). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Einbringen zweiter Dotierstoffe (1082) durch die erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei dem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2). Eine Ordnungszahl der ersten Dotierstoffe (1081) ist gleich einer Ordnungszahl der zweiten Dotierstoffe (1082). Eine Ionenimplantationsenergie (E2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsenergie (E1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Eine Ionenimplantationsdosis (D2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsdosis (D1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1).

公开(公告)号：DE102014113130A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014113130

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  KONRATH JENS ,  OUVRARD CEDRIC ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WERNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  LAFORET DAVID ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/808

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung ist gemäß einer Ausführungsform zumindest teilweise in oder auf einem Substrat angeordnet und umfasst eine Vertiefung, die eine Mesa ausbildet, wobei die Mesa sich entlang einer Richtung in das Substrat zu einer Bodenfläche der Vertiefung erstreckt und ein Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, das zumindest lokal eine erste Dotiermittelkonzentration umfasst, sich nicht weiter als bis zur Bodenfläche in das Substrat erstreckt. Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem eine zumindest teilweise entlang einer Seitenwand der Mesa angeordnete elektrisch leitende Struktur, wobei die elektrisch leitende Struktur mit dem Halbleitermaterial der Mesa einen elektrischen Schottky- oder Schottky-artigen Kontakt ausbildet, wobei das das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps umfassende Substrat zumindest lokal entlang einer Projektion der Mesa in das Substrat eine zweite Dotiermittelkonzentration, die sich von der ersten Dotiermittelkonzentration unterscheidet, umfasst.