公开(公告)号：DE59711922D1

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：DE59711922

申请日：1997-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTIN ANDREAS ,  HUB WALTER ,  KOLBESEN BERND

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/39 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/306

Abstract: The present invention concerns aqueous cleaning solutions for semiconductor substrates principally comprising a base, hydrogen peroxide and a complex-forming agent, the latter being formed by heterocyclic hydrocarbons with a ring size comprising a minimum of 9 and a maximum of 18 atoms and at least 3 heteroatoms, e.g. nitrogen, oxygen, sulphur. In the case of nitrogenated cryptands, these may also be formed with functionally reactive groups and/or aliphatic bridges between the nitrogen atoms (cage structures).

公开(公告)号：DE102012102341A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102012102341

申请日：2012-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOLBESEN BERND

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L29/06

Abstract: Ein undotiertes Halbleitersubstrat (100) wird dotiert, indem eine Spannung auf eine Seite (102) des undotierten Halbleitersubstrats (100) ausgeübt wird, um Eigenzwischengitteratome in dem Substrat (100) freizusetzen, und Chalkogenatome (108) in die Seite des Substrats (100) implantiert werden. Das Substrat (100) wird ausgeheilt, um ein erstes Halbleitergebiet (112) auszubilden, das die Chalkogenatome (108) enthält, und ein zweites Halbleitergebiet (114), das keine Chalkogenatome aufweist. Das erste Halbleitergebiet (112) weist eine Dotierkonzentration auf, die höher ist als die Dotierkonzentration des zweiten Halbleitergebiets (114). Das Eindiffundieren von Chalkogenatomen (108) in ein Halbleitermaterial in Anwesenheit von Eigenzwischengitteratomen kann auch zum Ausbilden von Feldstoppgebieten in Leistungshalbleiterbauelementen verwendet werden.

公开(公告)号：AT276586T

公开(公告)日：2004-10-15

申请号：AT97936578

申请日：1997-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTIN ANDREAS ,  HUB WALTER ,  KOLBESEN BERND

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/39 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/306

Abstract: The present invention concerns aqueous cleaning solutions for semiconductor substrates principally comprising a base, hydrogen peroxide and a complex-forming agent, the latter being formed by heterocyclic hydrocarbons with a ring size comprising a minimum of 9 and a maximum of 18 atoms and at least 3 heteroatoms, e.g. nitrogen, oxygen, sulphur. In the case of nitrogenated cryptands, these may also be formed with functionally reactive groups and/or aliphatic bridges between the nitrogen atoms (cage structures).

公开(公告)号：DE102012102341B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102012102341

申请日：2012-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOLBESEN BERND

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L29/06

Abstract: Verfahren zum Dotieren eines undotierten Halbleitersubstrats (100), das Folgendes umfasst:Ausüben einer Spannung auf eine Seite (102) des undotierten Halbleitersubstrats (100), um Eigenzwischengitteratome in dem Substrat freizusetzen;Implantieren von Chalkogenatomen (108) in die Seite des Substrats undAusheilen des Substrats (100), um ein erstes Halbleitergebiet (112) auszubilden, das die Chalkogenatome enthält, und ein zweites Halbleitergebiet (114) ohne die Chalkogenatome, wobei das erste Halbleitergebiet (112) eine Dotierkonzentration aufweist, die höher ist als die Dotierkonzentration des zweiten Halbleitergebiets (114).