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    Halbleiterbauelement und Substrat mit chalkogen-dotiertem Gebiet
    1.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Substrat mit chalkogen-dotiertem Gebiet 未知

    公开(公告)号：DE102012102341B4

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：DE102012102341

    申请日：2012-03-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOLBESEN BERND

    IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L29/06

    Abstract: Verfahren zum Dotieren eines undotierten Halbleitersubstrats (100), das Folgendes umfasst:Ausüben einer Spannung auf eine Seite (102) des undotierten Halbleitersubstrats (100), um Eigenzwischengitteratome in dem Substrat freizusetzen;Implantieren von Chalkogenatomen (108) in die Seite des Substrats undAusheilen des Substrats (100), um ein erstes Halbleitergebiet (112) auszubilden, das die Chalkogenatome enthält, und ein zweites Halbleitergebiet (114) ohne die Chalkogenatome, wobei das erste Halbleitergebiet (112) eine Dotierkonzentration aufweist, die höher ist als die Dotierkonzentration des zweiten Halbleitergebiets (114).

    HALBLEITERBAUELEMENT MIT GRABENRANDABSCHLUSS
    3.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT MIT GRABENRANDABSCHLUSS 未知

    公开(公告)号：DE102015121100A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102015121100

    申请日：2015-12-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHMIDT GERHARD

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement umfasst: Einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, einem Innengebiet und einem Randgebiet; einen pn-Übergang zwischen einem ersten Halbleitergebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem zweiten Halbleitergebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei sich der pn-Übergang im Innengebiet in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers erstreckt; eine Aussparung, die sich im Randgebiet von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstreckt, wobei die Aussparung wenigstens eine Seitenwand aufweist; ein Dielektrikum, das den Graben füllt. In dem Dielektrikum nimmt eine Dielektrizitätszahl in der lateralen Richtung mit zunehmendem Abstand von der ersten Seitenwand ab.

    Weich schaltendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    5.
    发明专利
    Weich schaltendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015115723A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：DE102015115723

    申请日：2015-09-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  FALCK ELMAR

    IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Seite (101) und einer zweiten Seite (102) auf, die von der ersten Seite (101) in einer ersten vertikalen Richtung (v1) beabstandet angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement weist einen gleichrichtenden Übergang (111) auf, eine Feldstoppzone (119) von einem ersten Leitungstyp (n) und eine Driftzone (118) von einem ersten Leitungstyp (n), die zwischen dem gleichrichtenden Übergang (111) und der Feldstoppzone (119) angeordnet ist. Der Halbleiterkörper (100) weist entlang einer geraden Linie (g) parallel zu der ersten vertikalen Richtung (v1) eine Netto-Dotierungskonzentration (NNET) auf. Von (a) und (b) trifft zumindest eines zu: (a) Die Driftzone (118) weist bei einer ersten Tiefe (d1) einen Ladungsschwerpunkt auf, wobei ein Abstand (d1-d111) zwischen den gleichrichtenden Übergang (111) und dem Ladungsschwerpunkt kleiner ist als 37% der Dicke (d112-d111), die die Driftzone (118) in der ersten vertikalen Richtung (v1) aufweist; (b) der Absolutbetrag (│NNET│) der Netto-Dotierungskonzentration (NNET) weist entlang der geraden Linie (g) und innerhalb der Driftzone (118) einen lokalen Maximumswert (MAX) auf.

    BIPOLARE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
    6.
    发明专利
    BIPOLARE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 未知

    公开(公告)号：DE102015100340A1

    公开(公告)日：2015-08-20

    申请号：DE102015100340

    申请日：2015-01-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF GEORG ,  SCHMIDT GERHARD

    IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung hat einen Halbleiterkörper (40) mit einer ersten Oberfläche (15) und einer zweiten Oberfläche (16), die im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche (15) verläuft. Eine erste Metallschicht (10) ist auf der ersten Oberfläche (15) angeordnet. Eine zweite Metallschicht (11) ist auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnet. Der Halbleiterkörper (40) weist ein n-dotiertes erstes Halbleitergebiet (1), das von der ersten Metallschicht (10) beabstandet ist und eine erste maximale Dotierungskonzentration aufweist, ein n-dotiertes zweites Halbleitergebiet (2) mit einer zweiten maximalen Dotierungskonzentration, die höher ist als die erste maximale Dotierungskonzentration und an das erste Halbleitergebiet (1) angrenzt, und ein drittes Halbleitergebiet (3) in ohmschem Kontakt mit der zweiten Metallschicht (11), die zwischen der zweiten Metallschicht (11) und dem zweiten Halbleitergebiet (2) angeordnet ist und an das zweite Halbleitergebiet (2) angrenzt, auf. Das zweite Halbleitergebiet (2) besteht aus einem Halbleitermaterial, welches elektrisch aktive Chalcogen-Verunreinigungen als Donatoren aufweist. Wenigstens 90 % der elektrisch aktiven Chalcogen-Verunreinigungen bilden isolierte Defekte im Halbleitermaterial.

    Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
    7.
    发明专利
    Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102011054825A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：DE102011054825

    申请日：2011-10-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHLOEGL DANIEL

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300) und ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100, 200, 300) werden bereitgestellt. Das Halbleiterbauelement (100, 200, 300) enthält einen Halbleiterkörper (40) mit einem ersten Halbleitergebiet (1) und einem zweiten Halbleitergebiet (2), die voneinander beabstandet sind. Eine erste Metallisierung (11) steht in Kontakt mit dem ersten Halbleitergebiet (1). Eine zweite Metallisierung (12) steht in Kontakt mit dem zweiten Halbleitergebiet (2). Ein isolierendes Gebiet (6) erstreckt sich zwischen dem ersten Halbleitergebiet (1) und dem zweiten Halbleitergebiet (2). Ein halbisolierendes Gebiet (7) mit einem spezifischen Widerstand von etwa 103 Ohm cm bis etwa 1014 Ohm cm ist auf dem isolierenden Gebiet (6) angeordnet und bildet zwischen der ersten Metallisierung (11) und der zweiten Metallisierung (12) einen Widerstand.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005046427A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：DE102005046427

    申请日：2005-09-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUEB MICHAEL ,  SCHMIDT GERHARD

    IPC: H01L29/772

    Abstract: A power transistor has a source region, a drain region, a semiconductor body arranged between the source region and the drain region, and a plurality of nanotubes. The plurality of nanotubes are connected in parallel and disposed in the semiconductor body such that the plurality of nanotubes are electrically insulated from the semiconductor body and electrically connect the source and drain regions of the transistor. The power transistor also includes at least one diode formed in the semiconductor body. A portion of the at least one diode formed in the semiconductor body is configured to act as a gate electrode for the transistor.

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