公开(公告)号：DE102020115032A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102020115032

申请日：2020-06-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  KRAUS JULIA KATHARINA ,  PÜSCHNER FRANK

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Chip (200) bereitgestellt, der ein Substrat (102), ein Anschlusspad (106), mindestens ein zusätzliches Anschlusspad (110) neben dem Anschlusspad (106) und einen Abstandshalter (220) aufweist, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad (110) angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads (110) mit einem Träger-Anschlusspad (122) eines Trägers, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad (122) elektrisch leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102017122454A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102017122454

申请日：2017-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PÜSCHNER FRANK ,  ATZESDORFER ALEXANDRA ,  KRAUS JULIA KATHARINA ,  POHL JENS ,  SPÖTTL THOMAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Chipanordnung bereitgestellt, aufweisend einen Chipkörper (310), mindestens einen Chip-Anschlussbereich (320), mindestens eine Passivierungsschicht (330) teilweise neben dem Chip-Anschlussbereich (320), wobei die Passivierungsschicht (330) eine Öffnung (332) aufweist, mittels der zumindest ein Teil des Chip-Anschlussbereichs (320) freigelegt ist, ein Substrat (340) mit einem Substrat-Anschlussbereich (342), und eine elektromechanische Verbindungsstruktur (350), die im Inneren einen Hohlraum (352) aufweist. Mindestens eine Wand (354)der Verbindungsstruktur (350) ist auf der Passivierungsschicht (330) und auf dem Substrat-Anschlussbereich (342) angeordnet. Die elektromechanische Verbindungsstruktur (350) verbindet den Chip-Anschlussbereich (320) elektrisch leitend mit dem Substrat-Anschlussbereich (342). Der Hohlraum (352) weist eine Tiefe (d1) auf, die größer ist als eine Tiefe (d2) der Öffnung (332).