公开(公告)号：DE102023122533A1

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE102023122533

申请日：2023-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  PÜSCHNER FRANK

IPC: G06K19/077

Abstract: Eine Dokumentenstruktur weist eine erste Dokumentenlage (710), eine zweite Dokumentenlage (720), einen Träger (100) zwischen der ersten Dokumentenlage (710) und der zweiten Dokumentenlage (720), wobei der Träger (100) einen Chip-Aufnahmebereich (110) und einen den Chip-Aufnahmebereich (110) zumindest teilweise umgebenden flexiblen Bereich (120) auf, wobei der flexible Bereich (120) einen in dem Chip-Aufnahmebereich (110) aufgenommenen Chip (130), eine eine Antenne bildende Metallstruktur (160)auf einer ersten Seite des Trägers, die der ersten Dokumentenlage (710) zugewandt ist, und/oder auf einer zweiten Seite des Trägers, die der zweiten Dokumentenlage (720) zugewandt ist, aufweist, wobei die Antenne (160) mit dem Chip (130) mittels einer Kontaktierungsstruktur (135) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Kontaktierungsstruktur (135) durch den flexiblen Bereich (120) verläuft, wobei der flexible Bereich (120) bis auf die Kontaktierungsstruktur (135) und den Chip-Aufnahmebereich 110 zumindest auf der ersten Seite und/oder der zweiten Seite frei von Metall ist.

公开(公告)号：DE102023120408B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023120408

申请日：2023-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  PÜSCHNER FRANK ,  STAMPKA PETER

IPC: G06K19/077 ,  H01R43/05 ,  H05K7/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Chipkarteninlays, das Verfahren aufweisend:• Einbringen eines Antennendrahtes in eine Oberfläche eines Trägers, wobei der Antennendraht Metall aufweist, der eine Isolierbeschichtung aufweist (1010);• nach dem Einbringen, Quetschen des Antennendrahtes, so dass ein Teilbereich des Metalls des Antennendrahtes abisoliert wird (1020); und• Verlöten des abisolierten Teilbereichs des Metalls des Antennendrahtes mit einem metallischen Kontaktbereich eines Chipkartenmoduls, das in eine Öffnung des Trägers eingebracht ist (1030).

公开(公告)号：DE102013103365B4

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102013103365

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  BUCHSBAUM MARTIN ,  PÜSCHNER FRANK ,  RAMPETZREITER STEPHAN

IPC: G06K19/077

Abstract: Datenträger (10) zur kontaktlosen Datenübertragung, umfassend:ein Substrat (20);einen Chip (30), der mindestens eine Verbindungskontaktstelle (35) umfasst, wobei der Chip (30) über dem Substrat (20) angeordnet ist;eine erste kupferbeschichtete Prepreg-Schicht (40), wobei die erste kupferbeschichtete Prepreg-Schicht (40) über dem Chip (30) und dem Substrat (20) angeordnet ist und eine Kontaktöffnung (45) zu der Verbindungskontaktstelle (35) umfasst;eine Durchkontaktierung (50, 114) in der Kontaktöffnung (45) zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen der Verbindungskontaktstelle (35) des Chips (30) und der Kupferschicht der ersten kupferbeschichteten Prepreg-Schicht (40), wobei in der Kupferschicht der ersten kupferbeschichteten Prepreg-Schicht (40) eine erste Antennenstruktur (48, 112) ausgebildet ist;eine über der ersten kupferbeschichteten Prepreg-Schicht (40) ausgebildete erste kapazitive Struktur, wobei die erste kapazitive Struktur elektrisch mit dem Chip (30) gekoppelt ist, wobei die erste kapazitive Struktur mindestens eine zusätzliche Schicht (104, 106) aufweist, die über dem Chip (30) und über der ersten Antennenstruktur (48, 112) positioniert ist, wobei die mindestens eine zusätzliche Schicht (104, 106) eine Prepreg-Schicht und eine Kondensatorplatte, einen Kondensator oder eine Kapazität (108) aufweist, und wobei die mindestens eine zusätzliche Schicht (104, 106) mittels eines oder mehrerer leitfähig gefüllter Kontaktlöcher (110) mit dem Chip (30) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102018119530A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018119530

申请日：2018-08-10

Applicant: BUNDESDRUCKEREI GMBH ,  GENUA GMBH ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER JÖRG ,  PAESCHKE MANFRED ,  DRESSEL OLAF ,  OCHS MATTHIAS ,  STAMPKA PETER ,  HOUDEAU DETLEF ,  PÜSCHNER FRANK

IPC: H04L9/32 ,  G06F21/32

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Netzwerkmodul (100) zum Bereitstellen einer Kommunikationsverbindung zwischen einer Datenverarbeitungsentität (DVE) eines Benutzers und einem Kommunikationsnetzwerk (KN). Das Netzwerkmodul (100) umfasst eine erste Kommunikationsschnittstelle (101) für die drahtgebundene Kommunikation mit der Datenverarbeitungsentität (DVE), eine zweite Kommunikationsschnittstelle (103) für die Kommunikation mit dem Kommunikationsnetzwerk (KN), eine Benutzerschnittstelle (105), welche ausgebildet ist, ein personenbezogenes Merkmal des Benutzers zu empfangen, und einen Prozessor (107), welcher ausgebildet ist, den Benutzer auf der Basis des empfangenen personenbezogenen Merkmals für den Zugriff auf das Kommunikationsnetzwerk (KN) zu authentifizieren, wobei der Prozessor (107) ferner ausgebildet ist, bei erfolgreicher Authentifizierung des Benutzers eine Kommunikationsverbindung zwischen der ersten Kommunikationsschnittstelle (101) und dem Kommunikationsnetzwerk (KN) über die zweite Kommunikationsschnittstelle (103) freizugeben.

公开(公告)号：DE102018117638A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102018117638

申请日：2018-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  HUBER MICHAEL ,  PÜSCHNER FRANK ,  SPOETTL THOMAS

IPC: G06K19/077

Abstract: Ein Chipkartenmodul wird bereitgestellt. Das Chipkartenmodul kann ein Trägersubstrat aufweisen, wobei auf dem Trägersubstrat kontaktbasierte Chipkarten-Kontakte gemäß ISO-7816 zur kontaktbasierten Kommunikation und eine Kontaktlos-Anschlussstruktur zur Kontaktierung mindestens einer Antenne aufgebracht sind, und wobei die kontaktbasierten Chipkarten-Kontakte und die Kontaktlos-Anschlussstruktur in derselben Metallisierungsebene auf dem Trägersubstrat angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102017111639A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102017111639

申请日：2017-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPÖTTL THOMAS ,  POHL JENS ,  PÜSCHNER FRANK ,  RUHL GÜNTHER

IPC: B42D25/36 ,  B42D15/00 ,  B42D25/305

Abstract: Es ist ein elektronisches Identifikationsdokument vorgesehen. Das elektronische Identifikationsdokument kann einen Träger, ein Identifikationselement über dem Träger, eine Mikrowellen-Wechselwirkungsstruktur, die dafür ausgelegt ist, mit Mikrowellenstrahlung zu wechselwirken, und ein Änderungselement aufweisen, wobei das Änderungselement Teil der Mikrowellen-Wechselwirkungsstruktur sein kann oder in Kontakt damit stehen kann und dafür ausgelegt sein kann, bei der Wechselwirkung der Wechselwirkungsstruktur mit Mikrowellen seinen Zustand von einem Anfangszustand zu einem permanent geänderten Zustand zu ändern, wobei sich der permanent geänderte Zustand vom Anfangszustand durch eine Änderung der Farbe, der Helligkeit, der Sättigung, der Transparenz und/oder der Form des Änderungselements unterscheiden kann und wobei die Mikrowellen-Wechselwirkungsstruktur mehrere Graphitteilchen aufweisen kann.

公开(公告)号：DE102014106062B4

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：DE102014106062

申请日：2014-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PÜSCHNER FRANK ,  SPOETTL THOMAS ,  POHL JENS ,  BEER GOTTFRIED

IPC: G06K19/077

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Chipkartenmoduls (100), aufweisend:• Bereitstellen eines Trägers (106) mit einer ersten Hauptoberfläche (105) und einer der ersten Hauptoberfläche (105) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (107), wobei in dem Träger (106) mindestens eine Durchkontaktierung (112) gebildet wird;• Bilden eines Kontaktfelds (116) mit mehreren elektrischen Kontakten (116) über der ersten Hauptoberfläche (105) des Trägers (106), derart, dass mindestens ein elektrischer Kontakt der mehreren elektrischen Kontakte (116) elektrisch mit der Durchkontaktierung (112) verbunden wird;• Anordnen eines Chips (102)über der zweiten Hauptoberfläche (107);• elektrisches Koppeln des Chips (102) mit mindestens einem elektrischen Kontakt der mehreren elektrischen Kontakte (116) mittels der Durchkontaktierung (112); und• Anordnen mindestens eines optoelektronischen Bauelements (104) über der zweiten Hauptoberfläche (107) und elektrisch leitendes Verbinden des optoelektronischen Bauelements (104) mit dem Chip (102) .

公开(公告)号：DE102018105383B4

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102018105383

申请日：2018-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  PACHLER WALTHER ,  PÜSCHNER FRANK ,  RAMPETZREITER STEPHAN ,  WAGNER STEFAN MARTIN ,  WITSCHNIG HARALD

IPC: H05K1/16 ,  H01F17/00 ,  H01G4/40 ,  H01Q1/38 ,  H01Q23/00 ,  H04B5/00 ,  H05K3/32

Abstract: Antennenmodul (200), aufweisend:• eine dielektrische Schichtenstruktur (234);• eine auf einer ersten Seite der dielektrischen Schichtenstruktur (234) angeordnete Antenne (106);• einen auf der dielektrischen Schichtenstruktur (234) angeordneten Chip (226), der mit der Antenne (106) elektrisch leitfähig gekoppelt ist; und• einen mit der Antenne (106) gekoppelten Kondensator (104), wobei der Kondensator (104) eine erste Kondensatorplatte (104_1) und eine gegenüberliegende zweite Kondensatorplatte (104_2) aufweist, wobei die erste Kondensatorplatte (104_1) auf der ersten Seite der dielektrischen Schichtenstruktur angeordnet ist und die zweite Kondensatorplatte (104_2) auf einer zweiten Seite der dielektrischen Schichtenstruktur (234) angeordnet ist, welche der ersten Seite gegenüberliegt;• wobei die erste Kondensatorplatte (104_1) und die zweite Kondensatorplatte (104_2) jeweils mindestens eine Aussparung (222) aufweisen, die sich von einem Rand der jeweiligen Kondensatorplatte (104_1, 104_2) zu einem Innenbereich der jeweiligen Kondensatorplatte erstreckt; und• wobei die erste Kondensatorplatte (104_1) im Wesentlichen die gleiche Form aufweist wie die zweite Kondensatorplatte (104_2), wobei jedoch die erste Kondensatorplatte (104_1) größer ist als die zweite Kondensatorplatte (104_2), derart, dass sich eine projizierte Fläche der ersten Kondensatorplatte (104_1) in jede Richtung über eine projizierte Fläche der zweiten Kondensatorplatte (104_2) hinaus erstreckt, oder umgekehrt.

公开(公告)号：DE102015112845B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102015112845

申请日：2015-08-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GABLER FRANZ ,  PÜSCHNER FRANK ,  SCHAETZLER BERNHARD

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: Substratbearbeitungsverfahren (100), wobei das Verfahren (100) Folgendes umfasst:das Ausbilden einer Vielzahl an Gräben in ein Substrat hinein zwischen zwei Chip-Strukturen im Substrat, wobei die Gräben mindestens eine Säule zwischen den zwei Chip-Strukturen und eine Seitenwand auf jeder der zwei Chip-Strukturen definieren (110);das Anordnen eines Hilfs-Trägerelements auf dem Substrat, um die Chip-Strukturen und die mindestens eine Säule zu halten (120);das zumindest teilweise Füllen der Gräben mit Einkapselungsmaterial, um die mindestens eine Säule und die Seitenwände zu bedecken, wodurch die Chip-Strukturen zumindest teilweise eingekapselt werden (130);das Entfernen eines Abschnitts des Einkapselungsmaterials, um zumindest einen Abschnitt der mindestens einen Säule freizulegen (140); unddas zumindest teilweise Entfernen der mindestens einen Säule (150).

公开(公告)号：DE102017122454A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102017122454

申请日：2017-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PÜSCHNER FRANK ,  ATZESDORFER ALEXANDRA ,  KRAUS JULIA KATHARINA ,  POHL JENS ,  SPÖTTL THOMAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Chipanordnung bereitgestellt, aufweisend einen Chipkörper (310), mindestens einen Chip-Anschlussbereich (320), mindestens eine Passivierungsschicht (330) teilweise neben dem Chip-Anschlussbereich (320), wobei die Passivierungsschicht (330) eine Öffnung (332) aufweist, mittels der zumindest ein Teil des Chip-Anschlussbereichs (320) freigelegt ist, ein Substrat (340) mit einem Substrat-Anschlussbereich (342), und eine elektromechanische Verbindungsstruktur (350), die im Inneren einen Hohlraum (352) aufweist. Mindestens eine Wand (354)der Verbindungsstruktur (350) ist auf der Passivierungsschicht (330) und auf dem Substrat-Anschlussbereich (342) angeordnet. Die elektromechanische Verbindungsstruktur (350) verbindet den Chip-Anschlussbereich (320) elektrisch leitend mit dem Substrat-Anschlussbereich (342). Der Hohlraum (352) weist eine Tiefe (d1) auf, die größer ist als eine Tiefe (d2) der Öffnung (332).