公开(公告)号：DE102021128880B3

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE102021128880

申请日：2021-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  ASCHAUER ELMAR ,  BARTL ULF ,  KOVATSCH CHRISTOPH ,  KRIVEC MATIC ,  OSTERMANN THOMAS ,  PRASTER LUKAS ,  STOCKER GERALD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Im Folgenden wird ein MEMS-Bauelement beschrieben, welches, gemäß einem Ausführungsbeispiel folgendes aufweist: einen Halbleiterkörper; eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Isolationsschicht; eine auf der Isolationsschicht angeordnete Begrenzungsstruktur wobei der Halbleiterkörper unterhalb der Begrenzungsstruktur eine Öffnung aufweist; zwei auf der Isolationsschicht angeordnete strukturierte Elektroden; und eine von der Begrenzungsstruktur zumindest teilweise begrenzte und auf der Isolationsschicht und auf den Elektroden angeordnete piezoelektrische Schicht aus einem Thermoplast.