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公开(公告)号:DE102021128880B3
公开(公告)日:2022-09-08
申请号:DE102021128880
申请日:2021-11-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRILLE THOMAS , ASCHAUER ELMAR , BARTL ULF , KOVATSCH CHRISTOPH , KRIVEC MATIC , OSTERMANN THOMAS , PRASTER LUKAS , STOCKER GERALD
Abstract: Im Folgenden wird ein MEMS-Bauelement beschrieben, welches, gemäß einem Ausführungsbeispiel folgendes aufweist: einen Halbleiterkörper; eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Isolationsschicht; eine auf der Isolationsschicht angeordnete Begrenzungsstruktur wobei der Halbleiterkörper unterhalb der Begrenzungsstruktur eine Öffnung aufweist; zwei auf der Isolationsschicht angeordnete strukturierte Elektroden; und eine von der Begrenzungsstruktur zumindest teilweise begrenzte und auf der Isolationsschicht und auf den Elektroden angeordnete piezoelektrische Schicht aus einem Thermoplast.
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公开(公告)号:DE10144380A1
公开(公告)日:2003-03-27
申请号:DE10144380
申请日:2001-09-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LOSEHAND REINHARD , WERTHMANN HUBERT , BARTL ULF , AHRENS CARSTEN , HARTUNG WOLFGANG
Abstract: The magnetic component, integrated in a substrate, has an electrical conductor winding (2), supplied with current for generating a magnetic field in magnetic conductors (7,10a,10b), respectively provided by different layers (6,8) of a magnetic material, having differing domain orientations.
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公开(公告)号:DE10330838B4
公开(公告)日:2005-08-25
申请号:DE10330838
申请日:2003-07-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AHRENS CARSTEN , POMPL STEFAN , BARTL ULF , WERTHMANN HUBERT , HARTUNG WOLFGANG , PEICHL RAIMUND , EISENER BERND , HERZUM CHRISTIAN
IPC: H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/872
Abstract: An electronic device includes a substrate, an insulating layer arranged on the substrate, the insulating layer having an opening in an area of the surface of the substrate, an active layer arranged within the opening on the surface of the substrate, the active layer including a guard ring in those areas of the surface and of the active layer which are adjacent to the insulating layer, and a contacting layer arranged on an area of the active layer, the contact layer being adjacent to an area of the guard ring. The device may be produced by a process of three-fold self-alignment, to be precise utilizing a spacer process by means of which a diffusion source having a lateral extension far below the lithography limit is made possible.
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公开(公告)号:DE10330838A1
公开(公告)日:2005-02-10
申请号:DE10330838
申请日:2003-07-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AHRENS CARSTEN , POMPL STEFAN , BARTL ULF , WERTHMANN HUBERT , HARTUNG WOLFGANG , PEICHL RAIMUND , EISENER BERND , HERZUM CHRISTIAN
IPC: H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/872
Abstract: An electronic device includes a substrate, an insulating layer arranged on the substrate, the insulating layer having an opening in an area of the surface of the substrate, an active layer arranged within the opening on the surface of the substrate, the active layer including a guard ring in those areas of the surface and of the active layer which are adjacent to the insulating layer, and a contacting layer arranged on an area of the active layer, the contact layer being adjacent to an area of the guard ring. The device may be produced by a process of three-fold self-alignment, to be precise utilizing a spacer process by means of which a diffusion source having a lateral extension far below the lithography limit is made possible.
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公开(公告)号:DE102017205761A1
公开(公告)日:2017-10-05
申请号:DE102017205761
申请日:2017-04-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BARTL ULF , DEHE ALFONS
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein optischer MEMS-Wandler eine Beugungsstruktur, welche abwechselnde erste Reflexionselemente und Öffnungen umfasst, die in einer ersten Ebene angeordnet sind, eine Reflexionsstruktur, welche zweite Reflexionselemente umfasst und so ausgelegt ist, dass sie sich in Bezug auf die Beugungsstruktur durchbiegt, und ein optisches Element, das so ausgelegt ist, dass es ein erstes optisches Signal auf die Beugungsstruktur und die Reflexionsstruktur richtet und ein zweites optisches Signal von der Beugungsstruktur und der Reflexionsstruktur empfängt. Die zweiten Reflexionselemente sind in der ersten Ebene angeordnet, wenn die Reflexionsstruktur im Ruhezustand ist. Andere Ausführungsformen umfassen entsprechende Systeme und Vorrichtungen, die jeweils zum Durchführen verschiedener beispielhafter Verfahren ausgelegt sind
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公开(公告)号:DE50209602D1
公开(公告)日:2007-04-12
申请号:DE50209602
申请日:2002-07-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AHRENS CARSTEN , BARTL ULF , HARTUNG WOLFGANG , LOSEHAND REINHARD , WERTHMANN HUBERT
IPC: H01F17/00 , H01F41/04 , H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: The magnetic component uses at least two different layers of magnetic material for carrying and amplifying the magnetic flux. The use of two different layers which may, however, have the same material composition allows the magnetic conductors to form a magnetic circuit with a locally matched domain alignment. The magnetic component accordingly allows considerable improvements to be achieved in the component parameter, in particular a considerable increase in the Q-factor.
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公开(公告)号:DE50111277D1
公开(公告)日:2006-11-30
申请号:DE50111277
申请日:2001-03-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LOSEHAND REINHARD , WERTHMANN HUBERT , BARTL ULF
Abstract: The component has an oscillator capacitance set for a predetermined frequency range by a trimming diode. Oscillation circuit resonant frequency errors are compensated by a conductor network coupled to the oscillator circuit via a capacitance with transverse diodes and capacitances in series between longitudinal lines for connection in parallel with the oscillator capacitance by setting transverse diode working points with a switched d.c. network. The component has an oscillator capacitance whose value can be set by a trimming diode (3) for a predetermined frequency range. Manufacturing-related deviations in the resonant frequency of the oscillation circuit (1) are compensated by conductor network (12) coupled to the oscillator circuit via a coupling capacitance (11) and with transverse diodes (17) and capacitances (18) connected in series between longitudinal lines that can be connected in parallel with the oscillator capacitance by setting the working point of the transverse diodes using a switchable d.c. network.
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