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    Optoelektronischer Sensor
    1.
    发明专利
    Optoelektronischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE112013004299B4

    公开(公告)日：2021-12-30

    申请号：DE112013004299

    申请日：2013-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

    Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

    Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    3.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015121563A1

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE102015121563

    申请日：2015-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  OSTERMANN THOMAS ,  SORGER MICHAEL

    IPC: H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat erstrecken. Jeder Graben umfasst eine Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite, die entlang des Grabens verteilt sind. Zumindest eine elektrisch leitfähige Grabenstruktur befindet sich in jedem Graben. Das Halbleiterbauelement umfasst eine elektrisch isolierende Schicht, die zwischen dem Halbleitersubstrat und einer Elektrodenstruktur angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst eine vertikale elektrisch leitfähige Struktur, die sich durch die elektrisch isolierende Schicht erstreckt. Die vertikale elektrisch leitfähige Struktur bildet eine elektrische Verbindung zwischen der Elektrodenstruktur und einer elektrisch leitfähigen Grabenstruktur, die sich in einem ersten Graben befindet, an einer ersten vergrößerten Breitenregion. Die elektrisch isolierende Schicht ist zwischen einer zweiten vergrößerten Breitenregion aus der Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite des ersten Grabens und einer Elektrodenstruktur über der zweiten vergrößerten Breitenregion ohne jegliche vertikale elektrische Verbindungen durch die elektrisch isolierende Schicht an der zweiten vergrößerten Breitenregion angeordnet.

    Optoelektronischer Sensor
    4.
    发明专利
    Optoelektronischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE112013004299T5

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：DE112013004299

    申请日：2013-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: G01N21/55 ,  G01N21/77 ,  G01N33/543

    Abstract: Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten.

    HALBLEITERBAUELEMENT MIT MEHRZWEIGIGE GATEKONTAKTSTRUKTUR
    5.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT MIT MEHRZWEIGIGE GATEKONTAKTSTRUKTUR 未知

    公开(公告)号：DE102020112193A1

    公开(公告)日：2020-11-12

    申请号：DE102020112193

    申请日：2020-05-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MIESLINGER STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  WOOD ANDREW

    IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements enthält das Halbleiterbauelement: einen ersten aktiven Zellbereich mit einer ersten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; einen zweiten aktiven Zellbereich mit einer zweiten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; und eine Metallisierungsschicht über dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich. Die Metallisierungsschicht enthält: einen ersten Teil, der ein Halbleiter-Mesa-Gebiet zwischen der Vielzahl paralleler Gate-Gräben in dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich kontaktiert, und einen zweiten Teil, der den ersten Teil umgibt. Der zweite Teil der Metallisierungsschicht kontaktiert die erste Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer ersten Richtung und die zweite Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer von der ersten Richtung verschiedenen zweiten Richtung.

    Transistoranordnungen mit einer in einem Trennungstrench angeordneten Elektrode
    6.
    发明专利
    Transistoranordnungen mit einer in einem Trennungstrench angeordneten Elektrode 未知

    公开(公告)号：DE102004063946B4

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：DE102004063946

    申请日：2004-05-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

    IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/62 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

    Abstract: Trenchtransistoranordnung, mit einem Halbleiterkörper (30, 40), in dem mehrere nebeneinander angeordnete Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei wenigstens einer dieser Trenchtransistoren ein Zellenfeld mit mehreren Zellenfeldtrenches aufweist und die Trenchtransistoren durch Isolationsstrukturen, die jeweils einen Trennungstrench (50) aufweisen, gegeneinander elektrisch isoliert sind, und die Trennungstrenches (50) in Randbereichen der Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei in jedem Trennungstrench (50) eine mit Substratpotenzial verbundene Elektrode (52) angeordnet ist, und der Trennungstrench (50) tiefer in den Halbleiterkörper (30, 40) eindringt als die dotierten Wannengebiete (31, 44), dadurch gekennzeichnet, dass die Trennungstrenches (50) Randabschlüsse dotierter Wannengebiete (31, 44) bilden und ein an den Trennungstrench (50) angrenzendes p-dotiertes Gebiet (41) zur Unterdrückung eines durch das an der mit dem Substratpotenzial verbundenen Elektrode (52) des Trennungstrenches (50) liegende Potential ermöglichten n-Kanales zum Halbleiterkörper (40) dient.

    Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
    10.
    发明专利
    Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014116262B4

    公开(公告)日：2020-08-27

    申请号：DE102014116262

    申请日：2014-11-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WOOD ANDREW ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58

    Abstract: Halbleitervorrichtung, welche Folgendes aufweist:eine erste Kontaktstelle (5), die auf einer Oberseite eines Werkstücks angeordnet ist,eine zweite Kontaktstelle (15), die auf der Oberseite des Werkstücks angeordnet ist,ein Isolationsgebiet (20, 30, 40), das zwischen der ersten Kontaktstelle (5) und der zweiten Kontaktstelle (15) angeordnet ist, undeine Mehrzahl von Metallstreifen (130), die zumindest teilweise innerhalb des Isolationsgebiets (20, 30, 40) angeordnet ist, wobei die Metallstreifen (130) nicht mit einem äußeren Potentialknoten gekoppelt sind,wobei die Metallstreifen in einer Richtung lang gestreckt und in einer dazu senkrechten Richtung schmal sind, undwobei die Metallstreifen entlang einer einzigen Richtung parallel zur Oberseite des Werkstücks orientiert und voneinander isoliert sind,wobei die erste Kontaktstelle (5) über einem ersten aktiven Gebiet (51) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem ersten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die erste Kontaktstelle (5) mit dem ersten aktiven Gebiet (51) gekoppelt ist und wobei eine zweite Kontaktstelle (15) über einem zweiten aktiven Gebiet (52) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem zweiten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die zweite Kontaktstelle (15) mit dem zweiten aktiven Gebiet (52) gekoppelt ist, wobei optional die erste Kontaktstelle (5) und die zweite Kontaktstelle (15) Teil einer Außenfläche der Halbleitervorrichtung sind.

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