公开(公告)号：DE102021115825A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：DE102021115825

申请日：2021-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  BITNAR BERND ,  KRUEGER CHRISTIAN ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SPULBER OANA JULIA ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung (100) enthält ein n-dotiertes Driftgebiet (102), das zwischen einer ersten Oberfläche (104) und einer zweiten Oberfläche (106) eines Halbleiterkörpers (108) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung enthält ferner ein an der zweiten Oberfläche (106) angeordnetes p-dotiertes erstes Gebiet (110). Die Halbleitervorrichtung enthält überdies ein zwischen dem Driftgebiet (102) und dem ersten Gebiet (110) angeordnetes n-dotiertes Feldstoppgebiet (112). Das Feldstoppgebiet (112) umfasst ein erstes Teilgebiet (1121) und ein zweites Teilgebiet (1122). Ein p-n-Übergang (p-n) trennt das erste Gebiet (110) und das erste Teilgebiet (1121). Wasserstoffbezogene Donatoren sind im ersten Teilgebiet (1121) und im zweiten Teilgebiet (1122) enthalten. Eine Konzentration (cn) der wasserstoffbezogenen Donatoren entlang einer ersten vertikalen Erstreckung (d1) des ersten Teilgebiets (1121) nimmt vom p-n-Übergang (p-n) auf einen maximalen Wert (W) stetig zu und nimmt vom maximalen Wert auf einen Referenzwert (R) an einem ersten Übergang (T1) zwischen dem ersten Teilgebiet (1121) und dem zweiten Teilgebiet (1122) stetig ab. Eine zweite vertikale Erstreckung (d2) des zweiten Teilgebiets (1122) endet an einem zweiten Übergang (T2) zum Driftgebiet (102), wo die Konzentration (cn) der wasserstoffbezogenen Donatoren 10 % des Referenzwerts (R) beträgt. Ein maximaler Konzentrationswert im zweiten Teilgebiet (1122) ist höchstens 20 % größer als der Referenzwert (R).

公开(公告)号：DE102018114436A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114436

申请日：2018-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KOKOT MICHAEL ,  KRUEGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Reduzieren einer Dicke eines Halbleitersubstrats. Das Verfahren umfasst zudem ein Ändern einer Ionenbeschleunigungsenergie eines Ionenstrahls, während eine relative Bewegung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem auf das Halbleitersubstrat auftreffenden Ionenstrahl ausgeführt wird.