公开(公告)号：DE102020112787A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE102020112787

申请日：2020-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAMPERSBERGER THOMAS ,  STELZER ANDREAS ,  FEGER REINHARD ,  LANG MARKUS JOSEF ,  MINICHSHOFER JUERGEN ,  SELER ERNST

IPC: H01P5/00

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ein Halbleiterpackage, welches einen Hochfrequenz-Chip und eine Hochfrequenz-Antenne umfasst. Das Halbleiterpackage ist dazu ausgelegt, über zumindest ein Verbindungselement des Halbleiterpackage mechanisch und elektrisch mit einer Platine verbunden zu werden, wobei eine Oberfläche des Halbleiterpackage der Platine zugewandt ist. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner eine Hohlleiterstruktur, die in einer Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage ausgerichtet ist, wobei die Hochfrequenz-Antenne für zumindest eines von folgendem ausgelegt ist: in der Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage in die Hohlleiterstruktur einzustrahlen, oder in der Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage über die Hohlleiterstruktur Signale zu empfangen.