公开(公告)号：DE102023204741A1

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102023204741

申请日：2023-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  ERDÖL TUNCAY ,  MÖLLER ULRICH

IPC: H01P5/08

Abstract: Ein Chip-Package enthält einen Halbleiterchip und einen substratintegrierten Wellenleiter. Der substratintegrierte Wellenleiter enthält eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht, die über der ersten Metallschicht angeordnet ist, und ein dielektrisches Substrat, das zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht angeordnet ist. Das Chip-Package enthält ferner einen in der zweiten Metallschicht ausgebildeten Schlitz und eine Signalleitung, die den Halbleiterchip und die zweite Metallschicht elektrisch koppelt. Die Signalleitung kreuzt den Schlitz bei Betrachtung in einer Richtung senkrecht zur zweiten Metallschicht.

公开(公告)号：DE102019102784A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102019102784

申请日：2019-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  LANG MARKUS JOSEF ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: G01S7/02 ,  H01P5/08

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche, zumindest ein auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordnetes Anschlusselement zum elektrischen und mechanischen Verbinden des Substrats mit einer Leiterplatte, und einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Radar-Halbleiterchip.

公开(公告)号：DE102019122156A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019122156

申请日：2019-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  TREML MARKUS ,  MOELLER ULRICH

IPC: G01S7/03 ,  G01S13/42

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Radar-Sendevorrichtung (100) mit einem CMOS-Sendeempfänger-Chip (110), der ausgebildet ist, um an einem Ausgang (113) des CMOS-Sendeempfänger-Chips wenigstens ein Lokaloszillatorsignal (112) bereitzustellen, und wenigstens einem mit dem CMOS-Sendeempfänger-Chip gekoppelten BiCMOS-Sender-Chip (120). Der BiCMOS-Sender-Chip (120) hat einen Eingang (121) für das Lokaloszillatorsignal, wenigstens einen Verstärker (122), der mit dem Eingang gekoppelt ist, eine Mehrzahl von Ausgängen (124) zum Ausgeben eines Radar-Sendesignals basierend auf dem Lokaloszillatorsignal, und eine Mehrzahl von Sendepfaden (123) zwischen dem Eingang und der Mehrzahl der Ausgänge. Jeder der Sendepfade hat einen steuerbaren analogen Phasenschieber (125) für eine steuerbare Strahlschwenkung bei einer Abstrahlung des Radar-Sendesignals. Zusätzlich oder alternativ können mittels Steuersignalen einzelne Sendepfade (123) des BiCMOS-Sender-Chips (120) selektiv zu aktiviert oder deaktiviert werden.

公开(公告)号：DE102014118563A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014118563

申请日：2014-12-12

Applicant: FRIEDRICH ALEXANDER UNIVERSITÄT ERLANGEN NÜRNBERG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER ,  BOECK JOSEF

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse umfasst eine Einkapselung und einen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip ist zumindest teilweise in die Einkapselung eingebettet. Eine Mikrowellenkomponente, die zumindest eine elektrisch leitende Wandstruktur umfasst, ist in die Einkapselung integriert. Zudem umfasst das Halbleitervorrichtungsgehäuse eine elektrische Zwischenverbindung, die dazu konfiguriert ist, die Mikrowellenkomponente mit dem Halbleiterchip elektrisch zu koppeln.

公开(公告)号：DE102020119390A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102020119390

申请日：2020-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KULMER JOSEF ,  HÖLZL PATRICK ,  KLYMENKO OLEKSIY ,  KRAUT GUNTHER ,  LI HAO ,  SELER ERNST

IPC: G01S7/40 ,  G01S7/02

Abstract: Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Lokaloszillatorsignals in einem ersten Radarchip basierend auf einem in einem weiteren Radarchip erzeugten Lokaloszillatorsignal; das Zuführen des Lokaloszillatorsignals an einen Sendekanal des ersten Radarchips, der basierend auf dem Lokaloszillatorsignal ein HF-Ausgangssignal erzeugt; das Verändern der Temperatur und/oder der Versorgungsspannung des ersten Radarchips; das Messen von Phasenwerten basierend auf dem dem Sendekanal zugeführten Lokaloszillatorsignal und dem korrespondierenden HF-Ausgangssignal für verschiedene Temperaturwerte und/oder für verschiedene Versorgungsspannungswerte des ersten Radarchips; und das Ermitteln von Kalibrierdaten basierend auf den gemessenen Phasenwerten für eine Phasenkalibrierung zum Ausgleich von Veränderungen der Phase des HF-Ausgangssignals aufgrund einer Veränderung der Temperatur und/oder der Versorgungsspannung.

公开(公告)号：DE102014105845A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102014105845

申请日：2014-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER

IPC: H01P5/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: Ein integriertes Schaltungsmodul umfasst eine Gehäuse-Vergussmasseschicht, eine Hochfrequenz(HF)-integrierte Schaltung, die innerhalb der Gehäuse-Vergussmasseschicht eingebettet ist und einen HF-Anschluss aufweist, eine Wellenleiter-Übergangsstruktur, die innerhalb der Gehäuse-Vergussmasseschicht eingebettet ist, und eine Umverteilungsschicht. Die Wellenleiter-Übergangsstruktur umfasst einen Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt, einen Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt, der ausgelegt ist, mit einem rechteckigen Wellenleitergehäuse gekoppelt zu werden, und einen Transformatorabschnitt, der ausgelegt ist, einen Modenübergang zwischen dem Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt und dem Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt vorzusehen. Die Umverteilungsschicht umfasst wenigstens eine Isolierschicht und wenigstens eine Metallisierungsschicht, die sich zwischen der HF-integrierten-Schaltung und der Wellenleiter-Übergangsstruktur quer über eine Fläche der Gehäuse-Vergussmasseschicht erstrecken. Die erste Umverteilungsschicht umfasst eine HF-Übertragungsleitung, die zwischen den HF-Anschluss der HF-integrierten Schaltung und den Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt der Wellenleiter-Übergangsstruktur leitfähig geschaltet ist.

公开(公告)号：DE102022115688A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022115688

申请日：2022-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ERDOEL TUNCAY ,  HARTNER WALTER ,  MOELLER ULRICH ,  RIEDER BERNHARD ,  SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P5/08

Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen Chip, der ausgebildet ist, ein Signal zu erzeugen und/oder zu empfangen; ein Laminatsubstrat, das einen substratintegrierten Wellenleiter (SIW) zum Tragen des Signals umfasst, wobei der substratintegrierte Wellenleiter eine Chip-zu-SIW-Übergangsstruktur umfasst, die ausgebildet ist, das Signal zwischen den SIW und den Chip zu koppeln, und eine SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur, die ausgebildet ist, das Signal aus dem SIW aus- oder in den SIW einzukoppeln, wobei die SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur eine Wellenleiterapertur umfasst; und eine Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen, die um eine Peripherie der Wellenleiterapertur angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen ausgebildet ist, das Signal von der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur zu empfangen und das Signal von dem Chip-Package auszugeben oder das Signal mit der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur und in das Chip-Package zu koppeln.

公开(公告)号：DE102020101293A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE102020101293

申请日：2020-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  RIEDER BERNHARD ,  MÖLLER ULRICH

IPC: H01P3/00

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Halbleitervorrichtung, umfassend einen Hochfrequenz-Chip, und ein erstes Verbindungselement, welches dazu ausgelegt ist, die Halbleitervorrichtung mechanisch und elektrisch mit einer Platine zu verbinden. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein über der Halbleitervorrichtung angeordnetes Wellenleiter-Bauteil, umfassend einen in dem Wellenleiter-Bauteil ausgebildeten Wellenleiter, und ein zweites Verbindungselement, welches das Wellenleiter-Bauteil mit der Halbleitervorrichtung mechanisch verbindet. Zumindest eines von dem ersten Verbindungselement oder dem zweiten Verbindungselement ist elastisch ausgebildet.

公开(公告)号：DE102015112861A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：DE102015112861

申请日：2015-08-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER ,  BOECK JOSEF

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L25/065 ,  H01Q23/00

Abstract: Eine Mikrowellenvorrichtung schließt ein Halbleitergehäuse ein, das einen Mikrowellen-Halbleiterchip und ein dem Halbleitergehäuse zugehöriges Wellenleiter-Bauteil umfasst. Das Wellenleiter-Bauteil ist zur Übertragung eines Mikrowellen-Wellenleitersignals ausgestaltet. Es schließt ein Teil oder mehrere Teile ein. Die Mikrowellenvorrichtung schließt ferner ein Transformator-Element, das zur Umwandlung eines Mikrowellensignals von dem Mikrowellen-Halbleiterchip in das Mikrowellen-Wellenleitersignal oder zur Umwandlung des Mikrowellen-Wellenleitersignals in ein Mikrowellen-Signal für den Mikrowellen-Halbleiterchip ausgestaltet ist, ein.

公开(公告)号：DE102014112497A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112497

申请日：2014-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/525 ,  H01L23/60 ,  H01L29/417 ,  H01Q23/00 ,  H05F3/02

Abstract: Ein elektronisches Bauelement, das mindestens einen Interkonnektor, einen mindestens ein elektrisches Chip-Pad umfassenden Halbleiter-Chip, eine Verkapselungsstruktur, die mindestens einen Teil des Halbleiter-Chips verkapselt, und eine elektrisch leitfähige Redistribution-Layer, die zwischen dem mindestens einen Interkonnektor und dem mindestens einen Chip-Pad angeordnet und elektrisch damit gekoppelt ist, umfasst, wobei die Redistribution-Layer mindestens eine Einstellungsstruktur umfasst, die zur Einstellung von Hochfrequenzeigenschaften eines Übergangs zwischen dem Halbleiter-Chip und seiner Peripherie konfiguriert ist.