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    CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER
    1.
    发明申请
    CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER 审中-公开
    电路及方法助推器加速切换

    公开(公告)号：WO2004070770A3

    公开(公告)日：2004-11-18

    申请号：PCT/EP2004000520

    申请日：2004-01-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MINICHSHOFER JUERGEN

    Inventor： MINICHSHOFER JUERGEN

    IPC: H03F3/195 ,  H03F3/72

    CPC classification number: H03F3/72 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372

    Abstract: A circuit arrangement comprises an amplifier with a bipolar transistor (T1) whose base terminal is connected to the input terminal (HFin) for a signal to be amplified. A bias device for setting a potential (UbeT1) is provided on the base terminal of the biotransistor (T1). Additionally provided is a device (32) for supplying a current to the base terminal of the biotransistor (T1) such that a charging or discharging current to the input terminal (HFin) is greater than a base current of the biotransistor (T1). The circuit arrangement also comprises a device (30) for detecting whether a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue in order to switch over the biotransistor, and comprises a device (30) for switching on the device for supplying the current to the basis of the bipolar transistor (T1) when a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue.

    Abstract translation: 一种电路装置，包括：具有一个双极型晶体管（T1），其基极端子与输入端子（RFin的）用于将信号要被放大耦合的放大器。 偏压装置，用于在所述双极型晶体管（T1）的基极端子设定的电位（UbeT1）被提供。 此外，用于提供这样的电流，双极型晶体管（T1）的基极端子，一个充电或放电电流输入到输入端口（RFin的）的装置（32）是比所述双极型晶体管（T1）的基极电流时，被提供。 该电路装置还包括用于连接所述装置，用于供给电流到双极晶体管的基极，用于检测在所述双极型晶体管的基极端子的电位变化是否是（T1），用于所述双极晶体管的开关进行装置（30），以及装置（30），（T1） 当发生在所述双极晶体管的基极端子（T1）的电位变化。

    Verstärkerschaltung mit reduzierter Temperaturabhängingkeit der Verstärkung
    3.
    发明专利
    Verstärkerschaltung mit reduzierter Temperaturabhängingkeit der Verstärkung 未知

    公开(公告)号：DE102005007876B4

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：DE102005007876

    申请日：2005-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MINICHSHOFER JUERGEN

    IPC: H03F1/30 ,  H03F1/22 ,  H03F1/34 ,  H03F3/04

    Abstract: Verstärkerschaltung mit: einem Verstärker-Eingang (13); einem Verstärker-Ausgang (19); einer Kaskoden-Schaltung, die einen Eingangs-Transistor (9) und einen Ausgangs-Transistor (15) aufweist, wobei der Verstärker-Eingang (13) mit einem Transistor-Steuer-Anschluss des Eingangs-Transistors (9) und der Verstärker-Ausgang (19) mit einem ersten Transistor-Anschluss des Ausgangs-Transistors (15) gekoppelt ist; einem Rückkopplungspfad zwischen einem Transistor-Steuer-Anschluss des Ausgangs-Transistors (15) und dem ersten Transistor-Anschluss des Ausgangs-Transistors (15), wobei eine Einrichtung mit variabler Impedanz (37, 39) in den Rückkopplungspfad geschaltet ist, deren Impedanz derart von einer Temperatur abhängt, dass eine Variation der Verstärkung abhängig von der Temperatur reduziert ist; wobei die Einrichtung mit variabler Impedanz eine veränderliche Blindimpedanz aufweist; und wobei die Verstärkerschaltung ausgelegt ist, um die veränderliche Blindimpedanz in Abhängigkeit von der Temperatur einzustellen.

    Hochfrequenz-Vorrichtung mit Hochfrequenz-Chip und Hohlleiterstruktur
    6.
    发明专利
    Hochfrequenz-Vorrichtung mit Hochfrequenz-Chip und Hohlleiterstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102020112787A1

    公开(公告)日：2021-07-29

    申请号：DE102020112787

    申请日：2020-05-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LAMPERSBERGER THOMAS ,  STELZER ANDREAS ,  FEGER REINHARD ,  LANG MARKUS JOSEF ,  MINICHSHOFER JUERGEN ,  SELER ERNST

    IPC: H01P5/00

    Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ein Halbleiterpackage, welches einen Hochfrequenz-Chip und eine Hochfrequenz-Antenne umfasst. Das Halbleiterpackage ist dazu ausgelegt, über zumindest ein Verbindungselement des Halbleiterpackage mechanisch und elektrisch mit einer Platine verbunden zu werden, wobei eine Oberfläche des Halbleiterpackage der Platine zugewandt ist. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner eine Hohlleiterstruktur, die in einer Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage ausgerichtet ist, wobei die Hochfrequenz-Antenne für zumindest eines von folgendem ausgelegt ist: in der Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage in die Hohlleiterstruktur einzustrahlen, oder in der Richtung parallel zu der Oberfläche des Halbleiterpackage über die Hohlleiterstruktur Signale zu empfangen.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10305366A1

    公开(公告)日：2004-08-26

    申请号：DE10305366

    申请日：2003-02-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MINICHSHOFER JUERGEN

    IPC: H03F3/195 ,  H03F3/72 ,  H03F1/26 ,  H03F1/02

    Abstract: A circuitry comprises an amplifier with a bipolar transistor, whose base terminal is coupled to an input terminal for a signal to be amplified. A biasing means for setting a potential at the base terminal of the bipolar transistor is provided. Further, a means for providing such a current to the base terminal of the bipolar transistor is provided, so that a charging or discharging current to the input terminal is larger than a base current of the bipolar transistor. Further, the circuitry comprises a means for detecting whether a potential change at the base terminal of the bipolar transistor is to be effected for switching the bipolar transistor, and a means for connecting the means for providing the current to the base of the bipolar transistor when a potential change is to be effected at the base terminal of the bipolar transistor.

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