公开(公告)号：DE10361697B4

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：DE10361697

申请日：2003-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNINGER RALF DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV DR

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Grabenstruktur mit Oxidauskleidung mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines Halbleitermaterialbereichs (20) mit einem Oberflächenbereich (20a), (b) Ausbilden eines Grabens (30), der sich vom Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20) ins Innere des Halbleitermaterialbereichs (20) erstreckt und einen Wandbereich (30b) und einen Bodenbereich (30a) aufweist, (c) Auskleiden des Inneren oder eines Teils im Inneren des Grabens (30) mit einer ersten Oxidationsschicht (40) durch oxidatives Umwandeln des Materials des Wandbereichs (30b) und/oder des Bodenbereichs (30a) im Inneren des Grabens oder jeweils eines Teils davon in einem ersten Oxidationsschritt, (d) Ausbilden einer Materialschicht (50) im Innern des Grabens (30) und dadurch teilweises oder vollständiges Auskleiden des Inneren des Grabens (30) mit der Materialschicht (50) in einer den Graben (30) nicht füllenden und an die erste Oxidationsschicht (40) direkt oder über eine Oxidationssperrschicht (45) indirekt angrenzenden Art und Weise und (e) Durchführen eines zweiten Oxidationsschritts und...