公开(公告)号：DE10361697B4

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：DE10361697

申请日：2003-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNINGER RALF DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV DR

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Grabenstruktur mit Oxidauskleidung mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines Halbleitermaterialbereichs (20) mit einem Oberflächenbereich (20a), (b) Ausbilden eines Grabens (30), der sich vom Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20) ins Innere des Halbleitermaterialbereichs (20) erstreckt und einen Wandbereich (30b) und einen Bodenbereich (30a) aufweist, (c) Auskleiden des Inneren oder eines Teils im Inneren des Grabens (30) mit einer ersten Oxidationsschicht (40) durch oxidatives Umwandeln des Materials des Wandbereichs (30b) und/oder des Bodenbereichs (30a) im Inneren des Grabens oder jeweils eines Teils davon in einem ersten Oxidationsschritt, (d) Ausbilden einer Materialschicht (50) im Innern des Grabens (30) und dadurch teilweises oder vollständiges Auskleiden des Inneren des Grabens (30) mit der Materialschicht (50) in einer den Graben (30) nicht füllenden und an die erste Oxidationsschicht (40) direkt oder über eine Oxidationssperrschicht (45) indirekt angrenzenden Art und Weise und (e) Durchführen eines zweiten Oxidationsschritts und...

公开(公告)号：DE10262121B4

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE10262121

申请日：2002-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNINGER RALF DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  KRUMREY JOACHIM ,  ZUNDEL MARKUS DR ,  RIEGER WALTER DR ,  POELZL MARTIN

IPC: H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement mit einem in einem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten mehrere gleichartig aufgebaute Transistorzellen (Z1, Z2, Z3, Z4) aufweisenden Zellenfeld wobei jede der Transistorzellen aufweist: – eine erste Anschlusszone eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers, die eine stark dotierte Zone (11) und eine schwächer dotierte Zone (12) aufweist – eine zweite Anschlusszone (30) eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers, – eine Kanalzone (20) eines zweiten Leitungstyps, die zwischen der ersten Anschlusszone und der zweiten Anschlusszone (30) angeordnet ist, – eine Steuerelektrode (42), die in einem Graben (40), der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht (44) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, wobei die Gräben der einzelnen Zellen (Z1, Z2, Z3) in horizontaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind, wobei der Abstand (d3) wenigstens zweier Gräben in dem Zellenfeld...