公开(公告)号：DE102007016061A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：DE102007016061

申请日：2007-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  LOW KHAI HUAT JEFFREY ,  LAW CHEE SOON

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: A module includes a semiconductor chip having at least a first terminal contact surface and a second terminal contact surface. A first bond element made of a material on the basis of Cu is attached to the first terminal contact surface, and a second bond element is attached to the second terminal contact surface. The second bond element is made of a material different from the material of the first bond element or is made of a type of bond element different from the type of the first bond element.

公开(公告)号：DE102007016061B4

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102007016061

申请日：2007-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  SCHLÖGEL XAVER ,  LOW KHAI HUAT JEFFREY ,  LAW CHEE SOON

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: Modul, umfassend: einen Leistungs-Halbleiterchip (1) mit mindestens einer ersten Anschlusskontaktoberfläche (6) aus Cu und einer zweiten Anschlusskontaktoberfläche (2), wobei der Leistungs-Halbleiterchip (1) einen Transistor umfasst und die erste Anschlusskontaktoberfläche (6) des Leistungs-Halbleiterchips (1) ein Gate-Kontakt des Transistors und die zweite Anschlusskontaktoberfläche (2) des Leistungs-Halbleiterchips (1) ein Drain- oder Source-Kontakt des Transistors ist, ein erstes Kontaktelement (7), welches ein erster aus einem Cu-basierten Material hergestellter Kontaktdraht ist und an der ersten Anschlusskontaktoberfläche (6) befestigt ist, ein zweites Kontaktelement (8), welches an der zweiten Anschlusskontaktoberfläche (2) befestigt ist, worin das zweite Kontaktelement (8) aus einem von dem Material des ersten Kontaktelements (7) verschiedenen Material hergestellt ist, und einen Träger (10), auf welchem der Leistungs-Halbleiterchip (1) montiert ist, wobei der Träger (10) Leitungen (3, 4) umfasst, an welchen das erste Kontaktelement (7) und das zweite Kontaktelement (8) befestigt sind, wobei die Leitungsoberflächen, an welchen das erste Kontaktelement (7) und das zweite Kontaktelement (8) befestigt sind, aus Cu hergestellt sind.

公开(公告)号：DE102010000407B4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102010000407

申请日：2010-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAW CHEE SOON ,  LIM FONG ,  ABDULLAH ZAKARIA

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Halbleiter-Package, umfassend: einen ersten Halbleiterchip, der ein erstes Bondpad aufweist, einen zweiten Halbleiterchip, der ein zweites Bondpad aufweist, ein elektrisches Verbindungsstückmittel, und ein aluminiumbeschichtetes Kupferbandmittel, das eine Aluminiumschicht und eine Kupferschicht enthält, wobei die Aluminiumschicht und die Kupferschicht miteinander verbunden sind, die Aluminiumschicht an das erste Bondpad geschweißt ist, die Kupferschicht das erste Bondpad überlappt und davon beabstandet ist und das elektrische Verbindungsstückmittel die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und von der Aluminiumschicht und dem ersten Bondpad beabstandet ist, wodurch die Bondpads unter Verwendung eines elektrisch leitenden Wegmittels, das die Aluminiumschicht, die Kupferschicht und das elektrische Verbindungsstückmittel enthält, elektrisch verbunden sind.

公开(公告)号：DE102010000407A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102010000407

申请日：2010-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAW CHEE SOON ,  LIM FONG ,  ABDULLAH ZAKARIA

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Halbleiter-Package enthält einen ersten Halbleiterchip, einen zweiten Halbleiterchip und ein Band. Das Band enthält eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht. Die erste Metallschicht ist an den ersten Chip geschweißt und die zweite Metallschicht ist an dem zweiten Chip angebracht.