公开(公告)号：DE102012104948B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102012104948

申请日：2012-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENS THOMAS ,  EICHINGER OLIVER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LIM FONG ,  MENGEL MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ORSO STEFFEN ,  RIEDL EDMUND

IPC: B23K35/28 ,  C22C18/00 ,  C22C18/04 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  H01L23/488

Abstract: Lotlegierung aufweisend:Zink, Aluminium, Magnesium und Gallium, wobei das Aluminium bezogen auf das Gewicht 8% bis 20% der Legierung ausmacht, das Magnesium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und das Gallium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und wobei der Rest der Legierung Zink aufweist.

公开(公告)号：DE102009030325A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：DE102009030325

申请日：2009-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIM FONG ,  LEE SEE YAU ,  HENG YANG HONG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/06 ,  H01L23/36

Abstract: A semiconductor chip assembly includes a semiconductor chip and a pyrolytic graphite element that is an electrode that is electrically connected to and provides electrical conduction of current from the chip during operation of the chip.

公开(公告)号：DE102024101618A1

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102024101618

申请日：2024-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICHLER FRANZ-JOSEF ,  LIM FONG ,  OMAZIC MARKO ,  TENG WEE KHIM ,  MOHAMED ABDUL RAHMAN

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Chip weist eine erste Hauptoberfläche, eine zweite Hauptoberfläche und eine Seitenfläche auf, wobei ein im Siliziumcarbid-Material gemessener Winkel α zwischen der Seitenfläche und einer horizontalen Ebene mehr als 78° beträgt, wobei der Winkel α in einem der zweiten Hauptoberfläche benachbarten Gebiet gemessen wird.

公开(公告)号：DE102021101625A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE102021101625

申请日：2021-01-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CALO PAUL ARMAND ASENTISTA ,  GAN TEK KEONG ,  KEH SER YEE ,  LEM TIEN HENG ,  LIM FONG ,  STADLER MICHAEL ,  TAY MEI QI

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Eine elektrische Verbindungsstruktur umfasst ein Bondpad mit einer im Wesentlichen ebenen Bondoberfläche und eine Lötverstärkungsstruktur, die auf der Bondoberfläche angeordnet ist und eine Vielzahl von erhöhten Speichen umfasst, die jeweils von der Bondoberfläche aus angehoben sind. Jede der erhöhten Speichen hat eine geringere Benetzbarkeit relativ zu einem verflüssigten Lotmaterial als die Bondoberfläche. Jede der erhöhten Speichen erstreckt sich radial nach außen von einem Zentrum der Lötverstärkungsstruktur.

公开(公告)号：DE102010000407B4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102010000407

申请日：2010-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAW CHEE SOON ,  LIM FONG ,  ABDULLAH ZAKARIA

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Halbleiter-Package, umfassend: einen ersten Halbleiterchip, der ein erstes Bondpad aufweist, einen zweiten Halbleiterchip, der ein zweites Bondpad aufweist, ein elektrisches Verbindungsstückmittel, und ein aluminiumbeschichtetes Kupferbandmittel, das eine Aluminiumschicht und eine Kupferschicht enthält, wobei die Aluminiumschicht und die Kupferschicht miteinander verbunden sind, die Aluminiumschicht an das erste Bondpad geschweißt ist, die Kupferschicht das erste Bondpad überlappt und davon beabstandet ist und das elektrische Verbindungsstückmittel die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und von der Aluminiumschicht und dem ersten Bondpad beabstandet ist, wodurch die Bondpads unter Verwendung eines elektrisch leitenden Wegmittels, das die Aluminiumschicht, die Kupferschicht und das elektrische Verbindungsstückmittel enthält, elektrisch verbunden sind.

公开(公告)号：DE102010000407A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102010000407

申请日：2010-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAW CHEE SOON ,  LIM FONG ,  ABDULLAH ZAKARIA

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Halbleiter-Package enthält einen ersten Halbleiterchip, einen zweiten Halbleiterchip und ein Band. Das Band enthält eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht. Die erste Metallschicht ist an den ersten Chip geschweißt und die zweite Metallschicht ist an dem zweiten Chip angebracht.

公开(公告)号：DE102009030325B4

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：DE102009030325

申请日：2009-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIM FONG ,  LEE SEE YAU ,  HENG YANG HONG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/06 ,  H01L23/36

Abstract: Halbleiterchipbaugruppe (100), umfassend: einen Halbleiterchip (102) und ein pyrolytisches Graphitelement (106), das eine Elektrode ist, die elektrisch an den Halbleiterchip (102) angeschlossen ist und die während des Betriebs eine elektrische Leitung von Strom vom Chip (102) zu einer Leiterplatte gewährleistet, dadurch gekennzeichnet, dass das pyrolytische Graphitelement (106) ein Gehäuse ist, das den Chip (102) vertikal bedeckt und seitlich umgibt und ihn vor der externen Umgebung schützt, wobei die vom Chip (102) abgewandten Oberflächen (124) des Gehäuses (106) exponiert sind.

公开(公告)号：DE102013101258A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102013101258

申请日：2013-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  LIM FONG ,  MOHAMED ABDUL RAHMAN ,  CHONG CHOOI MEI ,  FISCHBACH IDA ,  SCHLOEGL XAVER ,  HOEGLAUER JOSEF ,  SCHREDL JUERGEN

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche. Ein Halbleiterchip wird auf einem Träger platziert, wobei die erste Hauptoberfläche des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist. Eine erste Schicht aus Lotmaterial ist zwischen der ersten Hauptoberfläche und dem Träger vorgesehen. Ein Kontaktclip mit einem ersten Kontaktbereich wird auf dem Halbleiterchip platziert, wobei der erste Kontaktbereich der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips zugewandt ist. Eine zweite Schicht aus Lotmaterial ist zwischen dem ersten Kontaktbereich und der zweiten Hauptoberfläche vorgesehen. Danach wirkt Wärme auf die erste und zweite Schicht aus Lotmaterial ein, um Diffusionslötbondstellen zwischen dem Träger, dem Halbleiterchip und dem Kontaktclip auszubilden.

公开(公告)号：DE102012104948A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012104948

申请日：2012-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENS THOMAS ,  EICHINGER OLIVER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LIM FONG ,  MENGEL MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ORSO STEFFEN ,  RIEDL EDMUND

IPC: B23K35/30

Abstract: Eine Lotlegierung wird bereitgestellt, wobei die Lotlegierung Zink, Aluminium, Magnesium und Gallium aufweist, wobei das Aluminium bezogen auf das Gewicht 8% bis 20% der Legierung ausmacht, das Magnesium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und das Gallium bezogen auf das Gewicht 0,5 bis 20% der Legierung ausmacht und der Rest der Legierung Zink aufweist.