公开(公告)号：WO2006007825A2

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/DE2005001262

申请日：2005-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  SCHLOEGEL XAVER ,  OTREMBA RALF

Inventor： SCHLOEGEL XAVER ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49425 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: The invention relates to a semiconductor module and to a method for producing said module. An intermediate element (50) is configured to make material electrical contact between a contact area (30) and a connection area (40) and lies in direct material and electrical contact with said areas in order to adapt the surfaces of said two areas to one another.

Abstract translation: 提出了一种半导体模块及其制造方法。 可以设想，中间元件（50）被构造或适于预期接触部分（30）和相应的连接区域（40）之间的电接触材料和在它们之间的直接物理和电接触和表面一致性，形成 或将会。

公开(公告)号：WO0227789B1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：PCT/DE0103439

申请日：2001-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BERGMANN ROBERT ,  LARIK JOOST ,  OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  SCHREDL JUERGEN

Inventor： BERGMANN ROBERT ,  LARIK JOOST ,  OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  SCHREDL JUERGEN

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: The aim of the invention is to take up the smallest amount of space possible while effecting the thermomechanical release in tension at the junction between a circuit unit (2) and contact device (4) of a circuit (1), said junction being provided by means of the connecting device (10). To this end, the connecting device (10) is essentially provided as a prefabricated metallic or alloy region in the area of the circuit unit (2) and in the area of the contact device (4) while avoiding, to the greatest possible extent, the use of adhesive elements and solder elements.

Abstract translation: 为了占用在热机械浮雕尽可能少的空间用于电路单元（2）的与接触装置的连接（4）的电路布置（1）通过连接装置（10），根据建议的本发明，所述连接装置（10）基本上是金属的，并且预制 形式或合金区域中的电路单元（2）的区域中并且在所述接触装置（4），同时基本上避免粘附元件和焊料元件的区域中。

公开(公告)号：WO2005112117A3

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：PCT/DE2005000848

申请日：2005-05-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  OTREMBA RALF

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/11

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/495 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: A power semiconductor assembly (1, 30, 40) comprises a first and a second active semiconductor component (2, 3), whose electrical connections (8, 14) are led out of the semiconductor components in the form of connecting pins (9, 15). The first semiconductor component (2) is, at least in part, electrically connected to the second semiconductor component (3) by a plug connection. The plug connection is realized by the engagement of the connecting pins (15) of the second semiconductor component (3) inside the electrical connections (8) of the first semiconductor component.

Abstract translation: 一种功率半导体器件（1，30，40）具有一个第一和一个第二有源半导体器件（2,3），所述电连接（8,14）中的连接销的形式（9，15）被引出半导体器件。 第一半导体部件（2）被连接到所述第二半导体元件（3）至少部分地电通过插接连接相连。 由第二半导体元件（3）的引线（15）的互锁的插接连接在所述第一半导体器件的电连接（8）被实现。

公开(公告)号：WO2005101458A3

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/DE2005000639

申请日：2005-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BETZ BERND ,  MAHLER JOACHIM ,  OTREMBA RALF ,  PAULUS STEFAN

Inventor： BETZ BERND ,  MAHLER JOACHIM ,  OTREMBA RALF ,  PAULUS STEFAN

IPC: H01L21/56 ,  B41F5/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/312 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/6715 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0091 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/1545 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a device (35) and a method for applying a thin organic or inorganic layer to individual component positions of band-shaped structures (1). Said layer can result in improved or optimized adhesion between a coated surface and a plastic housing material. In addition, said layer can be used as an anticorrosive layer, electrically insulating layer, or dielectric for the coated surfaces. In order to selectively apply the layer, the inventive device (35) comprises a jet printer (2) with several electronically controlled jet heads (4-7). Said jet printer (2) selectively coats the top face (17) of the band-shaped structures (1) in a first coating position (15) while selectively coating the bottom face (18) thereof in a second coating position (16).

Abstract translation: 本发明涉及一种装置（35）和用于施加于带状结构（1）的单独的部件的位置的薄的有机或无机层的方法。 该层可提供一被涂覆表面和塑料壳体组合物之间的改进的或优化的粘附性。 此外，层可以作为腐蚀保护层，电绝缘层或作为电介质的涂覆表面。 对于层的选择性施加，该装置（35）具有多个电子可控制的喷墨头（4-7）一个束打印机（2）。 涂在第一涂层位置（15）的束打印机（2），带状结构（1）选择性地在顶部（17）和在第二涂布位置（16）选择性地在带形结构的底部（18）（1）。

公开(公告)号：DE102015100862B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102015100862

申请日：2015-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGLAUER JOSEF ,  SCHREDL JÜRGEN ,  SCHLOEGEL XAVER ,  OTREMBA RALF ,  LEE TECK SIM ,  SCHIESS KLAUS

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Elektronisches Durchsteck-Bauelement (100), das Folgendes umfasst:einen Halbleiterchip (10), der eine erste Elektrode (10A) auf einer ersten Oberfläche des Halbleiterchips (10) umfasst;eine Einkapselungsmasse (50), die den Halbleiterchip (10) einkapselt;ein erstes Substratelement (20; 20A); undein Kontaktelement (40), das ausgestaltet ist, um die erste Elektrode (10A) mit dem ersten Substratelement (20; 20A) zu verbinden;wobei die Einkapselungsmasse (50) ausgestaltet ist, um das Kontaktelement (40) mindestens teilweise freizulegen, wobei das Kontaktelement (40) ferner derart ausgestaltet ist, dass eine Wärmesenke (60) mittels einer Schraube (70) an dem Kontaktelement (40) befestigt werden kann, die sich über der ersten Oberfläche des Halbleiterchips (10) befindet.

公开(公告)号：DE102015115999B4

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102015115999

申请日：2015-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  SCHIESS KLAUS ,  MAIER DOMINIC ,  CHONG CHOOI MEI

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Elektronische Komponente (90, 120, 210, 240), umfassend:eine dielektrische Schicht (104, 129, 212);ein in die dielektrische Schicht (104, 129, 212) eingebettetes vertikales Leistungstransistorbauelement (91, 121, 211, 241), wobei das vertikale Leistungstransistorbauelement (91, 121, 211, 241) eine erste Oberfläche (94, 124, 218, 245), welche ein erstes Stromelektrodenpad (92, 122, 216, 243) und ein Steuerelektrodenpad (93, 123, 217, 244) umfasst, und eine zweite Oberfläche (96, 126, 220, 247), welche ein zweites Stromelektrodenpad (95, 125, 219, 246) umfasst, umfasst;ein elektrisch leitendes Substrat (97, 128, 223, 249); undeine Umverteilungsschicht (106, 133, 213, 267), umfassend eine erste Oberfläche, eine zweite Oberfläche, die mindestens einen Außenkontakt bereitstellt und ein erstes elektrisch leitendes Bauteilelement,wobei das zweite Stromelektrodenpad (95, 125, 219, 246) auf dem elektrisch leitenden Substrat (97, 128, 223, 249) elektrisch leitend montiert ist und das erste elektrisch leitende Bauteilelement einen Stapel (100, 137, 224, 261) mit mindestens zwei übereinander angeordnete Stiftbolzen umfasst und sich zwischen dem elektrisch leitenden Substrat (97, 128, 223, 249) und der ersten Oberfläche der Umverteilungsschicht erstreckt, wobei eine Vielzahl von Stiftbolzen (98, 131, 221) Seite an Seite auf dem ersten Stromelektrodenpad (92, 122, 216, 243) angeordnet sind und ein einzelner Stiftbolzen (99, 131, 221) auf dem Steuerelektrodenpad (93, 123, 217, 244) angeordnet ist, wobei die Höhe des Stapels (100, 137, 224, 261) von Stiftbolzen die gleiche ist wie die Summe der Höhe des vertikales Leistungstransistorbauelement (91, 121, 211, 241) und des Stiftbolzens (99, 131, 221), der auf dem Steuerelektrodenpad (93, 123, 217, 244) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102019119118A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：DE102019119118

申请日：2019-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  LEE TECK SIM ,  ZULKIFLI MOHD HASRUL ,  WANG LEE SHUANG ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGEL XAVER

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/50 ,  H01L23/40

Abstract: Ein Halbleitergehäuse weist einen Chipträger, einen an dem Chipträger angebrachten Halbleiterchip, einen den Halbleiterchip einkapselnden Verkapselungskörper und ein Montageloch auf, das zur Aufnahme einer Schraube zur Schraubmontage eines Kühlkörpers an einer ersten Seite des Halbleitergehäuses konfiguriert ist, wobei eine zweite, der ersten Seite gegenüberliegende Seite des Halbleitergehäuses zur Oberflächenmontage auf einer Anwendungsplatine konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102013111225B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102013111225

申请日：2013-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  SEIBT MARCO

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L27/16

Abstract: Halbleiter-Package, das umfasst:einen Leistungs-Halbleiterchip, der eine Steuerelektrode, eine erste Lastelektrode und eine zweite Lastelektrode aufweist;einen ersten Anschlussleiter, der elektrisch an die Steuerelektrode gekoppelt ist;einen zweiten Anschlussleiter, der elektrisch an die erste Lastelektrode gekoppelt ist;einen dritten Anschlussleiter, der elektrisch an die zweite Lastelektrode gekoppelt ist; undeinen Temperatursensor, der elektrisch an den ersten und zweiten Anschlussleiter gekoppelt ist, derart, dass eine Temperatur des Leistungs-Halbleiterchips an dem dritten Anschlussleiter ausgewertet werden kann.

公开(公告)号：DE102013110404B4

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102013110404

申请日：2013-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHONG CHOOI MEI ,  HÖGLAUER JOSEF ,  NÖBAUER GERHARD ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L25/16

Abstract: Chipanordnung (342), die Folgendes aufweist:einen Chipträger (202);eine Spannungsversorgungsleitung (206);einen Erfassungsanschluss (212);einen über dem Chipträger (202) angeordneten Chip (216), wobei der Chip (216) einen ersten Anschluss (218) undeinen zweiten Anschluss (224) aufweist, wobei der erste Anschluss (218) den Chipträger (202) elektrisch kontaktiert; undein über dem zweiten Anschluss (224) ausgebildetes elektrisch leitendes Element (232, 332), wobei das elektrisch leitende Element (232, 332) einen Kontaktclip aufweist; der:die Spannungsversorgungsleitung (206) elektrisch an den zweiten Anschluss (224) koppelt; undden zweiten Anschluss (224) elektrisch an den Erfassungsanschluss (212) koppelt;wobei der Erfassungsanschluss (212) mindestens- einen Teil einer Spannungserfassungsschaltung bildet, die konfiguriert ist zum Messen einer Spannung des zweiten Anschlusses (224), oder- mindestens einen Teil einer Stromerfassungsschaltung bildet, die konfiguriert ist zum Messen eines Stroms des zweiten Anschlusses (224).

公开(公告)号：DE102013015942B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102013015942

申请日：2013-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/492 ,  H01L25/16

Abstract: Halbbrückenschaltung (400), umfassend:einen ersten Träger (401_1), einen zweiten Träger (401_2) und einen dritten Träger (401_3);einen ersten Leistungshalbleiterchip (402_1), der eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, wobei eine Source-Elektrode auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist und der erste Leistungshalbleiterchip (402_1) so auf dem ersten Träger (401_1) montiert ist, dass die zweite Hauptfläche dem ersten Träger (401_1) zugewandt ist und eine Drain-Elektrode mit dem ersten Träger (401_1) elektrisch verbunden ist;einen zweiten Leistungshalbleiterchip (402_2), der eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, wobei eine Source-Elektrode auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist und der zweite Leistungshalbleiterchip (402_2) so auf dem zweiten Träger (401_2) montiert ist, dass die zweite Hauptfläche dem zweiten Träger (401_2) zugewandt ist;einen Logikhalbleiterchip (402_3) auf dem dritten Träger (401_3), der die Leistungshalbleiterchips (402_1, 402_2) steuert;eine Kontaktklammer (450), die an den ersten Träger (401_1) und die Source-Elektrode des zweiten Leistungshalbleiterchips (402_2) gekoppelt ist und die Drain-Elektrode des ersten Leistungshalbleiterchips (402_1) elektrisch mit der Source-Elektrode des zweiten Leistungshalbleiterchips (402_2) verbindet;einen Verkapselungskörper (404), in den die Halbleiterchips (402_1, 402_2, 402_3) eingebettet sind;einen als integrales Teil ausgebildeten Kontaktclip (203), wobei der Kontaktclip (203) umfasst:einen Bondungsabschnitt (203_1), der an die Source-Elektrode des ersten Leistungshalbleiterchips (402_1) gebondet ist;einen ersten Abschnitt (203_3), der einen ersten seitlichen Rand des Kontaktclips (203) umfasst und einen externen Anschluss der Halbbrückenschaltung (400) bildet, wobei der externe Anschluss an dem Verkapselungskörper (404) frei liegt;einen zweiten Abschnitt (233_3), der einen zweiten seitlichen Rand des Kontaktclips umfasst, wobei der zweite Abschnitt (233_3) über eine Bondschicht (461) mit einem getrennt von den Trägern (401_1, 401_2, 401_3) ausgestalteten Außenanschlusselement (460) verbunden ist, wobei der zweite seitliche Rand des Kontaktclips (203) in den Verkapselungskörper (404) eingebettet ist und das Außenanschlusselement (460) an dem Verkapselungskörper frei liegt;wobei der erste seitliche Rand und der zweite seitliche Rand auf verschiedenen Höhen relativ zu einer unterseitigen Ebene der Träger (401_1, 401_2, 401_3) angeordnet sind.