公开(公告)号：DE102007046349B4

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102007046349

申请日：2007-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  LICHT THOMAS DR

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/15 ,  H01L23/473

Abstract: Anordnung zum Kühlen eines Leistungshalbleitermoduls, wobei das Leistungshalbleitermodul ein Substrat mit einer Keramikplatte umfasst, die eine Metallisierung aufweist, wobei die Anordnung folgendes umfasst: einen Behälter für den Eintritt eines Kühlmittels, umfassend eine wärmeleitende Platte; wobei die wärmeleitende Platte zwei Seiten aufweist, eine mit der Metallisierung des Substrats verbundene Seite und die andere Seite, die mit dem Kühlmittel in Kontakt steht; wobei die wärmeleitende Platte aus Materialien hergestellt ist, die ein Metallmatrix-Verbundwerkstoff-(MMC Metal Matrix Composite)-Material mit einem Füllgehalt derart umfassen, dass die Wärmeausdehnung der wärmeleitenden Platte im Bereich von 11 bis 16 ppm/K liegt.

公开(公告)号：DE102004052039B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102004052039

申请日：2004-10-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUERBACH FRANZ DR ,  LICHT THOMAS DR

IPC: G01N21/63 ,  G01N33/20 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren zum Bestimmen der Aufschmelztiefe während des Aufschmelzens einer Metallschicht (5, 6) mittels eines Laserstrahls (8), bei dem – unter der Metallschicht (5) eine oder mehrere Schichtlage(n) (3, 4) vorhanden ist/sind, die bei Beaufschlagung mit einer Prüfstrahlung eine jeweils schichtspezifische, zur Entladungsstrahlung der Metallschicht unterschiedliche charakteristische Entladungsstrahlung emittiert/emittieren, wobei sich die Entladungsstrahlungen dadurch unterscheiden, dass sie verschiedene charakteristische maximale Wellenlängen (λCu, λchar(4), λchar(3)) aufweisen; – während des Aufschmelzens der Aufschmelzbereich (7, 7', 7'') mit einer Prüfstrahlung (10) beaufschlagt wird, und – aus der reflektierten Prüfstrahlung (11) das Aufschmelzen der Schichtlage(n) (5, 4, 3) durch Detektieren der schichtspezifischen charakteristischen Entladungsstrahlungen (λchar,Cu, λchar(4), λchar(3)) erkannt und daraus auf die Aufschmelztiefe geschlossen wird, wobei die Metallschicht (5, 6) und die Schichtlage(n) (3, 4) aus demselben Ausgangsmaterial hergestellt werden und wobei die Schichtlage(n) (3, 4) zur Erzeugung unterschiedlicher charakteristischer Entladungsstrahlungen (λchar,Cu, λchar(4) λchar(3)) schichtweise unterschiedlich dotiert wird/werden.

公开(公告)号：DE102005033469B4

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE102005033469

申请日：2005-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  SIEPE DIRK DR ,  LICHT THOMAS DR

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermoduls,- mit einem Trägersubstrat (20), welches eine Oberseite (20a) und eine Unterseite (20b) aufweist,- mit einer Halbleiterschaltungsanordnung (10) auf der Oberseite (20a) oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) und- mit mindestens einem Kontaktbereich (30), welcher aus oder mit einem Kontaktmaterial (30') mit einem Oberflächenbereich (30a) auf der Oberseite (20a) oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) ausgebildet wird zum externen oder internen Kontaktieren des Moduls,- bei welchem der Kontaktbereich (30) und das Kontaktmaterial (30') bereichsweise mit einem Schutz (50) gegen Oxidation ausgebildet werden,- bei welchem der Schutz (50) als ein oberster Materialbereich in Form einer Schutzschicht (50s) auf der Oberfläche (30a) des Kontaktbereichs (30) ausgebildet wird und- bei welchem der Schutz (50) aus einer Kombination von Materialien aus der Gruppe ausgebildet wird, die gebildet wird von Ti, TiW, TiV, Cr, Al, Au, Ag, Pd, Ni, Pt, V, deren Legierungen und deren Oxiden,dadurch gekennzeichnet, dass- die Halbleiterschaltungsanordnung (10) auf einem ersten Teil (30-1) eines Kontaktbereichs (30) und somit indirekt auf der Oberseite (20a) und/oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) ausgebildet wird und- nur ein nicht von der Halbleiterschaltungsanordnung (10) bedeckter zweiter Teil (30-2) des Kontaktbereichs (30) mit dem Schutz (50) oder einem Teil des Schutzes (50) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE10342295B4

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE10342295

申请日：2003-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  SIEMENS AG

Inventor： AUERBACH FRANZ DR ,  BAYERER REINHOLD DR ,  LICHT THOMAS DR ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L23/28 ,  B29C63/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

Abstract: Anordnung (1) eines elektrischen Bauelements (3) auf einem Substrat (2), wobei – mindestens eine elektrische Isolationsfolie (5) zur elektrischen Isolierung des Bauelements vorhanden ist, – zumindest ein Teil (52) der Isolationsfolie (5) mit dem Bauelement (3) und dem Substrat (2) derart verbunden ist, dass eine durch das Bauelement (3) und das Substrat (2) gegebene Oberflächenkontur (11) in einer Oberflächenkontur (51) des Teils (52) der Isolationsfolie (5) abgebildet ist, – zumindest der Teil der Isolationsfolie (5) mit der Oberflächenkontur eine Spannungsfestigkeit gegenüber einer elektrischen Feldstärke aus dem Bereich von einschließlich 10 kV/mm bis einschließlich 200 kV/mm aufweist, – die Isolationsfolie (5) einen Verbundwerkstoff aufweist, dessen Basismaterial ein Polyimid ist, und – zumindest der Teil (52) der Isolationsfolie (5) mit der Oberflächenkontur (51) eine im Vergleich zu einem weiteren Teil (53) der Isolationsfolie (5) größere Folienstärke aufweist, wobei – die Isolationsfolie (5) einen Füllstoff aufweist, und...