公开(公告)号：DE102010000951A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010000951

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK DR ,  ESSERT MARK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Schaltungsträger (2), der ein Isoliersubstrat (20) umfasst, sowie eine auf dem Isoliersubstrat (20) angeordnete, flächige, strukturierte Metallisierung (21). Weiterhin ist wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4'') vorgesehen, von denen jeder an einer ersten Bondstelle (41, 41', 41'') und an einer zweiten Bondstelle (42, 42', 42'') an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist. Gemäß einer anderen Ausgestaltung kann wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4'') vorgesehen sein, von denen jeder jeweils an nur genau einer Bondstelle (44, 44', 44'') an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist, und von denen keiner an einer weiteren Bondstelle an den zusammenhängenden Abschnitt (31) oder an eine andere Komponente des Leistungshalbleitermoduls gebondet ist.

公开(公告)号：DE102010000951B4

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102010000951

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK DR ,  ESSERT MARK

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit einem Schaltungsträger (2), der ein Isoliersubstrat (20) umfasst, sowie eine auf dem Isoliersubstrat (20) angeordnete, flächige, strukturierte Metallisierung (21), wobei- die strukturierte Metallisierung (21) einen zusammenhängenden Abschnitt (31) aufweist;- wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4") vorhanden ist, von denen jeder an einer ersten Bondstelle (41, 41', 41") und an einer zweiten Bondstelle (42, 42', 42") an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist;- der zusammenhängende Abschnitt (31) eine Engstelle (25) aufweist, an der der Leitungsquerschnitt des zusammenhängenden Abschnitts (31) lokal verringert ist, wobei der zumindest eine Bonddraht (4, 4', 4") die Engstelle (25) vollständig oder teilweise elektrisch überbrückt.

公开(公告)号：DE102010003533B4

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102010003533

申请日：2010-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF DR ,  SIEPE DIRK DR ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L23/495

Abstract: Substratanordnung (1) mit einem flachen Substrat (2), das eine zu Leiterbahnen und/oder Leiterflächen strukturierte oberste Metallisierungsschicht (11) aufweist, eine unterste Metallisierungsschicht (12), die auf einer der obersten Metallisierungsschicht (11) abgewandten Seite des Substrats (2) angeordnet ist, sowie eine als flaches dielektrisches Plättchen ausgebildete Isolationsschicht (21), die zwischen der obersten Metallisierungsschicht (11) und der untersten Metallisierungsschicht (12) angeordnet ist, wobei – die oberste Metallisierungsschicht (11) vollständig unbestückt ist; – die unterste Metallisierungsschicht (12) nicht mit einem oder mehreren aktiven elektrischen Bauelementen bestückt ist; – eine Drahtstruktur, die an die unterste Metallisierungsschicht (12) gebondet ist, wenigstens einen zusammenhängenden Bonddrahtabschnitt (3) umfasst; und – die Isolationsschicht (21) als Keramikschicht (21, 22) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102007044046B4

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102007044046

申请日：2007-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Schritten: – Bereitstellen einer Bodenplatte mit mindestens einem auf einer Seite der Bodenplatte montierten Substrat; – Bereitstellen eines Rahmens eines Gehäuses und eines Anschlusselementes zur internen Kontaktierung, das zwei Kontaktbereiche aufweist, sowie einen an dem Rahmen befestigten Leiterabschnitt, welcher die beiden Kontaktbereiche des Anschlusselementes verbindet; – Positionieren des Rahmens relativ zu der Bodenplatte und damit Positionieren des Anschlusselementes relativ zu dem Substrat; – Verbinden des Rahmens mit der Bodenplatte; und – Verbinden der Kontaktbereiche des Anschlusselementes mit jeweils einem Kontaktbereich jeweils eines der Substrate mittels Ultraschallschweißen; – wobei kein Abschnitt des Anschlusselementes aus dem Rahmen herausgeführt ist.

公开(公告)号：DE102005033469B4

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE102005033469

申请日：2005-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  SIEPE DIRK DR ,  LICHT THOMAS DR

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermoduls,- mit einem Trägersubstrat (20), welches eine Oberseite (20a) und eine Unterseite (20b) aufweist,- mit einer Halbleiterschaltungsanordnung (10) auf der Oberseite (20a) oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) und- mit mindestens einem Kontaktbereich (30), welcher aus oder mit einem Kontaktmaterial (30') mit einem Oberflächenbereich (30a) auf der Oberseite (20a) oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) ausgebildet wird zum externen oder internen Kontaktieren des Moduls,- bei welchem der Kontaktbereich (30) und das Kontaktmaterial (30') bereichsweise mit einem Schutz (50) gegen Oxidation ausgebildet werden,- bei welchem der Schutz (50) als ein oberster Materialbereich in Form einer Schutzschicht (50s) auf der Oberfläche (30a) des Kontaktbereichs (30) ausgebildet wird und- bei welchem der Schutz (50) aus einer Kombination von Materialien aus der Gruppe ausgebildet wird, die gebildet wird von Ti, TiW, TiV, Cr, Al, Au, Ag, Pd, Ni, Pt, V, deren Legierungen und deren Oxiden,dadurch gekennzeichnet, dass- die Halbleiterschaltungsanordnung (10) auf einem ersten Teil (30-1) eines Kontaktbereichs (30) und somit indirekt auf der Oberseite (20a) und/oder auf der Unterseite (20b) des Trägersubstrats (20) ausgebildet wird und- nur ein nicht von der Halbleiterschaltungsanordnung (10) bedeckter zweiter Teil (30-2) des Kontaktbereichs (30) mit dem Schutz (50) oder einem Teil des Schutzes (50) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102005012992B4

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102005012992

申请日：2005-03-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK DR ,  BAYERER REINHOLD DR ,  LENNIGER ANDREAS DR

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren mit folgenden Schritten: Bonden eines Halbleiterelementes (4), wobei nacheinander durch eine Bondeinrichtung (9, 18, 21) verschiedene Kontaktflächen (5) des Halbleiterelementes (4) mit Anschlussflächen (2, 3) mittels Bonddrahtelementen (6) verbunden werden, Erfassen einer durch das Halbleiterelement (4) beeinflussten elektrischen Größe während des Bondens, gekennzeichnet durch den Schritt Anlegen einer Wechselspannung (25) zwischen der Bondeinrichtung (9, 18, 21) und einem hiergegen isolierten Teil, welches an das Halbleiterelement (4) kapazitiv angekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102010003533A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003533

申请日：2010-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF DR ,  SIEPE DIRK DR ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/58 ,  H01L23/495

Abstract: Die Erfindung betrifft eine gebondete Kühlstruktur zur Fluidkühlung. Hierbei ist eine zur Kühlung dienende Drahtstruktur an eine Metallisierungsschicht (12) eines Schaltungsträgers (2) gebondet.