公开(公告)号：DE102023209025A1

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023209025

申请日：2023-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIS ADRIAN ,  SCHMID THOMAS ,  GÜNTHER EWALD

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H10D80/20

Abstract: Ein Leistungsmodul umfasst ein Substrat, einen oder mehrere Halbleiterchips, die auf dem Substrat montiert sind, eine erste externe Leistungsverbindung, die elektrisch mit einem ersten Leistungsanschluss von mindestens einem des einen oder der mehreren Halbleiterchips verbunden ist; ein Verkapselungsmittel, das mindestens teilweise die erste externe Leistungsverbindung verkapselt, wobei ein Abschnitt der ersten externen Leistungsverbindung und mindestens Teile einer Außenfläche des Substrats von dem Verkapselungsmittel freigelegt sind, und eine Wärmesenke, die auf der ersten externen Leistungsverbindung montiert ist.

公开(公告)号：DE102024201554A1

公开(公告)日：2024-09-12

申请号：DE102024201554

申请日：2024-02-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIS ADRIAN ,  RAITHEL DOMINIC ,  SCHMID THOMAS

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Leistungsmodul umfasst: ein erstes Substrat, das eine strukturierte erste Metallisierung umfasst; ein zweites Substrat, das eine strukturierte zweite Metallisierung umfasst, die der strukturierten ersten Metallisierung zugewandt ist; eine erste Mehrzahl von vertikalen Leistungstransistor-Dies mit einem Drain-Pad, das an einem ersten Teil der strukturierten ersten Metallisierung angebracht ist, und einem Source-Pad, das elektrisch mit einem ersten Teil der strukturierten zweiten Metallisierung verbunden ist; eine zweite Mehrzahl von vertikalen Leistungstransistor-Dies mit einem Drain-Pad, das an einem zweiten Teil der strukturierten ersten Metallisierung angebracht ist, und einem Source-Pad, das elektrisch mit einem zweiten Teil der strukturierten zweiten Metallisierung verbunden ist; und einen mehrstufigen Leiterrahmen zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat, der an jedem des ersten Teils der strukturierten ersten Metallisierung, des ersten Teils der strukturierten zweiten Metallisierung, des zweiten Teils der strukturierten ersten Metallisierung und des zweiten Teils der strukturierten zweiten Metallisierung angebracht ist.

公开(公告)号：DE102022108472A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022108472

申请日：2022-04-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIEBL CHRISTOPH ,  ASCHENBRENNER LISA ,  LEDUTKE MICHAEL ,  LIS ADRIAN ,  SCHWAB STEFAN

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34

Abstract: Ein Halbleitermodul weist einen Chipträger mit einer ersten und einer gegenüberliegenden zweiten Seite, einen Halbleiterchip, der auf der ersten Seite des Chipträgers angeordnet ist, einen Verkapselungskörper, der den Halbleiterchip einkapselt, und mindestens zwei nebeneinander angeordnete externe Kontakte aus einem Metall oder einer Legierung, die elektrisch und mechanisch mit der ersten Seite des Chipträgers verbunden sind und seitlich aus dem Verkapselungskörper herausragen, auf, wobei zumindest einer der externen Kontakte zumindest einen Flügel aufweist, der innerhalb des Verkapselungskörpers angeordnet ist und dem anderen der externen Kontakte gegenüber liegt, und wobei der Flügel eine oder mehrere Aussparungen aufweist, welche mit Verkapselungsmaterial des Verkapselungskörpers gefüllt sind.

公开(公告)号：DE102020125371A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102020125371

申请日：2020-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIS ADRIAN

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60

Abstract: Ein Package (100), welches eine elektronische Komponente (102), welche eine erste Hauptoberfläche (104) mit einem elektrisch leitfähigen ersten Pad (106) hat, wobei das erste Pad (106) eine offene Aussparung (108) hat, und einen Abstandskörper (110) aufweist, welcher auf dem ersten Pad (106) montiert ist und zumindest einen Teil der offenen Aussparung (108) überbrückt.